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spc技術(shù)在lcd模組制造中的應(yīng)用研究【畢業(yè)論文】(文件)

2024-11-05 19:32 上一頁面

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【正文】 參數(shù)顯著的影響,如粘結(jié)溫度和粘結(jié)壓力。結(jié)果表明:( a)當(dāng)粘結(jié)壓力定于 33 kg f/cm2,粘結(jié)溫度越高,粘結(jié)強(qiáng)度就越大。 本文的目的是通過實(shí)施 SPC,提高 TAB 技術(shù)的粘接強(qiáng)度。 質(zhì)量特 性 的測(cè)定 從客戶的投訴和產(chǎn)品不良報(bào)告中收集到數(shù)據(jù)后,建立產(chǎn)品不良項(xiàng)目統(tǒng)計(jì)表格,如表41,并使用帕累托( Pareto)圖對(duì)不良產(chǎn)品進(jìn)行分析。因此,粘結(jié)強(qiáng)度被選為SPC 技術(shù)在 LCD 模組制造中的應(yīng)用 21 最能反映產(chǎn)品質(zhì)量水平的質(zhì)量特性。 表 43 TAB 質(zhì)量控制工程清單 過程能力是指過程的加工質(zhì)量滿足技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的能力,它是衡量過程加工內(nèi)在一致性的。通過每次采樣 5個(gè)數(shù)據(jù),每天采樣四次的隨機(jī)抽樣方法采集到一組統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。由于子樣本大小為 5,查詢相關(guān)的控制圖系數(shù)表得到: A2=, D3=0, D4=,詳見附錄。 =, Cpl=( - 400)247。在圖 45中,我們發(fā)現(xiàn)在 X 控制圖的第一階段,第 6,第 7,第 24,和第 30點(diǎn)處于低于 LCL 的位置;從第 14點(diǎn)至第 20點(diǎn),連續(xù) 7個(gè)點(diǎn)都位于 CL 和 LCL 之間,這些點(diǎn)都屬于異常點(diǎn)。通過對(duì)這些異常點(diǎn)進(jìn)行 分析,查出導(dǎo)致不合格的原因包括:溫度傳感器失靈和壓缸失效。 表 47 第二階段樣本 X 值統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表 樣本數(shù) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 均值 樣本數(shù) 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 均值 樣本數(shù) 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 均值 異常情況 導(dǎo)致原因 改進(jìn)措施 圖 35中第 6點(diǎn)低于 LCL 溫度傳感器失靈 修復(fù)溫度傳感器 圖 35中第 7點(diǎn)低于 LCL 壓缸失效 修復(fù)壓缸 圖 35中從第 14點(diǎn)至第 20點(diǎn),連續(xù) 7個(gè)點(diǎn)都位于 CL 和 LCL 之間 平整的熱頭被扭曲 調(diào)整平面熱頭 圖 35中第 24點(diǎn)低于 LCL 粘結(jié)溫度傳感器失效 更換新的溫度傳感器 圖 35中第 30點(diǎn)低于 LCL 粘結(jié)壓力不足 調(diào)整壓缸 圖 36中第 4點(diǎn)位于 UCL 以上 壓缸失效 修復(fù)壓缸 圖 36中第 19點(diǎn)位于 UCL 以上 粘結(jié)溫度不適合 調(diào)整溫度傳感器 圖 36中第 28點(diǎn)位于 UCL 以上 粘結(jié)壓力不足 調(diào)整壓缸 SPC 技術(shù)在 LCD 模組制造中的應(yīng)用 27 樣本數(shù) 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 均值 表 48 第二階段樣本 R 值統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表 樣本數(shù) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 R 值 185 166 166 377 175 348 178 185 183 179 樣本數(shù) 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 R 值 181 186 177 350 181 358 167 181 175 190 樣本數(shù) 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 R 值 157 189 168 175 178 217 186 179 171 185 樣本數(shù) 