【正文】 型號(hào)中的不同規(guī)格 ? 用數(shù)字表示同種器件型號(hào)的序號(hào) ? 用字母表示器件的種類 ? 用字母表示材料 ? 三極管 ? 第二位： A表示鍺 PNP管 、 B表示鍺 NPN管 、 C表示硅 PNP管 、 D表示硅 NPN管 ? 第三位： X表示低頻小功率管、 D表示低頻大功率管、 G表示高頻小功率管、 A表示高頻小功率管、 K表示開關(guān)管 。 飽和狀態(tài)：反射結(jié) 正 偏，集電結(jié) 正 偏。 6V A 12V 5V B 6V 0V C 167。 雙級(jí)型晶體三極管 臨界飽和點(diǎn) ????? BECBC E S UUU?CCCCCESCCCS RURUUI ????用電流 判斷飽和 BSCSC III b??（ 一定） BICCCCCESCCBSB RURUUIIbb ???? （ 一定） CI(198) 例 3： b = 50， USC =12V， RB = 70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 2V， 2V， 5V時(shí) ， 晶體管的直流 (靜態(tài) )工作 點(diǎn) Q位于哪個(gè)區(qū) ？ 當(dāng) USB = 2V 時(shí) ： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB= 0 ， IC = 0 Q位于截止區(qū) 解： 167。 70?????BBESBB RUUIBCSCBS IRUI ????? 12b例 3： b = 50， USC =12V， RB =70k?， RC = 6k? , 當(dāng) USB = 2V， 2V， 5V, … 167。 雙級(jí)型晶體三極管 (1103) 溫度對(duì)輸入特性的影響 （ ， ） BI BEUBIBEU與 PN結(jié)同理 ?TCI３、 溫度對(duì)輸出特性的影響 輸出特性曲線上升 BEuBiO T2 T1 uCE iC T1 iB = 0 T2 iB = 0 O 167。 三極管的微變等效電路 rbe bib ib rce rbe bib ib b c e c b e b e c 167。ebr39。39。39。 集成電路 : 優(yōu)點(diǎn) : 工作穩(wěn)定、使用方便、體積小、重量輕、功耗小。高阻值電阻用三極管有源元件代替或外接。 集成電路 (1110) 集成運(yùn)算放大器 (1) 差分輸入級(jí)（組合電路） (2) 中間級(jí)（提供高增益，差分、 CE） (3) 輸出級(jí)（互補(bǔ)輸出） (4) 附加電路 (直流偏置、相位補(bǔ)償、調(diào)零電路等） 差分 輸入級(jí) 電壓放大級(jí) 輸出級(jí) 偏置電路 + vid vo 一、組成 框圖 167。 集成電路 (1114) UEE +UCC u＋ uo u－ 反相端 同相端 T3 T4 T5 T1 T2 IS 要求： 輸入級(jí) 盡量減小零點(diǎn)漂移 ,盡量提高 KCMRR , 輸入阻抗 ri盡可能大。 167。 集成電路 (1120) 集成 運(yùn) 放的符號(hào) － ＋ ＋ u－ u+ uo ? Ao ＋： 同相輸入端 －： 反相輸入端 ＋ － u－ u+ uo Ao Aod : 開環(huán) 差模 增益 Aod 0 Aod(u+ u ) Aod(u u+ ) uo 167。 _ + ? + A0 167。分析多個(gè)運(yùn)放級(jí)聯(lián)組合的線性電路時(shí)可以分別對(duì)每個(gè)運(yùn)放進(jìn)行。 集成電路 (1126) 0?? ?? uui1= i2 21 RuRu oi??121 RRuuA ou ???uo _ + ? + ? R2 R1 RP ui i1 i2 1） 放大倍數(shù) 虛短路 虛開路 例 反相比例運(yùn)算電路 電路結(jié)構(gòu) 虛地 Uo ？ 21 RR ? 167。 虛開路 167。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1132) 引 言 場(chǎng)效應(yīng)管 FET (Field Effect Transistor) 類型： 結(jié)型 JFET (Junction Field Effect Transistor) 絕緣柵型 IGFET(Insulated Gate FET) 1. 4場(chǎng)效應(yīng)管（ 2） 167。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1137) P N N G(柵極 ) S源極 D漏極 P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 D G S D G S 167。 DS間相當(dāng)于線性電阻。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1141) P G S D UDS UGS UGS一定，且 UDS0、UGDVGS(off)時(shí)，耗盡區(qū)的形狀。 ID 167。 顯然，可以通過改變 來控制 的大小。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1145) 所以 場(chǎng)效應(yīng)管為電壓控制器件，用 來描述動(dòng)態(tài)的 對(duì) 的控制作用，稱為 低頻跨導(dǎo) 。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1148) N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線 轉(zhuǎn)移特性和輸出特性 UGS(off) 當(dāng) UGS(off) ? uGS ? 0 時(shí) , 2G S ( o ff )GSD S SD )1( UuIi ??uGS iD IDSS uDS iD uGS = – 3 V – 2 V – 1 V 0 V – 3 V O O 1. （ 4） 167。 2. 在高溫下， PN結(jié)的反向電流增大，柵源極間的電阻會(huì)顯著下降。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1152) N P P G S D G S D P 溝道增強(qiáng)型 167。 感應(yīng)出電子 )(thGSU 稱為閾值電壓 )(thGSU)(thGSU167。 當(dāng) UDS較大時(shí)，靠近 D區(qū)的導(dǎo)電溝道變窄。 )(thGSU167。 