擴散課工藝(氧化工藝、擴散工藝、合金工藝、氧化層電荷、lpcvd工藝)培訓(xùn)課程-wenkub
2023-07-24 20:01:41 本頁面
【正文】 QC 的驗證工作，以確定爐管正常； 擴散工藝 13?磷擴散工藝控制 – 清洗爐管及更換 內(nèi)襯管 由于在工藝過程中會有偏磷酸生成，在爐口溫度較低處會凝結(jié)成液體，并堆積起來，會腐蝕爐管甚至流出爐管后腐蝕機器設(shè)備，因此須及時清洗更換爐管和內(nèi)襯管。 擴散工藝 5 ?阱工藝控制 ?拉恒溫區(qū)控制溫度： 定期拉恒溫區(qū)以得到好的溫度控制。 ?程序的設(shè)置： 不同的程序，如先氧化后推阱和先推阱后氧化所得出的表面濃度不同。 氧化工藝 11?氧化質(zhì)量控制 ?片內(nèi)均勻性 ： 保證硅片中每個芯片的重復(fù)性良好 ?片間均勻性 保證每個硅片的重復(fù)性良好 ?定期清洗爐管 清洗爐管，可以避免金屬離子 ,堿離子的粘污，減少顆粒，保證氧化層質(zhì)量，尤其是柵氧化，清洗頻率更高 ,1次 /周 擴散工藝 1?擴散 ?推阱，退火 推阱： CMOS工藝 的必有一步，在一種襯底上制造出另一種襯底 ,以制造 N、 P管 ,需要在較高的溫度下進行，以縮短工藝時間。 氧化工藝 7?影響氧化速率的因素 ?硅片晶向 氧化速率 (110)POLY(111)(100) ?摻雜雜質(zhì)濃度 雜質(zhì)增強氧化，氧化速率發(fā)生較大變化如 N+退火氧化（ N+DRIVE1）： 襯底氧化厚度： 750A N+摻雜區(qū)氧化厚度： 1450A氧化工藝 8 熱氧化過程中的硅片表面位置的變化 生長 1um 的 SiO2，要消耗掉 的 Si。 對光刻膠的粘附性較差。 阻擋住不需擴散或注入的區(qū)域，使離子不能進入。 氧化工藝 2?氧化膜的作用 ?緩沖介質(zhì)層 二次氧化等，緩沖氮化硅應(yīng)力或減少注入損傷 氧化工藝 3?氧化膜的作用 器件結(jié)構(gòu)的一部分：如柵（ Gate）氧化層，非常關(guān)鍵的項目，質(zhì)量要求非常高；電容極板之 間的介質(zhì)，對電容的大小有較大影響 氧化工藝4 氧化膜的作用 ?隔離介質(zhì)：工藝中常用的場氧化就是生長較厚的二氧化硅膜，達到器件隔離的目的。 氧化工藝 6?氧化方法 ?濕氧氧化（反應(yīng)氣體： O2 +H2O） H2O+SI == SIO2+2H2 SI+O2 == SIO2 生長速率介于干氧氧化和水汽氧化之間； H2O 的由 H2和 O2的反應(yīng)得到；并通過 H2和 O2的流量比例來 調(diào)節(jié)氧化速率，但比例不可超過 ；對雜 質(zhì)掩蔽能力以及均勻性均能滿足工藝要求；多使用在 厚層氧化中。但不同熱氧化生長的 SiO 密 度不同， a 值會略有差異 。 退火：可以激活雜質(zhì)，減少缺陷。 擴散工藝 4?影響推阱的工藝參數(shù) – 排風(fēng) amp。 ?BT 測量 BT 項目可以使我們即及時掌握爐管的狀態(tài)，防止爐管受到粘污。 合金工藝 1?合金的概念 ?淀積到硅片表面的金屬層經(jīng)光刻形成一定的互連
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