ic有源元件與工藝流程介紹-wenkub
2023-03-12 18:29:07 本頁面
【正文】 M L M S I 概述 表 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 4 本資料來源 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 5 圖 幾種 IC工藝速度功耗區(qū)位圖 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 6 雙極性硅工藝 n 早期 的雙極性硅工藝： NPN三極管 p+p+n+np n+ n+pSi O 2B E CBu ri ed L ay er Me ta lp n Is o l at i o np n Is o l at i o n圖 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 7 雙極性硅工藝 n 先進(jìn) 的雙極性硅工藝： NPN三極管 圖 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 8 HBT工藝 (a) (b) 圖 GaAs HBT的剖面圖 (a)和能帶結(jié)構(gòu) (b) 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 9 MESFET和 HEMT工藝 n GaAs工藝： MESFET 圖 GaAs MESFET的基本器件結(jié)構(gòu) 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 10 n GaAs工藝： HEMT 圖 簡單 HEMT的層結(jié)構(gòu) 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 11 n GaAs工藝： HEMT工藝的三明治結(jié)構(gòu) 圖 DPDQWHEMT的層結(jié)構(gòu) 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 12 Main Parameters of the mm Gate Length HEMTs HEMTType Parameters EHEMT DHEMT V th V V I dsmax 200 mA/mm (V gs = V) 180 mA/mm (V gs = 0 V) G m 500 mS/mm 400 mS/mm R s W 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 14 MOS工藝和相關(guān)的 VLSI工藝 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 15 圖 MOS工藝的分類 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 16 認(rèn)識 MOSFET G ateDr ai nS o u r cen + n +Lef fL D r aw nL Dp s u b s tra teSGDP o l yO xi d eWn+ n +線寬 (Linewidth), 特征尺寸 (Feature Size)指什么？ 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 17 MOS工藝的特征尺寸 (Feature Size) n特征尺寸 : 最小線寬 ? 最小柵長 圖 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 18 PMOS工藝 早期的鋁柵工藝 n 1970年前 ， 標(biāo)準(zhǔn)的 MOS工藝是鋁柵 P溝道 。 l 電源電壓為 12V。 這好比彩色印刷中 ， 各種顏色套印一樣 ， 不容易對齊 。 l 加長了柵極 ， 增大了管子尺寸 ， 集成度降低 。 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 25 自對準(zhǔn)技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)硅工藝 ? 1970年 ， 出現(xiàn)了硅柵工藝 。 那時(shí)的多晶硅還是絕緣體 ，或非良導(dǎo)體 。 ?增加了電路的可靠性 。 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1