【正文】 面積較大作用是收集載流子。 雙級(jí)型晶體三極管 E C B ui uo 共集電極 ui uo C E B 共基極 E C B ui uo 共發(fā)射極 (175) BJT的特性曲線 (1) 輸入特性 輸入 回路 輸出 回路 常數(shù)??CE)( BEB uufi0CE ?u若：與二極管特性相似 167。 ___???BCIIb ???????BCIIb在以后的計(jì)算中，一般作近似處理 ： b = b167。 雙級(jí)型晶體三極管 (189) IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作區(qū) 167。 雙級(jí)型晶體三極管 電路實(shí)際基極電流： (1100) USB =5V時(shí) : IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE Q 位于飽和區(qū)，此時(shí) IC 和 IB 已不是 b 倍的關(guān)系 。39。 集成電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)的特點(diǎn) 167。 集成電路 (1122) 運(yùn)放的電壓傳輸特性 ui uo ui uo +UOM UOM ? Ao越大，運(yùn)放的線性范圍越小，必須加負(fù)反饋才能使其工作于線性區(qū)。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 167。 N N 溝道中仍是電阻特性，但是是非線性電阻。 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管可以很好地解決這些問題。 ID UDS增加 ， UGD= 時(shí)，靠近 D端的溝道被夾斷，稱為予夾斷。 167。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1157) P N N G S D UDS UGS 當(dāng) UDS不太大時(shí)，導(dǎo)電溝道在兩個(gè) N區(qū)間是均勻的 。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 三、特性曲線 (1147) UGS 0 ID IDSS Voff 飽和漏極電流 夾斷電壓 轉(zhuǎn)移特性曲線 一定 UDS下的 IDUGS曲線 167。ID=? ID 0 167。 1211RRuuA ou ???虛短路 虛開路 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)： 負(fù)反饋引到反相輸入端，信號(hào)從同相端輸入。 集成電路 (1119) ri 高 :幾十 k ? 幾百 k? 運(yùn)放的特點(diǎn)： KCMRR很大 ro ?。?幾十 ~ 幾百 ? A o 很 大 :104以上 ~ 107 理想運(yùn)放： ri ? ? KCMMRR ? ? ro ? 0 Ao ? ? 運(yùn)放符號(hào)： ＋ － u－ u+ uo 四、 運(yùn)放的特點(diǎn)和符號(hào) － ＋ ＋ u－ u+ uo ? A0 167。 電阻元件由硅半導(dǎo)體構(gòu)成，范圍在幾十到 20千歐，精度低。39。 雙級(jí)型晶體三極管 (197) 判斷三極管工作狀態(tài)的方法 ： IC(mA ) 1 2 3 UCE(V) 3 6 9 12 167。手冊(cè)上給出的數(shù)值是 25?C、 基極開路時(shí)的擊穿電壓U(BR)CEO。 即： IC=bIB , 且 ?IC = b ? IB (2) 飽和區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。 IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 共發(fā)射極 167。 I V 照度增加 第二章 半導(dǎo)體器件 符號(hào) 工作條件： 反向偏置 實(shí)物照片 (163) 發(fā)光二極管 第二章 半導(dǎo)體器件 LED (Light Emitting Diode) 工作條件： 正向偏置 一般工作 電流幾十 mA， 導(dǎo)通電壓 (1 ? 2) V 符號(hào) u /V i /mA O 2 特性 (164) 167。 0 V 輸入電壓 理想二極管 輸出 電壓 UA UB D1 D2 0 V 0 V 正偏 導(dǎo)通 正偏 導(dǎo)通 0 V 0 V 5 V 正偏 導(dǎo)通 反偏 截止 0 V 5 V 0 V 反偏 截止 正偏 導(dǎo)通 0 V 5 V 5 V 正偏 導(dǎo)通 正偏 導(dǎo)通 5 V 真值表 A B Y 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 第二章 半導(dǎo)體器件 (150) 例 4： 畫出硅二極管構(gòu)成的橋式整流電路在 ui = 15sin?t (V) 作用下輸出 uO 的波形。 — PN 結(jié)燒毀。 所以， PN結(jié)具有單向?qū)c(diǎn)特性 第二章 半導(dǎo)體器件 (127) 式中： Is為反向飽和電流； UT 為溫度電壓當(dāng)量 ， 當(dāng) T＝ 300K時(shí) （ 絕對(duì)溫度 ） ,UT≈26mV（ 記住 ） PN結(jié)的伏安特性 U I PN結(jié)伏安特性方程： ?????? ?? 1TUuS eIi第二章 半導(dǎo)體器件 TUuS eIi ?0??? SIi加正向電壓 u＞ 0,且 u UT時(shí) ， 伏安特性呈非線性指數(shù)規(guī)律 ； 加反向電壓 u＜ 0,且 ︱ u︱ UT時(shí) ， 電流基本與 u無關(guān)； 由此亦可說明 PN結(jié)具有單向?qū)щ娦阅?。 漂移運(yùn)動(dòng) P型半導(dǎo)體 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 內(nèi)電場(chǎng) E PN結(jié)處載流子的運(yùn)動(dòng) 內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)，就使漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄 。 