【摘要】模擬CMOS集成電路報(bào)告1北京郵電大學(xué)電子工程學(xué)院模擬CMOS集成電路課程實(shí)驗(yàn)報(bào)告姓名:何佳羲指導(dǎo)老師:韓可學(xué)院:
2025-02-04 06:07
【摘要】求和運(yùn)算電路積分和微分運(yùn)算電路對(duì)數(shù)和指數(shù)運(yùn)算電路模擬乘法器及其應(yīng)用有源濾波器[引言]:運(yùn)算電路是集成運(yùn)算放大器的基本應(yīng)用電路,它是集成運(yùn)放的線性應(yīng)用。討論的是模擬信號(hào)的加法、減法積分和微分、對(duì)數(shù)和反對(duì)數(shù)(指數(shù))、以及乘法和除法運(yùn)算。為了分析方便,把運(yùn)放均視為理想器件:
2025-05-04 18:03
【摘要】CMOS模擬集成電路實(shí)訓(xùn)之H-SPICE輔助設(shè)計(jì)東南大學(xué)集成電路學(xué)院IC實(shí)驗(yàn)室內(nèi)容?H-SPICE概述?H-SPICE網(wǎng)表?Model&Subcircuits?Component?Source?Control?實(shí)訓(xùn)開(kāi)始前……?H-SPIC
2024-10-16 15:58
【摘要】設(shè)計(jì)報(bào)告姓名:徐彭飛學(xué)號(hào):201221030137姓名:楊萍學(xué)號(hào):201250300004 差分放大器設(shè)計(jì)報(bào)告設(shè)計(jì)內(nèi)容:設(shè)計(jì)一個(gè)差分放大器的模擬集成電路模塊,給出電路原理圖,對(duì)電路進(jìn)行直流、交流、瞬態(tài)分析并給出仿真結(jié)果,給出簡(jiǎn)單的集成電路版圖。差分放大器的性能指標(biāo):1、負(fù)載電容CL=2pF2、VDD
2025-01-18 23:03
2025-03-23 09:45
【摘要】2023/3/24共88頁(yè)1Spectre/Virtuoso/Calibre工具使用介紹實(shí)驗(yàn)地點(diǎn):信息科學(xué)實(shí)驗(yàn)中心研究生實(shí)驗(yàn)訓(xùn)練基地馮立松汪瀚2023/3/24共88頁(yè)2模擬集成電路的設(shè)計(jì)流程(spectre)(virtuoso)(DRCLVS)(
2025-03-05 06:15
【摘要】33MHz下一頁(yè)返回上一頁(yè)第二章集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用第三節(jié)集成運(yùn)算放大器的簡(jiǎn)單介紹第五節(jié)集成運(yùn)放在信號(hào)運(yùn)算方面的應(yīng)用第七節(jié)集成運(yùn)放在信號(hào)發(fā)生方面的應(yīng)用第九節(jié)集成運(yùn)放應(yīng)用實(shí)例第八節(jié)集成運(yùn)放的選擇與使用第六節(jié)集成運(yùn)放在信號(hào)處理方面的應(yīng)用第四節(jié)集成運(yùn)放電路中的負(fù)反饋第一節(jié)直
2025-01-19 07:27
【摘要】第三章集成電路制造工藝第三章第三章§硅平面工藝§氧化絕緣層工藝§擴(kuò)散摻雜工藝§光刻工藝§掩模制版技術(shù)§外延生長(zhǎng)工藝§金屬層制備工藝§
2025-04-30 13:59
【摘要】第3章集成邏輯門電路第3章集成邏輯門電路概述TTL與非門ECL電路及I2L電路的特點(diǎn)CMOS電路集成邏輯門電路的使用第3章集成邏輯門電路概述集成電路(IntegratedCircuit)就是將所有的元件和連線都制作在同一塊半導(dǎo)體基片
2025-01-19 08:59
【摘要】CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)穩(wěn)定性和頻率補(bǔ)償2022/2/9提綱2提綱?1、概述?2、多極點(diǎn)系統(tǒng)?3、相位裕度?4、頻率補(bǔ)償?5、兩級(jí)運(yùn)放的補(bǔ)償2022/2/9概述31、概述?反饋系統(tǒng)存在潛在不穩(wěn)定性?振蕩條件(巴克豪森判據(jù))1、在ω1下,圍繞環(huán)路的相
2025-01-12 16:52
【摘要】第七章集成電路版圖設(shè)計(jì)版圖設(shè)計(jì)概述?版圖(Layout)是集成電路設(shè)計(jì)者將設(shè)計(jì)并模擬優(yōu)化后的電路轉(zhuǎn)化成的一系列幾何圖形,包含了集成電路尺寸大小、各層拓?fù)涠x等有關(guān)器件的所有物理信息。?集成電路制造廠家根據(jù)版圖來(lái)制造掩膜。版圖的設(shè)計(jì)有特定的規(guī)則,這些規(guī)則是集成電路制造廠家根據(jù)自己的工藝特點(diǎn)而制定的。不同的工藝,有不同的設(shè)計(jì)規(guī)則。
2025-01-07 01:54
【摘要】模擬集成電路設(shè)計(jì)第7章噪聲(二)董剛微電子學(xué)院11?2In,MOS222上一講噪聲的統(tǒng)計(jì)特性平均功率Pav=limt??T?T/2?T/22x(t)dt噪聲譜(功率譜密度PSD)幅值分布(時(shí)域)相關(guān)噪聲源
2025-01-07 21:46
【摘要】卡諾圖化簡(jiǎn)卡諾圖化簡(jiǎn)的核心是找到并且合并相鄰最小項(xiàng)。相鄰三種情況:相接,相對(duì),相重。5變量卡諾圖才會(huì)出現(xiàn)相重的情況。合并過(guò)程中先找大圈合并,圈越大消去的變量越多;使每一最小項(xiàng)至少被合并包含過(guò)一次;每個(gè)合并的圈中,至少要有一個(gè)“1”沒(méi)有被圈過(guò),否則這個(gè)圈就是冗余的。4個(gè)變量卡諾圖的最小項(xiàng)BADC001
2025-07-25 08:49
【摘要】國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理第一章集成電路制造工藝集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實(shí)現(xiàn)的手段,也是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。2/1/2023韓良1國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理?隨著集成電路發(fā)展的過(guò)程,其發(fā)展的總趨勢(shì)是革新工
2025-02-15 05:39
【摘要】●熟悉常用中規(guī)模通用集成電路的邏輯符號(hào)、基本邏輯功能、外部特性和使用方法;●用常用中規(guī)模通用集成電路作為基本部件,恰當(dāng)?shù)?、靈活地、充分地利用它們完成各種邏輯電路的設(shè)計(jì),有效地實(shí)現(xiàn)各種邏輯功能。本章知識(shí)要點(diǎn):第7章中規(guī)模集成電路數(shù)字集成電路器件分類數(shù)字集成電路是把電阻、二極管、晶體管集中制作在叫做基片
2025-02-19 20:54