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 R 值 180 174 185 180 171 184 172 186 147 178 粘結(jié)強(qiáng)度第二階段的 X 控制圖: 22????????RAXL C LXCLRAXU C L ( 48) 粘結(jié)強(qiáng)度第二階段的 R控制圖: 034??????RDL C LRCLRDU C L ( 49) 圖 47 粘結(jié)強(qiáng)度第二階段的 X 控制圖 UCL= CL= LCL= 陜西科技大學(xué)畢業(yè)論文(設(shè)計(jì)說明書) 28 圖 48 粘結(jié)強(qiáng)度第二階段的 R 控制圖 在第二階段, X 值從 ,并且 R 值 從 。 } = % 。 10176。如表 49所示。經(jīng)過 10天的采樣,得到 40個(gè)樣本數(shù)據(jù)。 第三階段粘結(jié)溫度的樣本統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)見表 410和表 411,則通過計(jì)算可得:粘結(jié)溫度的 X 控制圖建立如等式( 410),見圖 49;粘結(jié)溫度的 R 控制圖建立如等 式( 411),見圖 410 。( b)粘結(jié)壓力的 X 和 R 控制圖。 溫度測(cè)試儀 UCL= CL= LCL=0 SPC 技術(shù)在 LCD 模組制造中的應(yīng)用 29 粘 結(jié)壓 力 50?10kgf/cm2 壓力測(cè)量計(jì) 雙重控制機(jī)制的實(shí)施及結(jié)果 根據(jù)表 49中新的質(zhì)量控制工程清單所示,粘結(jié)溫度,粘結(jié)壓力,和粘結(jié)強(qiáng)度被同時(shí)監(jiān)測(cè)。( b)粘結(jié)壓力: 50177。由于粘結(jié)強(qiáng)度質(zhì)量被多種工藝參數(shù)影響,如粘結(jié)溫度和粘結(jié)壓力,所以下面的改進(jìn)措施是同時(shí)監(jiān)測(cè)過程輸出( 粘結(jié)強(qiáng)度)和過程輸入(粘結(jié)溫度和粘結(jié)壓力)。 =, Cpl=( – 400)247。 表 46 故障排除記錄 在實(shí)施上述的改進(jìn)措施之后,在接下來的 10天又采集了另外 40個(gè)樣本。通過修復(fù)溫度傳感器,調(diào)整平面熱頭和修復(fù)壓缸,將異常因素排除后,工藝水平有明顯的改善,如表 46所示。 } =Ф( ) =% 。 表 44 第一階段樣本 X 值統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表 樣本數(shù) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 均值 樣本數(shù) 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 均值 陜西科技大學(xué)畢業(yè)論文(設(shè)計(jì)說明書) 24 樣本數(shù) 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 均值 樣本數(shù) 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 均值 表 45 第一階段樣本 R 值統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表 樣本數(shù) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 R 值 241 250 30 501 308 250 108 152 146 288 樣本數(shù) 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 R 值 150 146 243 190 248 226 130 138 682 242 樣本數(shù) 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 R 值 128 322 228 242 387 288 236 1015 38 225 樣本數(shù) 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 R 值 198 299 190 183 258 198 64 102 265 233 粘結(jié) 強(qiáng)度 第一階段 的 X 控制 圖 : 22????????RAXL C LXCLRAXU C L ( 45) 粘結(jié)強(qiáng)度第一階段的 R控制圖: 034??????RDL C LRCLRDU C L ( 46) SPC 技術(shù)在 LCD 模組制造中的應(yīng)用 25 圖 45 粘結(jié)強(qiáng)度第一階段的 X 控制圖 圖 46 粘結(jié)強(qiáng)度第一階段的 R 控制圖 因此,標(biāo)準(zhǔn)差 σ 可以 通過 下列方程 得出: 2dR?? ( 47) 其中, d2是 R 的標(biāo)準(zhǔn)差系數(shù),由于子樣本大小為 5,查詢相關(guān)的控制圖系數(shù)表得到d2=。 