dsp 課件 第二章 tms320lf240 x硬件結(jié)構(gòu)(文件)
【正文】 40x以改進的哈佛結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，存儲空間為 3組 16位的并行總線訪問：程序地址總線（ PAB）、數(shù)據(jù)讀地址總線（ DRAB）、數(shù)據(jù)寫地址總線（ DWAB）。 在流水線操作中， CPU在第 3個周期讀數(shù)據(jù)，第四個周期寫數(shù)據(jù)。 ? 片內(nèi)單訪問存儲器（ SARAM） SARAM的地址可以用于數(shù)據(jù)存儲器和程序存儲器。 ? 閃速存儲器（ Flash） 是電可擦除的、可編程的、可長期保存數(shù)據(jù)的存儲器。 影響程序存儲器配置的兩個因素 ? CNF位。 在復(fù)位狀態(tài)下， B0映射到數(shù)據(jù)空間。 =1，配置為微處理器方式，從外部程序存儲器讀取復(fù)位向量（起始程序） 。 B B2只能用于數(shù)據(jù)存儲器。因此，采用直接尋址方式時，用戶必須先由軟件設(shè)置 DP值，指定待訪問的數(shù)據(jù)頁，并在直接尋址指令中指定 7位偏移量。 I/O存儲器 ? I/O存儲器空間為 64K字（ 0000h～ FFFFh） 。 IS。 ? 訪問 I/O空間的存儲器或片外 I/O端口只能用輸入指令 IN和輸出指令 OUT。DSP可以以零等待狀態(tài)訪問這兩個寄存器。使用直接尋址時，將數(shù)據(jù)存儲器按 128字分塊，每一塊稱為一個數(shù)據(jù)頁， 64K字的數(shù)據(jù)存儲器可分為 512頁，標(biāo)號從 0到 511。 每個器件有 3個 DARAM塊： B0、 B1和 B2。決定指令從片內(nèi)存儲器還是從外部存儲器讀入。 CNF=0： B0為片外程序空間。地址空間為 64K字，包括片內(nèi) DARAM和片內(nèi) ROM/Flash。 SARAM在一個機器周期內(nèi)只能訪問一次。例如，設(shè)有兩個指令 A和 B，將累加器的值寫入 DARAM，又從 DARAM將一個新值裝入累加器。由片內(nèi)B0（ 256字）、 B1 （ 256字）和 B2 （ 32字）三個模塊組成。 ? 64K字的 I/O空間：用于與外部的設(shè)備接口和片內(nèi)外設(shè)寄存器。 PM=00：乘法器的 32位乘積不經(jīng)移位送至 CALU或數(shù)據(jù)存儲器； PM=01：乘位寄存器左移 1位，最低有效位填 0； PM=10：乘位寄存器左移 4位，最低有效位填 0； PM=11：乘位寄存器右移 6位，且進行符號擴展。累加器的值循環(huán)移動：左移時，最高位進入 C；右移時，最低位進入 C。LST指令可改變 TC值。 數(shù)據(jù)存儲器地址 來自 DP 來自指令字的低 7位 D15~D7 D6~D0 狀態(tài)寄存器 ST1 ? ARB：輔助寄存器指針緩沖器 當(dāng) ARP被加載到 ST0時，除了使用 LST指令外，原來的 ARP值被復(fù)制到 ARB中。 ? INTM：中斷模式位 用來允許（ INTM=0）或禁止（ INTM=1）所有的可屏蔽中斷。若為負溢出，累加器被填充以最大負數(shù) 8000 0000h。 ? OV：溢出標(biāo)志位 用于表示 CALU是否有溢出發(fā)生。 ? 可對 寄存器 ST0和 ST1讀和寫操作
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