半導(dǎo)體制造工藝第3章清洗工藝-wenkub
2023-03-20 04:30:56 本頁(yè)面
【正文】 身的沾污以及操作人員所攜帶的金屬離子等都會(huì)對(duì) IC引入一些可動(dòng)離子沾污，這些離子大部分都是金屬離子，并且人是最大的引入源。每種污染物對(duì) IC 制程都有不同程度的影響，通常會(huì)在晶圓表面形成有機(jī)物薄膜阻止清洗液到達(dá)晶圓表面，會(huì)使硅片表面無(wú)法得到徹底的清洗。通常都是在工藝中引進(jìn)的，工藝設(shè)備、環(huán)境、氣體、化學(xué)試劑和去離子水均會(huì)引入顆粒。這些顆粒一旦粘附在硅表面，則會(huì)影響下一工序幾何特征的形成及電特性。因此有機(jī)殘余物的去除常常在清洗工序的第一步進(jìn)行?！∥廴疚镫s質(zhì)的分類1)通過金屬離子和硅襯底表面的氫原子之間的電荷交換直接結(jié)合到硅表面，這種類型的雜質(zhì)很難通過濕法清洗工藝去除，這類金屬常是貴金屬離子，如金 (AU)，由于它的負(fù)電性比 Si高，有從硅中取出電子中和的趨向，并沉積在硅表面。另外，在 IC制程中采用化學(xué)氣相沉積法（ CVD）沉積的氮化硅、二氧化硅等氧化物也要在相應(yīng)的清洗過程中有選擇地去除。典型的硅片濕法清洗流程如圖 3?1所示。3)第三步是去除金屬，一般用 HCl/H2O2/H2O(HPM)2號(hào)標(biāo)準(zhǔn)液 (SC2)?！∏逑捶椒ǜ艣r IMEC清洗 基于使用稀釋化學(xué)品的成功經(jīng)驗(yàn)， IMEC(Interuniversity MicroElectronics Centre，大學(xué)間聯(lián)合微電子研究中心 )提出了一項(xiàng)臭氧化和稀釋化學(xué)品的簡(jiǎn)化清洗方法。因?yàn)镃u、 Ag等金屬離子存在于 HF溶液時(shí)會(huì)沉積到 Si表面，其沉積過程是一個(gè)電化學(xué)過程，在光照條件下，銅的表面沉積速度加快。在最后沖洗過程中增加了HNO3的濃度可減少表面 Ca的污染。此外，批式濕式處理無(wú)法滿足如快速熱處理 (RTP)等工藝的關(guān)鍵擴(kuò)散技術(shù)和 CVD技術(shù)。根據(jù)徹底采用溶液的程度，分為 “全干法 ”和 “半干法 ”清洗。在 VLSI制備過程中，面對(duì)晶圓尺寸的不斷擴(kuò)大與芯片關(guān)鍵圖形尺寸的不斷減小，以等離子清洗技術(shù)為主的干法清洗技術(shù)，以它少輻射易控制的優(yōu)點(diǎn)正在逐步成為濕法清洗的主要替代方法。4)清洗完畢后切斷高頻電壓，并將氣體及汽化的污垢排出，同時(shí)向真空艙內(nèi)鼓入空氣，并使氣壓升至一個(gè)大氣壓。① 熱純水超聲波拋動(dòng)清洗 → ② 熱堿水超聲波拋動(dòng)清洗 → ③ 熱純水超聲波拋動(dòng)清洗 → ④ 熱純水超聲波拋動(dòng)清洗 → ⑤ 純水噴淋拋動(dòng)漂洗→ ⑥ 熱酸超聲波拋動(dòng)清洗 → ⑦ 熱純水超聲波拋動(dòng)漂洗 → ⑧ 熱純水超聲波拋動(dòng)漂洗。(1)刷洗器 當(dāng)硅片表面粘有微粒或有機(jī)殘?jiān)鼤r(shí)常用刷洗的方法去除表面顆粒。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 二月 21二月 2104:50:1304:50:13February 01, 2023? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國(guó)見青山。 2023/2/1 4:50:1304:50:1301 February 2023? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 二月 2104:50:1304:50Feb2101Feb21? 1世間成事，不求其絕對(duì)圓滿
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