試論pcb生產(chǎn)技術(shù)和發(fā)展趨勢-wenkub
2023-07-08 17:45:42 本頁面
【正文】 常規(guī)E—玻纖布基材→扁平(MS或LD)E玻纖布基材.（C）改進微小鉆頭 ㈠改進微小鉆頭組成：Ｃo和WC比例改變。 18磅—→16盎司?！ 、嫘】邹D(zhuǎn)速n2 （得到同樣生產(chǎn)率和同樣質(zhì)量孔的話）. n2.= n1R1/ R2.?、绺境雎诽岣咧鬏S轉(zhuǎn)速6∽8萬轉(zhuǎn)/分→10∽12萬轉(zhuǎn)/分→16∽18萬 （A）提高鉆床主軸的轉(zhuǎn)速n。 全通孔→埋/盲孔/通孔→盤內(nèi)孔，埋/盲孔→HDI/BUM→導(dǎo)通孔微小化的加工方法機械鉆微小孔 ←—機械（數(shù)控）鉆孔—→ →→→→→→（mm） （2）導(dǎo)通孔尺寸微小化 （1）導(dǎo)通孔的作用電器互連和支撐元器件兩個作用→僅電器互連作用。 30μm→20μm→10μm→5μm。②PCB翹曲度高了，由1%→%→%……元器件貼裝要求。 改善電器性能。 提高布線自由度。但孔化，特別是電鍍的困難。 （2）高密度化：通孔尺寸受到元件引腳尺寸限制，不能好象懷想風向換很小。 自PCB誕生以來（1903年算起100年整），以組裝技術(shù)進步和發(fā)展可把PCB工業(yè)已走上了三個階段。隨著其他國家的掘起，特別是中國和亞洲國家的發(fā)展（中國科技產(chǎn)值比率占30∽40%，美國為70∽80%）美國的“超級”地位會削弱下去。世界主導(dǎo)經(jīng)濟━ 的發(fā)展 32∽304121∽1600QFP→BGA 芯片級封裝（CSP） 注：導(dǎo)通孔尺寸也隨著導(dǎo)線精細化而減小，一般為導(dǎo)線寬度尺寸的3∽5 倍組裝技術(shù)進步也推動著PCB走向高密度化方向表2 2000 1∶100 1 推動PCB技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)的主要動力集成電路（IC）等元件的集成度急速發(fā)展，迫使PCB向高密度化發(fā)展。 比 例 1∶56o ∽1∶170 2010 ∽0、05μm 1∶200組裝技術(shù) 系統(tǒng)封裝μBGA 1000 RFI 20世紀80年代━━━→90年代——→21世紀←經(jīng)濟農(nóng)業(yè)——→工業(yè)經(jīng)濟———→知識經(jīng)濟———→美國是知識經(jīng)濟走在最前面的國家。（3）中國將成為世界PCB產(chǎn)業(yè)的中心，2∽3年后，中國大陸的PCB產(chǎn)值由現(xiàn)在的11%上升20%以上。而PCB生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展與進步一直圍繞著“孔”、“線” 、“層” 、和“面”等而發(fā)展著?！褡詣硬逖b要求以多角形截面為主，提高剛性降低尺寸導(dǎo)線的L/S細小化，∽。 →→→→→（mm）→加工方法由數(shù)控鉆孔→激光鉆孔。 ②埋/盲孔的出現(xiàn) 不需要連接的層，不通過導(dǎo)通孔 不設(shè)隔離盤 提高密度至少1/3。盤內(nèi)孔結(jié)構(gòu)的誕生。焊（連接）盤共面性。芯片級封裝（CSP）用PCB產(chǎn)品主要特點：HDI/BOM板→集成元件的HDI板高密度化：孔，線，層，盤等全面走向高密度化 導(dǎo)線的L/S≤80um。 導(dǎo)通孔急速走向微小化和結(jié)構(gòu)復(fù)雜化η | ←—激光成孔—→導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)復(fù)雜化。 轉(zhuǎn)/分→25萬轉(zhuǎn)/分。 ?、逭麄€主軸轉(zhuǎn)動→夾鉆頭部分轉(zhuǎn)動?！g性。㈠采用單絲排列原理形成的扁平E玻纖布. 常規(guī)孔壁粗造度40∽50μm→20∽25μm→10∽15μm.→激光鉆孔技術(shù).激光成孔技術(shù)的出現(xiàn)㈠機械鉆孔面臨挑戰(zhàn). *光波分布 ←—CO2 激光成孔—★—UV激光成孔—→ ㈡成孔原理：* *功率大、生產(chǎn)率高。 等 *光束直徑大，適宜加工大孔徑（φ100∽φ200μm）。 *破壞結(jié)合鍵（金屬鍵、公價鍵、離子鍵）冷加工。 ㈢優(yōu)缺點： *適宜于更小的微孔如φ100μm的孔和任何PCB基材。 目不要大 發(fā)射波長大C∽需氧化處理后的薄銅箔 加工玻纖布高 高孔徑≥Ф100μm高㈠先由UV激光開”窗口”→CO2激光加工介質(zhì)層,(RCC或扁平E—玻纖基材) (5)微小孔(含微盲孔)的孔金屬化和電鍍.常規(guī)的孔金屬化和直流電鍍.直接電鍍.脈沖電鍍.導(dǎo)體精細化的發(fā)展趨勢.目前和今后導(dǎo)線的線寬/間距(L/S)發(fā)展趨勢(μm為單位):100/100→80/80→50/60→40/50→30/40→20/25→15/20→┄8/10. 標稱線寬允許誤差177。偏差尺寸(μm) 100△=4064∽96177。6導(dǎo)體精細化的制造技術(shù).提高導(dǎo)線精度. 導(dǎo)線精細化發(fā)展可在常規(guī)光F操作。光致抗蝕劑厚度與類型引起偏差。 ⑷蝕刻常規(guī)蝕刻受到挑戰(zhàn)。2μm（限超薄銅箔）。 ⑴激光直接成像的提出照相底片成像技術(shù)受到嚴重挑戰(zhàn)；特別是高密度HDI/BUM板或L/S≤80μmS層間對位度要求越來越小時。降低了成本。要求低的感光能量（高光敏性材料）：如表5所示。光致抗蝕膜（干膜） 感光能量 激光直接成像（UV光）。 （C）顯影：相當于平行光得到的圖像。（E）去膜涂錫層抗蝕劑的激光
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