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電工電子技術(shù)第7章電子元器件基礎(chǔ)-wenkub

2023-05-27 18:58:26 本頁(yè)面
 

【正文】 在電阻器上用三位數(shù)碼表示標(biāo)稱(chēng)值的標(biāo)志方法。 5%。 4.電阻器的阻值及誤差的表示方法 ① 直標(biāo)法:將電阻器的主要參數(shù)用數(shù)字或字母直接標(biāo)注在電阻體表面。 第三部分:分類(lèi)(一般用數(shù)字表示,個(gè)別類(lèi)型用字母表示),表示產(chǎn)品屬于什么類(lèi)型。常見(jiàn)的有1/16W 、 1/8W 、 1/4W 、 1/2W 、 1W 、 2W 、 5W 、 10W等。在電子電路中起限流、分流、降壓、分壓、負(fù)載及阻抗匹配等作用。 圖 7 1 固 定 電 阻 、 電 位 器 的 外 形 及 符 號(hào)R R p( a ) 固 定 電 阻 ( b ) 電 位 器1.電阻器的種類(lèi) 電阻器按其結(jié)構(gòu)、用途與功能可分為固定電阻器、敏感電阻器、微調(diào)電阻器和電位器等: 電阻的分類(lèi) 固定電阻器:碳膜、金屬膜、線(xiàn)繞 敏感電阻器:光敏、壓敏、熱敏 微調(diào)電阻器 電位器 2.電阻器的主要參數(shù) ( 1) 標(biāo)稱(chēng)值 標(biāo)示在電阻器上的電阻值稱(chēng)為標(biāo)稱(chēng)值,它的基本單位是歐姆,用符號(hào)“ Ω”表示,常用的還有 KΩ(千歐), MΩ(兆歐)。 3.電阻器型號(hào)的命名辦法 國(guó)產(chǎn)電阻器的型號(hào)由四部分組成: 第一部分:主稱(chēng)(用字母表示),表示產(chǎn)品的名稱(chēng)。如 1普通、 3超高頻 、 4高阻、 5高溫、7精密、 G高功率、 T可調(diào)。若電阻上未注偏差,則均為 177。 ②文字符號(hào)法:用阿拉伯?dāng)?shù)字和文字符號(hào)兩者有規(guī)律的組合來(lái)表示標(biāo)稱(chēng)阻值,其允許偏差也用文字符號(hào)表示。數(shù)碼從左到右,第一、二位為有效值,第三位為 10的乘方指數(shù),即零的個(gè)數(shù),單位為歐姆。普通電阻一般由 4環(huán)表示,精密電阻用 5環(huán)描述。 20%。 電容器 電容器( Capacitor)簡(jiǎn)稱(chēng)電容,它是由兩個(gè)靠得很近的金屬極板,中間用絕緣材料(介質(zhì))隔開(kāi)而構(gòu)成的元件。 按結(jié)構(gòu)分:固定電容、可變電容和微調(diào)電容 。 實(shí)際電容量和標(biāo)稱(chēng)電容量允許的最大偏差范圍,稱(chēng)為誤差。 20%。絕緣電阻越大越好。在高頻條件下工作的電容器,由于介電常數(shù)在高頻時(shí)比低頻時(shí)小,電容量也相應(yīng)減小。 3.電容器的型號(hào)命名 國(guó)產(chǎn)電容器的命名由四部分組成: 第一部分:用字母表示名稱(chēng), C代表電容器。如 1圓片, 2管形, 3迭片, 4獨(dú)石, 5穿心, 6支柱等。 ② 文字符號(hào)法和數(shù)字標(biāo)注法:用數(shù)字、文字符號(hào)有規(guī)律的組合來(lái)表示容量。 ③色標(biāo)法:和電阻的表示方法相同,單位一般為 pF。當(dāng)線(xiàn)圈中電流發(fā)生變化時(shí),其周?chē)拇艌?chǎng)也產(chǎn)生相應(yīng)的變化,此變化的磁場(chǎng)可使線(xiàn)圈自身產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),這就是自感。 圖 7 3 電 感 器 的 外 形 及 符 號(hào)( a ) 外 形( b ) 符 號(hào) 電感器的作用主要是扼流濾波和儲(chǔ)能,此外,在電路中常常與電容器一起組成各種諧振電路。 