【正文】 三極管的分類 退 出 三極管的主要參數(shù) 三極管的工作狀態(tài) 三極管的結(jié)構(gòu)與符號 三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個相距很近的 PN結(jié)，兩個 PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，根據(jù) PN結(jié)不同的組合方式，形成了 NPN型和 PNP型兩種類型的三極管。指由于三極管集電極電流 IC過大使 β值下降到規(guī)定允許值時的電流（一般指 β值下降到 2/3正常值時的IC值）。特點(diǎn)：電壓放大倍數(shù)接近于 1，電流放大倍數(shù)大，輸入電阻較大，輸出電阻較小，輸入信號與輸出信號相位相同，具有跟隨作用。此時 IB雖然增加，但 IC增加不大，三極管基本無放大作用。 其它半導(dǎo)體器件 場效應(yīng)晶體管 晶閘管 退 出 場效應(yīng)晶體管 場效應(yīng)晶體管（ Field Effect Transistor），簡稱場效應(yīng)管（ FET）。 2) 夾斷電壓 U P 結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，漏源電壓一定時，使漏源電流等于零時的柵極電壓值。 5. 場效應(yīng)管與晶體管的比較 1) 場效應(yīng)管的柵、漏、源三個電極，一般可以和普通晶體管的基級、集電極、發(fā)射極相對應(yīng)。 電路中 ， 由電源 Ea、 白熾燈 、 晶閘管的陽極和陰極組成晶閘管主電路；由電源 Eg、 開關(guān) S、 晶閘管的門極和陰極組成控制電路 , 也稱觸發(fā)電路 。如果陽極與陰極或陽極與控制極間有短路，陰極與控制極間為短路或斷路，則晶閘管是壞的。三極管是電流控制器件。 9．雙極型三極管有 NPN和 PNP兩大類，輸出特性曲線包括飽和、放大、截止和擊穿四個區(qū)。 3) 通態(tài)平均電流 I V(AV) 在環(huán)境溫度小于 40℃ 和標(biāo)準(zhǔn)散熱及全導(dǎo)通的條件下，晶閘管可以連續(xù)導(dǎo)通的工頻正弦半波電流平均值稱為通態(tài)平均電流或正向平均電流。晶閘管在工作過程中會因損耗而發(fā)熱，因此必須安裝散熱器。 4. 場效應(yīng)管的特點(diǎn) 1) 場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。 由于鋁柵極和 N型襯底間電場的作用 ， 使絕緣層下面的 N型襯底表面的電子被排斥 ， 而帶正電的空穴被吸引到表面上來 ， 于是在 N型襯底的表面形成空穴型 （ P型 ） 導(dǎo)電薄層 ， 稱為 P溝道 。拆下時，應(yīng)按相反次序，以免燒壞管子。所示，分為三個區(qū)域： 截止區(qū)，指 IB=0的那條特性曲線以下的區(qū)域。以基極為輸入端，集電極為輸出端，發(fā)射極為輸入回路和輸出回路的公共端。一般晶體管的 β值在 10200之間，它是表征三極管電流放大作用的最重要的參數(shù)。 1. 半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù) 二極管的正、負(fù)極可按下列方法來判別： ①看外殼上的色圈：現(xiàn)在常用的表示方法是在二極管的外殼上標(biāo)有一個色圈，通?？拷松Φ囊欢藶樨?fù)極，另一端為正極。穩(wěn)壓管正是利用這一特點(diǎn)進(jìn)行穩(wěn)壓的，此時的穩(wěn)定電壓稱為齊納電壓，因此穩(wěn)壓二極管又名齊納二極管。一個 PN結(jié)經(jīng)過封裝并引出電極后，就形成了二極管。當(dāng)溫度升高或受到光的照射時，價電子能量增高，有的價電子可以掙脫原子核的束縛，成為自由電子參與導(dǎo)電。 3）開關(guān)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) （ 1） 撥動開關(guān) 撥動開關(guān)是通過撥動開關(guān)手柄來帶動滑塊或滑片的滑動，從而控制開關(guān)觸點(diǎn)的接通與斷開。 圖 7 4 開 關(guān) 實(shí) 物 圖1）開關(guān)的分類 （ 1）按結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分類 按結(jié)構(gòu)特點(diǎn)可分為按鈕開關(guān)、撥動開關(guān)、薄膜開關(guān)、水銀開關(guān)、杠桿式開關(guān)、微動開關(guān)、行程開關(guān)等。變壓器正是利用線圈的互感特性組成的電路元件。 第三部分：用數(shù)字表示分類。 10%， III級 177。 10%、無色 177。 4．電阻器的阻值及誤差的表示方法 ① 直標(biāo)法：將電阻器的主要參數(shù)用數(shù)字或字母直接標(biāo)注在電阻體表面。 