液晶材料與技術(shù)(12)——lcd工藝技術(shù)討論—陣列(文件)
【正文】 短路。 液晶材料與技術(shù) 62 ? 干刻的方式有 ? 等離子刻蝕 (plasma etching， PE)， ? 反應(yīng)性離子刻蝕 (reactive ion etching， RIE) ? 傳導(dǎo)耦合等離子刻蝕 (inductive couple plasma etching， ICP）等 液晶材料與技術(shù) 63 TFTLCD設(shè)計及制作 ? 等離子刻蝕是利用高能量惰性氣體離子轟擊被刻蝕物體的表面，達(dá)到濺射刻蝕的作用。 ? 傳導(dǎo)耦合性等離子體刻蝕 的優(yōu)勢在于 刻蝕速率高、良好的物理形貌和通過 對反應(yīng)氣體的選擇，達(dá)到針對光刻股和襯底的高選擇比。 ? 這種 化學(xué)和物理反應(yīng)的相互促進(jìn) ，使得反應(yīng)離子刻蝕具有上述兩種干法刻蝕所沒有的優(yōu)越性 :良好的形貌控制能力 (各向異性 )、 較高的選擇比、可以接受的刻蝕速率。 ? （ 3）達(dá)到高真空后，通入刻蝕氣體。 ? (3)形成的化學(xué)生成物必須能夠從材料表面被釋出。 ? 光刻膠 的刻蝕 （和硅島刻蝕） 采用的氣體是 氧氣和氨氣。 ? 為了增加刻蝕速率也可以 通入氬氣 (Ar) ，因為氬原子的質(zhì)量較大，當(dāng)獲得能量時就會有較大的沖量產(chǎn)生，進(jìn)而將材料表面的原子鍵打斷，因此增強(qiáng)了物理轟擊的作用。 ? (3)刻蝕物質(zhì)吸附在基板表面上。 液晶材料與技術(shù) 71 ? 整個過程中有諸多的參數(shù)影響刻蝕工藝，其中最重要的是 :壓力、氣體比率、氣體流速、射頻功率 。 液晶材料與技術(shù) 73 ? 不同的干刻對象需要采用不同的干刻設(shè)備和干刻材料。 ? 光刻膠剝離對三極管特性、像素特性以及成品率等都有很大影響。 ? 像素電極光刻膠剝離以后 TFT的制作工藝進(jìn)入最后一個環(huán)節(jié)就是退火處理。 ? 各處理槽之間的氣壓關(guān)系為 : ? 剝離槽 1和剝離槽 2的氣壓基本相等，在整個裝置中這個位置的氣壓最低， DMSO槽 DMSO槽 2和水洗槽 1， 水洗槽 2的氣壓相同，比剝離槽高，比凈化間氣壓低。 ? 請大家回憶一下都有哪些內(nèi)容。 液晶材料與技術(shù) 83 退火 退火 是將 TFT基板加熱到大約 300 ℃ ，此工藝可以 使TFT特性穩(wěn)定，同時，可以提高金屬和ITO薄膜的電導(dǎo)率 。 ? 另外一個 防止金屬電極被腐蝕 。 ? 濕法剝離 ：是用有機(jī)溶劑或堿性水溶液與光刻膠聚合物發(fā)生絡(luò)合反應(yīng)使之溶解去除； ? 干法灰化 分為 等離子體灰化和臭氧灰化 ，等離子體灰化是利用氧的活性基等，是高分子光刻膠聚合物發(fā)生氧化分解，變成低的相對分子質(zhì)量的易揮發(fā)物而被去除，臭氧灰化是利用臭氧的灰化過程。以光刻膠作為掩膜，通過濕法刻蝕或者干法刻蝕，在膜層上得到所需要的圖案。 液晶材料與技術(shù) 72 干刻設(shè)備 ? 干法刻蝕系統(tǒng)主要由主控制臺，工藝室，電源，工作氣體供應(yīng)系統(tǒng)，環(huán)保廢氣處置系統(tǒng)，真空系統(tǒng)等組成。 ? (5 )刻性反應(yīng)副產(chǎn)物在離子轟擊下脫離基板表面。射頻電源施加在一個充滿刻蝕氣體的反應(yīng)腔上，通過等離子體輝光放電產(chǎn)生電子、離子、活性反應(yīng)基團(tuán)。 ? 在 接觸孔 刻蝕中，不同部位的刻蝕量差異大，需要采用刻蝕速率快的 傳導(dǎo)藕合等離子體刻蝕 方式，采用 六氟化碳、氦氣和氧氣 (灰化用 )作為工藝氣體。 液晶材料與技術(shù) 67 ? 刻蝕氣體的選擇 ? 干刻工藝針對不同的膜，選擇的刻蝕氣體是不同的。 液晶材料與技術(shù) 66 ? 對于活性離子刻蝕中所使用的氣體有幾點要求： ? (1)氣體必須能被刻蝕材料表面所吸附，以形成化學(xué)鍵。 液晶材料與技術(shù) 65 ? 基本步驟： ? （ 1）將待刻蝕材料置于真空腔的電極板正中央，經(jīng)由機(jī)械泵粗抽真空室到 1020mtorr的真空度。 64 ? 反應(yīng)離子刻蝕 是上述兩種刻蝕方法相結(jié)合的產(chǎn)物，它是利用有 化學(xué)反應(yīng)性氣體 產(chǎn)生具有化學(xué)活性的基團(tuán)和離子。這是一種“ 通用 ”的刻蝕方式，可以在任何材料上形成圖形。 液晶材料與技術(shù) 61 干法刻蝕 ? 利用等離子體或微波等使反應(yīng)氣體激發(fā)分解，生成離子及活性基，利用這些離子及活性基照射玻璃基板并與被刻蝕層發(fā)生反應(yīng)，實現(xiàn)刻蝕，完成圖形化的過程。 ? 另外，漏源電極被刻蝕的量太大，使得圖形的最小線寬變大，限制了設(shè)計的自由度，因此漏極電極被刻蝕的量應(yīng)該控制在一定的范圍內(nèi)。 液晶材料與技術(shù) 57 ? 溝道寬長比與開口率有關(guān)，與 TFT的工作電流有關(guān)。 圖 (c)所示柵極線刻蝕量太小，源極與柵極重復(fù)太多，極聞電容過大。若一旦出現(xiàn)逆梯形， 則在后面成膜時在梯形處容易發(fā)生斷裂其中最可能發(fā)生的是 D斷線。 液晶材料與技術(shù) 51 高速刻蝕對線寬的控制性較好， 低速刻蝕對形狀的控制性較好。否則，氣泡被吸附在膜層上，具有與 Mask相似的功能，從而容易導(dǎo)致刻蝕殘余發(fā)生 。這一階段指的是在對象物質(zhì)表面，藥液與刻蝕對象之間的化學(xué)反應(yīng)階段。 液晶材料與技術(shù) 47 濕刻過程 ? (1)刻蝕液的移送。 液晶材料與技術(shù) 44 刻蝕 ? 針對金屬膜、絕緣膜以及漏極、源極用膜層等，按光刻膠圖形有選擇地去除，以得到所需要的圖形。 ? 這種方式生產(chǎn)效率高，適
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1