按是否可調(diào)分: 固定電感和可調(diào)電感 。 ( 2)直流電阻 電感線(xiàn)圈在直流電流下表現(xiàn)出的電阻。 3.電感器的標(biāo)識(shí) 和電阻、電容相類(lèi)似,電感的標(biāo)志一般也采用直標(biāo)法和色標(biāo)法,具體表示方法和規(guī)則也與電阻類(lèi)似。 ( 2) 按極數(shù)、位數(shù)分類(lèi) 按極數(shù)和位數(shù)可分為單極單位開(kāi)關(guān)、雙極雙位開(kāi)關(guān)、單極多位開(kāi)關(guān)、多極單位開(kāi)關(guān)和多極多位開(kāi)關(guān)等。不同規(guī)格的開(kāi)關(guān),其額定電壓和額定電流的值也不同。 ( 3) 絕緣電阻 斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)觸頭之間的電阻或開(kāi)關(guān)導(dǎo)體與金屬外殼之間的電阻值,通常要求大于 100~10000 MΩ。一般要求在5000~ 35000次,通常要求是 10000次, 較高的要求是 5萬(wàn)到 50萬(wàn)次。撥動(dòng)開(kāi)關(guān)分為單極雙位和雙極雙位兩種結(jié)構(gòu)形式。 2. 接插件 接插件是一種簡(jiǎn)便的連接電子線(xiàn)路的定位接頭,由接件和插件兩部分構(gòu)成,一般狀態(tài)下是可以完全分離的,接觸對(duì)存在固定的對(duì)應(yīng)關(guān)系。在純凈半導(dǎo)體中,加入微量的雜質(zhì),其導(dǎo)電能力會(huì)顯著增強(qiáng)。 ( 1) 本征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 晶體中原子以共價(jià)鍵結(jié)合,共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子,稱(chēng)為價(jià)電子。這一現(xiàn)象稱(chēng)為本征激發(fā)(也稱(chēng)熱激發(fā))。本征激發(fā)和復(fù)合在一定溫度下會(huì)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。 ( 1) N型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)雜質(zhì)元素,例如磷,可形成 N型半導(dǎo)體,也稱(chēng)電子型半導(dǎo)體。 1. PN結(jié)的形成 圖 7 7 P N 結(jié) 的 形 成2. PN結(jié)的單向?qū)щ娦? PN結(jié)正向偏置時(shí),多子下定向移動(dòng),耗盡層逐漸變薄,乃至消失,從而使 PN結(jié)處于導(dǎo)通,如圖 78( a)所示。二極管的電路符號(hào)、 PN結(jié)內(nèi)部結(jié)構(gòu)和外形如圖 79所示。 ( V )電 壓0 . 6 1 0電 流( m A )2 04 0圖 7 1 0 硅 二 極 管 的 伏 安 特 性 曲 線(xiàn)( 2) 反向特性 當(dāng)二極管兩端加上反向電壓時(shí),反向電流很小,幾乎為零。利用二極管的這一特性,可以完成穩(wěn)壓的功能。 ( 2) 檢波二極管 檢波和整流的原理是一樣的,但整流的目的是為了得到直流電,而檢波則是為了從高頻調(diào)幅波中取出信號(hào)成分。 ( 4) 發(fā)光二極管 發(fā)光二極管(簡(jiǎn)稱(chēng) LED)也是一種二極管,其主要結(jié)構(gòu)也是 PN結(jié),但它使用的半導(dǎo)體材料主要是砷化鎵等。通常反向偏壓越小,結(jié)電容越大;反向偏壓越大,結(jié)電容越小。 ( 8) 肖特基二極管 肖特基二極管是一種問(wèn)世較晚的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。 ②最高反向工作電壓 U RM:二極管長(zhǎng)期正常工作時(shí)所允許的最高反向電壓。如 1N40xx系列二極管采用此標(biāo)示法。 PNN基 極B發(fā) 射 結(jié)集 電 結(jié)發(fā) 射 極E集 電 極C發(fā) 射 區(qū)基 區(qū)集 電 區(qū)( a ) N P N 型EBCPPN基 極B發(fā) 射 結(jié)集 電 結(jié)發(fā) 射 極E集 電 極C發(fā) 射 區(qū)基 區(qū)集 電 區(qū)EBC圖 7 1 2 三 極 管 內(nèi) 部 結(jié) 構(gòu) 和 電 路 符 號(hào)( b ) P N P 型 三極管的分類(lèi) 按照結(jié)構(gòu)工藝分類(lèi),有 PNP和 NPN型;按照制造材料分類(lèi),有鍺管和硅管;按照工作頻率分類(lèi),有低頻管和高頻管。 ( 2) 常用中功率晶體三極管 TO220塑封三極管,如低頻中功率管 TIP41( NPN)、TIP42( PNP), 2SC9073( NPN), 2SA940( PNP)等;TO126塑封三極管,如低頻中功率管 D882( NPN)、 B772( PNP)等; 此外還有金屬封裝的 A302B 、塑封的 TO251 、 TO252等中功率三極管。 TO3金屬封裝三極管,如低頻大功率管 2SC3669( NPN)、 2SA1429( PNP), 2SC3858( NPN), 2SA1494( PNP)等。 ② 反向擊穿電壓值 UCEO。 ④ 最大管耗 PCM 。 ⑥ 共基極交流放大系數(shù) α。通常以 f T 的值作為劃分高頻管和低頻管的標(biāo)志, f T ≤3MHz的稱(chēng)為低頻管, f T ≥3MHz的稱(chēng)為高頻管。特點(diǎn):電壓和電流放大倍數(shù)大,輸入輸出電阻適中,輸入信號(hào)與輸出信號(hào)相位相反。 3) 共基極接法。圖 717( a)所示為共發(fā)射極電路,由實(shí)驗(yàn)得到的靜態(tài)輸入、輸出特性曲線(xiàn)如圖 717( b)( c)所示。圖中的曲線(xiàn)位置和形狀與 UCE 有關(guān),兩條曲線(xiàn)表示在不同 UCE取值下的輸入特性曲線(xiàn)。在此區(qū)域里,三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于反向偏置狀態(tài),三極管失去放大作用,集電極只有微小的穿透電流 ICEO。 放大區(qū),在截止區(qū)以上,飽和區(qū)與擊穿區(qū)之間的區(qū)域?yàn)榉糯髤^(qū)。此外,也可以利用普通萬(wàn)用表判定三極管的管腳。 (2) 焊接時(shí),應(yīng)使用低熔點(diǎn)焊錫。在電路通電的情況下,不得斷開(kāi)基極引線(xiàn),以免損壞管子。三極管在工作時(shí)兩種不同極性的載流子均參與導(dǎo)電過(guò)程,所以又稱(chēng)為 “ 雙極型晶體管 ” 。不論哪種結(jié)構(gòu),場(chǎng)效應(yīng)管的基本工作原理都是通過(guò)改變柵極與源極間的電壓,進(jìn)而使漏極和源極之間的導(dǎo)電溝道寬度發(fā)生改變,從而使漏極電流隨著柵極電壓的變化而變化,最終實(shí)現(xiàn)電壓對(duì)電流的控制和放大作用。增強(qiáng)型在柵壓為零時(shí)不存在導(dǎo)電溝道,漏 源之間不能流過(guò)電流,只有當(dāng)柵 源電壓大于(或小于)某個(gè)特定值時(shí),導(dǎo)電溝道才會(huì)形成。 MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與源極絕緣 , 不存在柵極電流 , 其輸入電阻非常高 , 這是 MOS場(chǎng)效應(yīng)管的重要特性之一 。 3) 跨導(dǎo) g M 漏源電壓一定時(shí),漏源電流變化量和相應(yīng)柵壓變化量的比值叫跨導(dǎo)。這一特點(diǎn)是
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