X 和 R 控制圖的控制范圍可用下列等式表示 [13]: X 控制圖的控制范圍: RAXLCLXCLRAXUCL22????? ( 43) R 控制圖的控制范圍: RDLCLRCLRDUCL34??? ( 44) 其中, UCL 是控制上限, CL 是中心線, LCL 是控制下限, A2是 X 控制圖的控制范圍系數(shù), R 是所有樣本范圍的平均極差, D3是 R控制圖的控制下限 系數(shù), D4是 R 控制圖的控制上限系數(shù)。過程能力指數(shù)Cpl就是用來評(píng)估過程能力水平的量化指數(shù),其定義式見等式( 41): 控 制 工 程 項(xiàng)目 控 制 標(biāo) 準(zhǔn) 設(shè) 備 儀 器 檢查員 控 制 方 法 抽 樣 頻 率 審計(jì)員 TAB 粘 結(jié) 強(qiáng) 度 ≥ 400g 剝離器 作業(yè)員 X 控制圖和 R 控制圖 每天兩次抽樣,每次 5個(gè) QC 組員 于磊 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 90% 100% 54% 81% 92% 97% 100% SPC 技術(shù)在 LCD 模組制造中的應(yīng)用 23 ?3LSLXplC ?? ( 41) 由于存在很多參數(shù)會(huì)影響粘結(jié)強(qiáng)度的質(zhì)量,根據(jù)中心極限定理,有理由推測(cè)出,粘結(jié)強(qiáng)度服從正態(tài)分布。粘結(jié)強(qiáng)度越大,產(chǎn)品的質(zhì)量越好。隨后,再次采集 TAB 粘合不良的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),建立 TAB粘合不良項(xiàng)目統(tǒng)計(jì)表格,如表 42,并運(yùn)用帕累托圖進(jìn)一步分析了造成 TAB 粘合不良的原因。 SPC 技術(shù)在 TAB 工藝中的應(yīng)用 如今 TAB 技術(shù)已被 LCD 模塊制造商廣泛采用,但其不合格率一直非常高的,達(dá)到 3%4%,因此在 TAB 技術(shù)中,降低不良率是非常重要的。C 時(shí),粘結(jié)壓力越大,粘結(jié)強(qiáng)度就越大。 Yim 和 Paik[11]研究了粘結(jié)溫度和粘結(jié)壓力這兩個(gè)因素對(duì)粘結(jié)強(qiáng)度的影響。結(jié)果表明,金( Au)材料的粘結(jié)強(qiáng)度強(qiáng)于錫(錫)材料。C至 125176。從實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中統(tǒng)計(jì)出斜率,并據(jù)此估計(jì) TAB產(chǎn)品的老化壽命。通過功能測(cè)試檢查完成品,見圖 42的第九步,第十步和第十一步。 ( b) LCD 的對(duì)位 用電荷耦合器件通過先前附著的 ACF,將 TCP IC 的粘結(jié)端與 LCD 玻璃基板的 ITO電極準(zhǔn)確對(duì)齊,見圖 42的第六步。 TAB 技術(shù)的主要工藝總結(jié)如下: ( 1)表面貼裝技術(shù)( SMT)工藝 首先,將錫膏篩選性涂抹到 PCB 上;然后,選取有源和無源器件并將其直接安放到PCB 上;接著,通過傳送帶將 PCB 運(yùn)送到回流焊爐,錫膏熔化,然后凝固;最后,對(duì)焊接完成的 PCB 進(jìn)行外觀檢查和功能測(cè)試。 ( d)單一功能(驅(qū)動(dòng)程序):對(duì)于大尺寸 LCD,銦錫氧化物( ITO)薄膜電極有兩個(gè),即 mon 電極和 segment 電極。 因此 高 品質(zhì) 的 TAB 制造工藝 是非常重要 , 改善 ACF 的粘結(jié)強(qiáng)度也成為了各制造商關(guān)注的一個(gè)重要問題, 這也 是 本文要討論的主要 問題 。如圖 41所示。薄膜晶體管陣列制造過程與半導(dǎo)體制造過程類似,只是薄膜晶體管陣列制造是在玻璃基板上,而不是在硅片上。 SPC 技術(shù)在 LCD 模組制造中的應(yīng)用 17 4 SPC 技術(shù)在 TAB 工藝中的應(yīng)用研究及結(jié)果 如今,信息電子產(chǎn)品的顯示設(shè)備,如個(gè)人數(shù)字助理,電子書,移動(dòng)電話和醫(yī)療器械已廣泛采用液晶顯示器??刂普邞?yīng)該隨時(shí)將樣本值記錄、計(jì)算并繪制在控制圖內(nèi),若結(jié)果未超出控制界限,表示工藝處于穩(wěn)定狀態(tài);否則,表示工藝發(fā)生變異(異常),應(yīng)該調(diào)查原因并采取措施以避免制造出更多不良產(chǎn)品。 數(shù)據(jù)相關(guān)度分析 散布圖在品質(zhì)
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