模擬集成電路設(shè)計(jì)訓(xùn)練報(bào)告(文件)
【正文】 2 的阻值大許多 ，這樣才能讓 M1 也截止，整個(gè)自啟動(dòng)電路停止工作。 模擬集成電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn) 6 需要注意的是，此處的 M3 有襯偏效應(yīng)。 (三 ) 振蕩電路 振蕩電路原理圖 模擬集成電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn) 7 這是一個(gè)遲滯比較器在實(shí)際應(yīng)用中組成的振蕩器電路。 首先分析 RC 滯后移相電路部分，此部分可以簡(jiǎn)化為 以下電路示意圖 RC 振蕩電路的頻率為 f ?? = R3 0 ω/ω0 φ(ω) 模擬集成電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn) 8 通常需要 3 節(jié)以上的 RC 網(wǎng)絡(luò)才能構(gòu)成反饋振蕩器，因?yàn)殡娐繁仨毺峁?180 度相移，此處我僅采用了一節(jié) RC 相移網(wǎng)絡(luò)電路，因?yàn)樵跍乇容^電路部分提供了足夠的相移和增益，滿(mǎn)足了振幅起振條件。 R1R1 +R2 + ????1 R5R4 + R5 R2R1 + R2 電路工作過(guò)程中，假設(shè) t=0 時(shí)， Vo=Voh，且 C 上面的起始電壓為零，此時(shí)，Voh 通過(guò) R 向 C 充電， C 上的電壓按照指數(shù)規(guī)律上升，直到 Vc 的值等于輸入電壓高電平 Vih 時(shí)停止，注意，此處的電容 C 上的電壓等效為這個(gè)運(yùn)算放大器的輸入電壓。 d(Vc)??(??)代入上式，可得 ????? = R3 e?t?? i = Voh??3 C 差分放大電路采用 雙端輸入，單端輸出 ， V1 是同相輸入端， V2 是反相輸入端，判斷同相好反相的方法是輸入電壓與輸出電壓的數(shù)值關(guān)系來(lái)判定同相和反相端。 輸出電壓特性圖 上圖中 V’在實(shí)際電路中范圍較小，比較難調(diào)，所以將 M1 和 M2 的柵極相連，使得兩邊的 Vgs 相等，穩(wěn)定輸出電壓的直流工作點(diǎn)。 邊沿 D 觸發(fā)器具有接收并記憶信號(hào)的功能，又稱(chēng)為鎖存器 ，它的觸發(fā)方式屬于脈沖觸發(fā)方式， 不存在約束條件和一次變化現(xiàn)象，抗干擾性能好，工作速度快 。 電路的中心是振蕩電路，振蕩電路的太直需要端來(lái)反饋電路來(lái)把運(yùn)算放大器的區(qū)域調(diào)好跑，再來(lái)調(diào)整波形的產(chǎn)生。所以， 盡量不要復(fù)制電路， 因?yàn)槊總€(gè)電路都有自己的特殊性， 復(fù)制可能導(dǎo)致電路的某個(gè)微小部分和具體實(shí)際電路不一致，導(dǎo)致工作異常，而這種錯(cuò)誤很難發(fā)現(xiàn)，因?yàn)殡娐分谱髡邔?duì)復(fù)制的電路沒(méi)有強(qiáng)的“戒備心”，默認(rèn)為復(fù)制的就是好的。 振蕩器電路示意圖 3. 振蕩器的輸出電壓 問(wèn)題： 調(diào)好 T 觸發(fā)器之后，我發(fā)現(xiàn)自己振蕩器的輸出電壓，也就是要供給 T 觸發(fā)器的輸入電壓太小，才 200mv，根本無(wú)法使得觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)，所以我開(kāi)始改變振蕩器電路的設(shè)置，元件的參數(shù)等等，在多次調(diào)節(jié) R R R C0 以及那些 CMOS 管的寬長(zhǎng)比的值，但是 M9 的電壓值始終上不去 此處節(jié)點(diǎn)設(shè)為 T1 此處節(jié)點(diǎn)設(shè)為 T2，這是振蕩電路的輸出節(jié)點(diǎn) 此處節(jié)點(diǎn)設(shè)為 T3 模擬集成電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn) 25 解決 ： 如前一面的振蕩電路示意圖所示，我先把振蕩器斷開(kāi)，調(diào)整好了運(yùn)算放大器的區(qū)之后再開(kāi)始調(diào)節(jié)輸出。 六、 實(shí)驗(yàn)心得 在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，我對(duì)振蕩電路有了更加深刻的認(rèn)識(shí) ，對(duì)振蕩電路的各個(gè)部分也在調(diào)試中有了更精準(zhǔn)的把握。 模擬集成電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn) 26 。其次，在原件的參數(shù)設(shè)置過(guò)程中，應(yīng)該大膽嘗試大范圍的參數(shù)，這樣的話(huà)可以以實(shí)際電路仿真結(jié)果來(lái)找到最佳工作點(diǎn)，尤其當(dāng)自己掌握的理論出現(xiàn)漏洞時(shí)，不斷的嘗試各種參數(shù)能為電路找到一個(gè)使性能最佳的參數(shù)。 核心所在： 在給 R1 電壓的時(shí)候，我沒(méi)有思考太多，按照以往的經(jīng)驗(yàn)直接給了一個(gè)零電壓。 解決 ： 如下圖所示，我把 M13 的寬長(zhǎng)比增大，約為左邊 M M8 的兩倍，然后再進(jìn)行細(xì)微的調(diào)整，最后使得各個(gè)區(qū)都處在 region2。 解決 ： 檢查了數(shù)次電路圖之后仍然是一樣的結(jié)果，后來(lái)發(fā)現(xiàn)是我的供給電壓出了問(wèn)題，把供給電壓從 1v 換成了 之后，之前連的電路出來(lái)的結(jié)果就顯示正常。 模擬集成電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn) 13 四、 實(shí)驗(yàn)電路仿真參數(shù)、結(jié)果及分析 (一 ) 啟動(dòng)電路 啟動(dòng)電路原理圖（左圖含仿真結(jié)果，右圖含元件參數(shù)） 元件 (w/l)寬長(zhǎng)比 /阻值 區(qū) 備注 R4 10K R6 900K M3 5u/1u Region2 M5
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