【正文】 1020/m3. ? 激發(fā)態(tài)原子 (或分子 ) ? 正離子和負(fù)離子 ? 光子 ??＝ h? 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 氣體原子的激發(fā)和電離 激發(fā)態(tài) 原子能級(jí) 諧振能級(jí) （受激原子自發(fā)地直接過(guò)渡到 基態(tài)，并產(chǎn)生光子輻射。太陽(yáng)就是一個(gè)等離子體， 2023年 9月 28日中國(guó)人造太陽(yáng)成功完成首次等離子體放電試驗(yàn)。四川虹歐顯示器件有限公司 PDP基本原理 四川虹歐顯示器件有限公司 內(nèi)容 一、 氣體放電物理基礎(chǔ) 二、彩色 PDP發(fā)展與特點(diǎn) 三、 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 四、 PDP制作工藝介紹 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 固態(tài) 液態(tài) 氣態(tài) 等離子體？ 如果氣體的溫度繼續(xù)升高，物質(zhì)受熱能的激發(fā)而電離。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 等離子體的分類 : 等離子體 高溫等離子體（完全電離氣體） 溫度范圍： 106~108K，如可控?zé)岷朔? 應(yīng)等離子體、太陽(yáng)、恒星等。） 較高激發(fā)態(tài)能級(jí) （向較低基發(fā)態(tài)能級(jí)躍遷，并產(chǎn)生光子輻射。 氣體的擊穿和巴邢定律 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) （ 2）湯生第二電離系數(shù) — β 系數(shù)。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 帕邢 (Paschen)首先發(fā)現(xiàn)，在氣體種類、電極材料等條件不變時(shí)，著火電壓 Ub不僅單獨(dú)和壓強(qiáng) P或極間距離 d有關(guān)，而且和 Pd的乘積有關(guān)，即 Ub是Pd的函數(shù) Ub=f（ Pd） 這個(gè)規(guī)律稱為帕邢定律。 氣體的電離電位對(duì)擊穿電位的影響是另一個(gè)重要的因素，在其他條件不變的情況下，通常電離電位越大的氣體，它的擊穿電位就越大。 在氖氣中混入少量氙氣能使氣體的擊穿電壓降低，其降低量由氙氣的混合量決定。 另外 ， 著火電壓下降的大小還與兩種氣體的性質(zhì)和它們量的混合比有非常密切的關(guān)系 。 (2) 由于著火后，空間電荷引起的電場(chǎng)畸變使放電空間電位基本上分成兩段：陰極位降區(qū)和正柱區(qū)。電流為毫安級(jí)。在這里由于受正離子轟擊從陰極發(fā)射出來(lái)的二次電子初速很小，不具備激發(fā)條件。但電于數(shù)量不大，激發(fā)很微弱。管壓降的大部分集中在這里和陰極之間?？梢哉f(shuō)，負(fù)輝區(qū)是一個(gè)由快速電子維持的、復(fù)合占優(yōu)勢(shì)的等離子區(qū)。 輝光放電的各發(fā)光區(qū)中，發(fā)光強(qiáng)度以負(fù)輝區(qū)最強(qiáng)，正柱區(qū)居中，陰極光層和陽(yáng)極輝光最弱。正柱區(qū)的發(fā)光效率高，日光燈就是利用正柱區(qū)發(fā)光。 提高 PDP的亮度和發(fā)光效率的措施之一： 改進(jìn)放電單元結(jié)構(gòu)，采用正柱放電。這與 Xe氣含量有關(guān)。 1998 事實(shí)上 PDP合格率一直無(wú)法快速提升 ， 日本各廠商將原來(lái)的價(jià)格目標(biāo)延后至 2023年 。 因此日本將 2023年稱為“ PDPTV元年 ” 。 四川虹歐顯示器件有限公司 彩色 PDP發(fā)展與特點(diǎn) 2023 量產(chǎn)合格率不佳延續(xù)到一直到 1999年底 ， 各廠商不論在設(shè)備 、材料與驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上都有重大改善與突破 ， 在 2023年紛紛建立新的量產(chǎn)線 。 同時(shí) PDP也感受到了 LCDTV的壓力 。 ADPC的任務(wù)是開發(fā)提高發(fā)光效率、降低功耗和降低生產(chǎn)成本的新技術(shù)。 eALiS驅(qū)動(dòng)時(shí) ， 奇行和偶行交替尋址 ， 然后所有行同時(shí)進(jìn)行維持放電 。 在一場(chǎng)中 ， 準(zhǔn)備期 、 尋址期和維持期的時(shí)間根據(jù)每場(chǎng)圖像的平均亮度動(dòng)態(tài)調(diào)整 。