圖 7 1 固 定 電 阻 、 電 位 器 的 外 形 及 符 號R R p（ a ） 固 定 電 阻 （ b ） 電 位 器1．電阻器的種類 電阻器按其結(jié)構(gòu)、用途與功能可分為固定電阻器、敏感電阻器、微調(diào)電阻器和電位器等： 電阻的分類 固定電阻器：碳膜、金屬膜、線繞 敏感電阻器：光敏、壓敏、熱敏 微調(diào)電阻器 電位器 2．電阻器的主要參數(shù) （ 1） 標(biāo)稱值 標(biāo)示在電阻器上的電阻值稱為標(biāo)稱值，它的基本單位是歐姆，用符號“ Ω”表示，常用的還有 KΩ（千歐）， MΩ（兆歐）。 ②文字符號法：用阿拉伯?dāng)?shù)字和文字符號兩者有規(guī)律的組合來表示標(biāo)稱阻值，其允許偏差也用文字符號表示。 電容器 電容器（ Capacitor）簡稱電容，它是由兩個靠得很近的金屬極板，中間用絕緣材料（介質(zhì)）隔開而構(gòu)成的元件。絕緣電阻越大越好。 ② 文字符號法和數(shù)字標(biāo)注法：用數(shù)字、文字符號有規(guī)律的組合來表示容量。 按是否可調(diào)分： 固定電感和可調(diào)電感 。不同規(guī)格的開關(guān)，其額定電壓和額定電流的值也不同。 2. 接插件 接插件是一種簡便的連接電子線路的定位接頭，由接件和插件兩部分構(gòu)成，一般狀態(tài)下是可以完全分離的，接觸對存在固定的對應(yīng)關(guān)系。本征激發(fā)和復(fù)合在一定溫度下會達(dá)到動態(tài)平衡。 （ V ）電 壓0 . 6 1 0電 流（ m A ）2 04 0圖 7 1 0 硅 二 極 管 的 伏 安 特 性 曲 線（ 2） 反向特性 當(dāng)二極管兩端加上反向電壓時，反向電流很小，幾乎為零。通常反向偏壓越小，結(jié)電容越大；反向偏壓越大，結(jié)電容越小。 PNN基 極B發(fā) 射 結(jié)集 電 結(jié)發(fā) 射 極E集 電 極C發(fā) 射 區(qū)基 區(qū)集 電 區(qū)（ a ） N P N 型EBCPPN基 極B發(fā) 射 結(jié)集 電 結(jié)發(fā) 射 極E集 電 極C發(fā) 射 區(qū)基 區(qū)集 電 區(qū)EBC圖 7 1 2 三 極 管 內(nèi) 部 結(jié) 構(gòu) 和 電 路 符 號（ b ） P N P 型 三極管的分類 按照結(jié)構(gòu)工藝分類，有 PNP和 NPN型；按照制造材料分類，有鍺管和硅管；按照工作頻率分類，有低頻管和高頻管。 ④ 最大管耗 PCM 。 3) 共基極接法。 放大區(qū)，在截止區(qū)以上，飽和區(qū)與擊穿區(qū)之間的區(qū)域?yàn)榉糯髤^(qū)。三極管在工作時兩種不同極性的載流子均參與導(dǎo)電過程，所以又稱為 “ 雙極型晶體管 ” 。 3) 跨導(dǎo) g M 漏源電壓一定時，漏源電流變化量和相應(yīng)柵壓變化量的比值叫跨導(dǎo)。在使用時，要根據(jù)電路要求選擇合適的管型。 2. 晶閘管的工作原理 ＋－Ea＋－EgS＋－Ea＋－EgS＋－Ea＋－EgS圖 7 2 3 晶 閘 管 導(dǎo) 通 實(shí) 驗(yàn) 電 路 圖 當(dāng)晶閘管的陽極 A接電源 Ea的正端，陰極 K經(jīng)白熾燈接電源的負(fù)端時， 晶閘管承受正向電壓。 本章小結(jié) 1．常用電阻器有碳膜、金屬膜和線繞電阻等，主要參數(shù)是標(biāo)稱阻值、允許誤差和額定功率，在電路中起限流、分流、降壓、分壓、負(fù)載及阻抗匹配等作用。 10．場效應(yīng)晶體管是一種單極型晶體管，可分為結(jié)型（ JFET）和絕緣柵型（ MOS）兩種，每種又可分為 P溝道和 N溝道兩種。整流二極管的主要參數(shù)為最大整流電流和最高反向工作電壓。 2) 反向重復(fù)峰值電壓 U RRM 在控制極斷路時，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的反向峰值電壓，此電壓取反向擊穿電壓 U RO的 80%。 1. 晶閘管的結(jié)構(gòu)和類型 圖 7 2 2 晶 閘 管 的 外 形 、 結(jié) 構(gòu) 和 符 號P2GKAJJJ3AKGAGK AGK( a ) 外 形 ( b ) 結(jié) 構(gòu)( c ) 符 號12N2N1P1 2) 類型 常用的大功率晶閘管有螺栓式和平板式兩種外形，如圖 722(a)所示。 3) 兩種工作方式：當(dāng)柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。 S i O2 N 型 硅 襯 底P 型 區(qū)P型 區(qū)金 屬 鋁源 極 S 柵 極 G 漏 極 DS i O2 P 型 硅 襯 底N 型 區(qū)N