【正文】 形和雙基極雙集電極結(jié)構(gòu)的 NPN晶體管的平面圖（版圖）和剖面圖，并說(shuō)明埋層的作用。 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 30 橫向 PNP管的電學(xué)特性 E C B β 低，改善措施： ① 降低 ?e/?b ② 降低 AEV/AEL ③ 設(shè) n+埋層 ④ 改善表面態(tài) ⑤ 減小 WbL， 加大 Wbv *β 大電流特性差 ，由 ce穿通電壓決定，突變結(jié)近似： VPT=qNBWbL2/2?o?si 3. 特征頻率低 (受 WbL和寄生 PNP影響 ) 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 31 橫向 PNP管常用圖形 橫向 PNP管 結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，面積小 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 32 橫向 PNP管常用圖形 橫向 PNP管 常用在比例電流源電路中 C1 C2 C3 C1 C2 B B E E 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 33 橫向 PNP管常用圖形 橫向 PNP管 多集電極結(jié)構(gòu)的應(yīng)用 B E C C B E (Co) IBO IB ICO IC IC IB β = = IC IBO+ICO ≈ IC ICO = AC ACO 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 34 橫向 PNP管常用圖形 橫向 PNP管 基極等電位的橫向 PNP管共用一個(gè)隔離區(qū) 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 35 橫向 PNP管常用圖形 橫向 PNP管 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 36 習(xí)題 PNP晶體管的平面圖（版圖）和剖面圖，并說(shuō)明埋層的作用。 26肖特基二極管及肖特基晶體管 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 54 思考題 ？ ？ 意什么？ 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 55 肖特基二極管（ SDB） 特點(diǎn)： 應(yīng)減小串聯(lián)電阻 多子器件 應(yīng)減小邊緣電場(chǎng) （ P型環(huán)、覆蓋電極） PSub N–epi P+ P+ N+ A B A B p p 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 56 肖特基晶體管抗飽和原理 1. npn管正向有源或截止時(shí)， SBD截止 IB IC ISBD Ib Ic PSub N–epi P+ P+ P N+ N+ E B C 2. npn管反向有源或飽和時(shí)， SBD導(dǎo)通，對(duì)IB分流， VBC被箝位 β IB S = IC β (IBISBD） S’= IC +ISBD β Ib Ic = 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 57 肖特基晶體管常用圖形示意 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 58 167。 VDD GND Vo Vi RS Vi PSub N阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW n+ p+ n+ N阱 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 66 寄生可控硅 —閂 鎖效應(yīng) 2. 消除閂鎖效應(yīng)措施 —工藝、測(cè)試、應(yīng)用 （ 1） 增加阱的結(jié)深 （ 2） 采用外延襯底 （ 3） 采用外延襯底時(shí)，同時(shí)可采用埋層方法，增加阱的結(jié)深，型層減速場(chǎng)。 28 電容器 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 69 思考題 ？各自的特點(diǎn)是什么？ ？ ？ 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 70 PN結(jié)電容 N–epi P+ P+ P N+ B A PSub N+ Cj Cjs B A GND Rb Rcs P+ P+ P+ N+ B A PSub N+ Cj1 Cjs B A GND Rb Rcs Cj2 Re 應(yīng)考慮： 電容容量 聯(lián)電阻 及電壓極性 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 71 MOS電容 N–epi P+ P+ N+ PSub B A B A CMOS CJS DSC B A CMOS CD PSub B A n+ 反型層或埋 n+ NMOS,PMOS CMOS= ?sio2 ?o tox A 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 72 167。 MOS管影響的措施。 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理