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 著火電壓 Uf隨充氣壓強(qiáng) p電極間隙 g1乘積變化的關(guān)系 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 放電間隙對(duì) Uf、 Ue和 ?Us的影響 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 在一定的 w1的條件下，隨 g1增大， Uf、 Ue和?Us均近乎線性增加。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 放電間隙增大，放電路徑變長(zhǎng)，一方面電子在到達(dá)陽(yáng)極前與氣體原子的碰撞次數(shù)增多，產(chǎn)生更多的激發(fā)和電離； 另一方面由于 PDP放電單元的空間很小，放電時(shí)只出現(xiàn)陰極位降區(qū)和負(fù)輝區(qū)，而 VUV主要產(chǎn)生于負(fù)輝區(qū)。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 ACPDP未放電時(shí)單元的等效電路圖 C gC d C dC t放 電 空 間介 質(zhì) 層Ua四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 像 素 的 透 光 面 積像 素 開 口 率 ＝像 素 面 積上基板放電單元的設(shè)計(jì)原則 : (1)在確定的像素面積內(nèi)，盡可能提高像素的光輸出開口率，以提高 PDP的發(fā)光效率，同時(shí)又要避免引起鄰線電極間的放電。但是過(guò)大的放電間隙將引起著火電壓的升高 ,使驅(qū)動(dòng)困難。 為避免鄰線放電，顯示電極非發(fā)光區(qū)間隙 g1，g2 要考慮。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 障壁寬度 ：在滿足均勻性的前提下， 障壁寬度應(yīng)盡可能窄，以增大單元的開口率，提高器件亮度。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 障壁高度對(duì) PDP電壓性能的影響 110 120 130 140 150 160200210220230240250260h ( u m )U ( V ) U f U e3035404550? U s ( V )? U s 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 障壁高度對(duì)亮度的影響 200 220 240 2 6 0 2 8 0 3 0 02 0 02 5 03 0 03 5 04 0 04 5 05 0 0 h = 1 1 5 u m h = 1 3 5 u m h = 1 5 5 u mL ( cd / m 2 )U s ( V )四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 尋址電極寬度 ：為了確保正交的 AY電極對(duì)向放電有足夠的區(qū)域， A電極應(yīng)有足夠的寬度。 SnO2薄膜特點(diǎn)： 成膜工藝簡(jiǎn)單，成本低，且熱穩(wěn)定性好，但其刻蝕性能不易掌握。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP制作工藝 介質(zhì)層 作用 :把電極與放電等離子體分隔開，限制了放電電流的無(wú)限增長(zhǎng)，保護(hù)了電極； 使 ACPDP工作在存儲(chǔ)模式 , 有利于降低放電的維持電壓。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP制作工藝 氧化鎂保護(hù)膜 ? 作用 : 延長(zhǎng)顯示器的壽命； 增加工作電壓的穩(wěn)定性； 降低器件的著火電壓； 減小放電的時(shí)間延遲。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP制作工藝 噴砂法 由于采用光刻中的曝光技術(shù)， 障壁尺寸一致性好 ， 目前障壁的寬度實(shí)驗(yàn)室可做到 30?m， 生產(chǎn)上做到 70?m， 有利于器件開口率的提高 。 黑頂白色主體基板玻璃四川虹歐顯示器件有限公司 PDP制作工藝 光 照感光性障壁材料印刷曝 光顯影、燒結(jié)感 光 性 障壁 材 料玻璃基板掩 模障 壁感光材料法 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP制作工藝 刻蝕法 涂敷感光膠 曝光 顯影 刻蝕 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP制作工藝 熒光粉 ? 作用 : 將 VUV轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢姽?，?shí)現(xiàn)彩色顯示。另外關(guān)于