轉(zhuǎn)移特性曲線 167。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1165) 場(chǎng)效應(yīng)管的微變等效電路 G S D GSuDiDSu),( DSGSD uufi ?DSDSDGSGSDD uuiuuii ???????????DSDSGSm urug ?????? 1GSDm uig??? 跨導(dǎo) 。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1167) 場(chǎng)效應(yīng)管 1. 分類 按導(dǎo)電溝道分 N 溝道 P 溝道 按結(jié)構(gòu)分 絕緣柵型 (MOS) 結(jié)型 按特性分 增強(qiáng)型 耗盡型 uGS = 0 時(shí) ， iD = 0 uGS = 0 時(shí) ， iD ? 0 增強(qiáng)型 耗盡型 (耗盡型 ) 第一章 小結(jié) 。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1166) g s d gsudidsuS G D rDS gsu gsmug dsu很大，可忽略。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1163) 2)()1( ??thGSGSDOD UuIi電流方程 ： 167。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1160) 輸出特性曲線 ID U DS 0 UGS0 167。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1158) P N N G S D UDS UGS 夾斷后，即使 UDS 繼續(xù)增加， ID仍呈恒流特性 。 P N N G S D UDS UGS 167。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1154) 二、 MOS管的工作原理 以 N 溝道增強(qiáng)型為例 P N N G S D UDS UGS UGS=0時(shí) DS 間相當(dāng)于兩個(gè)反接的PN結(jié) ID=0 對(duì)應(yīng)截止區(qū) 167。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1150) 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 : 一、 結(jié)構(gòu)和電路符號(hào) P N N G S D P型基底 兩個(gè) N區(qū) SiO2絕緣層 導(dǎo)電溝道 金屬鋁 G S D N溝道增強(qiáng)型 167。 3. 柵源極間的 PN結(jié)加正向電壓時(shí)，將出現(xiàn)較大的柵極電流。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1146) 予夾斷曲線 ID U DS 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 可變電阻區(qū) 夾斷區(qū) 恒流區(qū) 輸出特性曲線 0 167。 DiDiGSuGSuDiUDS再 增大，則被夾斷區(qū)向下延伸。 DSGSGDGDGSDSDGGSDGDSUUUUUUUUUU??????????DSU的予夾斷電壓公式： 167。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1142) P G S D UDS UGS UGS一定 ,且 UDS的值慢慢增大時(shí) ,UGDUGS(off)時(shí)耗盡區(qū)的形狀。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1140) P G S D UDS UGS N N UDS=0時(shí) UGS達(dá)到一定值時(shí)（ 夾斷電壓 VGS(off)),耗盡區(qū)碰到一起 ,DS間被夾斷 ,顯然 ,UGS能控制溝道。 1） UGS 對(duì)溝道的控制作用 167。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1135) N 基底 ： N型半導(dǎo)體 P P 兩邊是 P區(qū) G(柵極 ) S源極 D漏極 一、 結(jié)構(gòu) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 : 導(dǎo)電溝道 167。 集成電路 (1129) 集成穩(wěn)壓器 放在第 7章講解 (1130) 作業(yè) : 第二章作業(yè)下星期的此段上課時(shí)間交！ (1131) 引 言 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) MOS 場(chǎng)效應(yīng)管 1. 4場(chǎng)效應(yīng)管（ 1） 167。輸入電阻高。 集成電路 (1125) 分析運(yùn)放組成的線性電路的出發(fā)點(diǎn) ?虛短路 ?虛開路 ?放大倍數(shù)與負(fù)載無關(guān) ， 可以分開分析 。 集成電路 (1124) 由于運(yùn)放的開環(huán)放大倍數(shù)很大，輸入電阻高，輸出電阻小，在分析時(shí)常將其理想化，稱其所謂的 理想運(yùn)放 。 線性放大區(qū) 運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí)的特點(diǎn) 非線性放大區(qū)、正飽和區(qū) 非線性放大區(qū) 、開環(huán)區(qū) 167。 集成電路 (1118) 第一部分 第二部分 第三 部分 第四部分 第五部分 字 母 符號(hào)國(guó)標(biāo) 字 母 器件類型 數(shù)字 品種 字 母 工作條件 字 母 封 裝 符 號(hào) 意 義 符 號(hào) 意 義 符 號(hào) 意 義 符 號(hào) 意 義 C 中國(guó) 制造 T H E C F D W J B TTL HTL ECL CMOS 線性放大 音響電視 穩(wěn)壓器 接口電路 非線性 C E R M 0 ~ 70?C ?40 ~ 85?C ?55 ~ 85?C ?55 ~125?C W B F D P J K T 陶瓷扁平 塑料扁平 全封閉扁平 陶瓷直插 塑料直插 黑陶瓷直插 金屬菱形 金屬圓形 國(guó)標(biāo) GB343082 對(duì)集成電路的規(guī)定 167