ltps制程與技術(shù)發(fā)展講義(已修改)
2025-03-07 16:26 本頁面
【正文】 第 8章 LTPS製程與技術(shù)發(fā)展 前言 ? 低溫多晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器(Low Temperature PolySilicon Thin Film Transistor， LTPS TFT LCD)，乃指其 TFT中之半導(dǎo)體薄膜的結(jié)晶形態(tài)是多結(jié)晶(Polycrystalline)，並非是非結(jié)晶(Amorphous)的。 資料來源：工研院電子所 資料來源：工研院電子所 PolySi/αSi特性比較 ? αSi TFT LCD的結(jié)構(gòu)簡單化和畫面高精細(xì)化。 ? PSi TFT LCD是崁入不同功能的 IC於玻璃基板上，減少模組工程上所使用 IC的數(shù)量，換言之，模組接點(diǎn)減少，可靠度提升。 資料來源：工研院電子所 資料來源：工研院電子所 LTPS TFT LCD的特點(diǎn) ? LTPS TFT LCD的特點(diǎn)，還有 –載體的移動(dòng)度 (Mobility)為非晶矽的 300倍 –低耗電 –高亮度 –高解析度 –輕薄短小 –高品質(zhì) –完美的系統(tǒng)整合 LTPS TFT LCD的前段製程 陣列電路設(shè)計(jì) (1) ? LTPS TFT周邊電路的設(shè)計(jì)必須崁入主陣列電路，整合於同一片基板玻璃上 –可以減少半導(dǎo)體零組件的使用數(shù)量 –可以減少後段工程組合時(shí)接著點(diǎn)的數(shù)目 –使結(jié)構(gòu)簡單化和工程可靠度提高 陣列電路設(shè)計(jì) (2) ? 整體電路設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)考慮低耗電量 ? 耗電量的值 (P)是與 –頻率 (f) –電容 (C) –電 壓平方 (V178。)成比例關(guān)係 陣列電路設(shè)計(jì) (3) ? 電容值減低的對(duì)策 – 信號(hào)線 (Busline)的線幅寬細(xì)線化 – TFT的小型化 ? 低電壓的對(duì)策 – 使啟動(dòng)電壓減低，唯一方法是開發(fā)出新的驅(qū)動(dòng)法並使驅(qū)動(dòng)電壓減低 ? 頻率減低的對(duì)策 – 使相對(duì)應(yīng)於影像畫面產(chǎn)生變化，促使驅(qū)動(dòng)頻率變化，達(dá)到低耗電化 陣列電路設(shè)計(jì) (4) ? 以一般 TFT通道寬度 (52μm)和通道長度(12μm)，及閘氧化膜的厚度 tox=3,500A為代表性元件。 陣列電路製程 (1) ? 大部分 TFT LCD製造公司之 LTPS TFTLCD製程，是採行 –頂部閘極 (TopGate)的 TFT電路結(jié)構(gòu) –互補(bǔ)式金氧半 (CM
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