空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流。 一、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 第二章 半導(dǎo)體器件 (15) 完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體，稱為 本征半導(dǎo)體 。(11) 第二章 半導(dǎo)體器件 167。 在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原子都處在正四面體的中心，而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個(gè)原子與其相臨的原子之間形成共價(jià)鍵 ，共用一對(duì)價(jià)電子。 溫度 第二章 半導(dǎo)體器件 (112) 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。 第二章 半導(dǎo)體器件 (120) 漂移運(yùn)動(dòng) P型半導(dǎo)體 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 內(nèi)電場(chǎng) E PN結(jié)處載流子的運(yùn)動(dòng) 所以擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。 qkTUT ? 電子電量 玻爾茲曼常數(shù) (128) 當(dāng) PN結(jié)的反向電壓增大到一定值時(shí)，反向電流隨電壓數(shù)值的增加而急劇增大，稱為反向擊穿。 (擊穿電壓 6 V，正 溫度系數(shù) ) 擊穿電壓在 6 V 左右時(shí)，溫度系數(shù)趨近零。 按理想模型有： O t ui / V 15 RL D1 D2 D3 D4 ui B A uO O t uO/ V 15 第二章 半導(dǎo)體器件 解 ： 正半周 負(fù)半周 (151) 例 5： 畫出 uo的波形 R RL ui uR uo t t t ui uR uo 第二章 半導(dǎo)體器件 (152) RL ui uo ui uo t t 例 6： 二極管半波整流。 雙級(jí)型晶體三極管 BJT的結(jié)構(gòu)及類型 BJT的電流放大作用 BJT的特性曲線 BJT的主要參數(shù) 溫度對(duì) BJT的特性及參數(shù)的影響 (Semiconductor Transistor) BJT的電路模型 167。 雙級(jí)型晶體三極管 IB=IBEICBO?IBE IB (173) IB=IBEICBO?IBE IB B E C N N P EB RB Ec IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE ＝ IC＋ IB 共發(fā)射極 167。 即： UCE?UBE ， bIBIC， (3) 截止區(qū)： UBE 死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO ?0 臨界飽和時(shí)： uCES = uBE 深度飽和時(shí)： V (硅管 ) UCE(SAT)= V (鍺管 ) 167。 167。 雙級(jí)型晶體三極管 臨界飽和點(diǎn) ????? BECBC E S UUU?CCCCCESCCCS RURUUI ????用電流 判斷飽和 BSCSC III b??（ 一定） BICCCCCESCCBSB RURUUIIbb ???? （ 一定） CI(198) 例 3： b = 50， USC =12V， RB = 70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 2V， 2V， 5V時(shí) ， 晶體管的直流 (靜態(tài) )工作 點(diǎn) Q位于哪個(gè)區(qū) ？ 當(dāng) USB = 2V 時(shí) ： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB= 0 ， IC = 0 Q位于截止區(qū) 解： 167。ebr39。高阻值電阻用三極管有源元件代替或外接。 集成電路 (1120) 集成 運(yùn) 放的符號(hào) － ＋ ＋ u－ u+ uo ? Ao ＋： 同相輸入端 －： 反相輸入端 ＋ － u－ u+ uo Ao Aod : 開環(huán) 差模 增益 Aod 0 Aod(u+ u ) Aod(u u+ ) uo 167。 虛開路 167。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1141) P G S D UDS UGS UGS一定，且 UDS0、UGDVGS(off)時(shí)，耗盡區(qū)的形狀。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1148) N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線 轉(zhuǎn)移特性和輸出特性 UGS(off) 當(dāng) UGS(off) ? uGS ? 0 時(shí) , 2G S ( o ff )GSD S SD )1( UuIi ??uGS iD IDSS uDS iD uGS = – 3 V – 2 V – 1 V 0 V – 3 V O O 1. （ 4） 167。 當(dāng) UDS較大時(shí)，靠近 D區(qū)的導(dǎo)電溝道變窄。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1167) 場(chǎng)效應(yīng)管 1. 分類 按導(dǎo)電溝道分 N 溝道 P 溝道 按結(jié)構(gòu)分 絕緣柵型 (MOS) 結(jié)型 按特性分 增強(qiáng)型 耗盡型 uGS = 0 時(shí) ， iD = 0 uGS = 0 時(shí) ， iD ? 0 增強(qiáng)型 耗盡型 (耗盡型 ) 第一章 小結(jié) 。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (1158) P N N G S D UDS UGS 夾斷后，即使 UDS 繼續(xù)增加， ID仍呈恒流特性 。 3. 柵源極間的 PN結(jié)加正向電壓時(shí)，將出現(xiàn)較大的柵極電