ltps制程與技術(shù)發(fā)展講義-wenkub
2023-03-18 16:26:18 本頁面
【正文】 (CMOS)的驅(qū)動電路設計 –目前主流製程是需 5道光罩 陣列電路製程 (2) ? PolySi薄膜形成方法，有 – IC製程的高溫製程法 ? 使用的玻璃基板材料是耐熱性優(yōu)且價格較貴的石英玻璃 (Quartz)(尺寸限於 150mm/200mm) –利用雷射退火技術(shù)的低溫製程法 ? 使用與 αSi TFT相同的不含鹼性離子之玻璃基板 陣列電路製程 (3) ? 高溫製程或低溫製程的使用，取決於矽薄膜形成之源極和汲極工程中之摻雜(Doping)工程而定。 資料來源：工研院電子所 資料來源：工研院電子所 PolySi/αSi特性比較 ? αSi TFT LCD的結(jié)構(gòu)簡單化和畫面高精細化。 ? PSi TFT LCD是崁入不同功能的 IC於玻璃基板上，減少模組工程上所使用 IC的數(shù)量，換言之，模組接點減少，可靠度提升。 陣列電路製程 (4) ? 與 αSi TFT製程相比較，大部分的步驟是相類似的 ? PolySi TFT的特徵，有 –低溫雷射退火的結(jié)晶化技術(shù) (Laser Annealing Crystallization) –低溫摻雜汲極技術(shù) (Lightly Doping Drain，LDD) –氫化處理技術(shù) (Hydrogen eration) 陣列電路製程 (5) ? 氫化處理的目的在於 –使矽原子的未結(jié)合鍵或未飽和鍵，能與氫原子結(jié)合而使其呈飽和狀態(tài) –可獲得高的載體移動度 –使電子訊號的傳送速度變快 –動態(tài)畫質(zhì)顯示清晰明亮。 ? 使用的配向膜材料有聚胺酸 (Polyamic Acid)和聚醯胺 (Polyimide)，以聚醯胺類為主 ? 利用凹凸印刷方式將數(shù)百 197。 液晶胞製程 (6) 6. 貼合附著工程： ? 封合部分的形成和間隔物的散布等處理後之 Array下基板及 CF上基板，就其相互間預先設定之對應電極進行對位處理 (利用光學式精密對位 ) ? 將其相互進行一邊加壓一邊加熱，或照射紫外線使其貼合緊密並達到硬化處理 液晶胞製程 (7) 7. 分割切斷工程：貼合硬化後的每片基板進行多片式的分割和切斷處理，使其成為每一單片的面板半成品。 ? 液晶注入技術(shù) (LC Injection)：利用減壓或增壓方式，將液晶材料導入兩片玻璃基板間的一種
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