ltps制程與技術發(fā)展講義-wenkub
2024-10-24 21 本頁面
【正文】 CD的特點,LTPS TFT LCD的特點，還有 載體的移動度(Mobility)為非晶矽的300倍 低耗電 高亮度 高解析度 輕薄短小 高品質(zhì) 完美的系統(tǒng)整合,LTPS TFT LCD的前段製程,陣列電路設計(1),LTPS TFT周邊電路的設計必須崁入主陣列電路，整合於同一片基板玻璃上 可以減少半導體零組件的使用數(shù)量 可以減少後段工程組合時接著點的數(shù)目 使結構簡單化和工程可靠度提高,陣列電路設計(2),整體電路設計時，應考慮低耗電量 耗電量的值(P)是與 頻率(f) 電容(C) 電壓平方(V178。第8章,LTPS製程與技術發(fā)展,前言,低溫多晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器(Low Temperature PolySilicon Thin Film Transistor，LTPS TFT LCD)，乃指其TFT中之半導體薄膜的結晶形態(tài)是多結晶(Polycrystalline)，並非是非結晶(Amorphous)的。)成比例關係,陣列電路設計(3),電容值減低的對策 信號線(Busline)的線幅寬細線化 TFT的小型化 低電壓的對策 使啟動電壓減低，唯一方法是開發(fā)出新的驅(qū)動法並使驅(qū)動電壓減低 頻率減低的對策 使相對應於影像畫面產(chǎn)生變化，促使驅(qū)動頻率變化，達到低耗電化,陣列電路設計(4),以一般TFT通道寬度(52μm)和通道長度(12μm)，及閘氧化膜的厚度tox=3,500A為代表性元件。 陣列電路設計工程：包含有 TFT陣列電路圖案(Pattern) 彩色濾光片圖案 配向膜圖案 封合圖案等規(guī)劃與設計,資料來源：工研院電子所,資料來源：工研院電子所,標準化製作過程(2),光罩製作工程： 使用電子束描繪裝置(Electron Beam Lithography System)製作出主光罩(Master Mask) 再利用微影技術(Lithography)複製工程用光罩網(wǎng)版,標準化製作過程(3),透明玻璃基板加工工程： 一定尺寸規(guī)格要求所做的切割加工 表面精密度和平坦度的要求所進行的研磨加工,標準化製作過程(4),洗淨工程：分為 陣列工程前 液晶胞工程前 液晶胞工程後等三大類,標準化製作過程(5),矽薄膜形成工程： 在玻璃或石英玻璃上，TFT電路通道(Channel)部分的形成方法，是使用濺鍍(Sputtering)裝置和低壓化學氣相沉積(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)裝置，將αSi薄膜堆積於上 再利用結晶化退火技術的加熱爐退火法或雷射光雷射退火，將其多結晶化處理,標準化製作過程(6),微影曝光工程： 利用輥輪被覆式(Roll Coater)或旋轉被覆式(Spin Coater) 塗佈光阻劑於光罩基板(Mask Blank)後作烘焙處理(Bakin
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