半導體膜厚缺陷測試技術(shù)-wenkub
2023-05-27 18:05:08 本頁面
【正文】 性問題。當聲學節(jié)拍撞擊表面及膜下界時，產(chǎn)生反彈回表面的回聲。當 X射線射到薄膜時，吸收的輻射激活薄膜中的電子。橢偏儀測量反射得到的橢圓形，并根據(jù)已知的輸入值（例如反射角）精確地確定薄膜的厚度?；谶@一原因， Rs的單位為歐姆 /□ （ Ω/□ ）。薄層電阻（ Rs）可以理解為在硅片上正方形薄膜兩端之間的電阻。在一些情況下，例如柵氧化電介質(zhì)，膜的厚度必須精確到 1埃（ 197。這些不同類型的膜有金屬、絕緣體、光刻膠和多晶硅。通過電學測量，半導體質(zhì)量測量定義了硅片制造的規(guī)范要求，以確保滿足器件的性能和可靠性。 成品率廣泛用于半導體生產(chǎn)，用它來反映工藝流程是否正常。例如，在一個硅片有 200個管芯，其中 190個是合格的，那么硅片的成品率就是： 190 1 0 0 9 5 %200Y i e d ? ? ?計算成品率有不同的方法。獨立的測試設(shè)備進行測量學測試時，不依附于工藝。用實際生產(chǎn)硅片模擬更接近工藝流水中發(fā)生的情況，為制造團隊成員做出決定提供了更好的信息。質(zhì)量測量要求在測試樣片或生產(chǎn)硅片上大量收集數(shù)據(jù)以說明芯片生產(chǎn)的工藝滿足要求。硅片缺陷按類型和尺寸來劃分。測量學指的是在工藝流程中為了確定硅片的物理和電學特性的技術(shù)與過程。另外，新材料和工藝的引入都會帶來芯片失效的新問題。 硅片工藝流程的檢查技術(shù)經(jīng)歷了重大的改變。現(xiàn)代半導體器件物理與工藝 桂林電子科技大學 測量學和缺陷檢查 1 測量學和缺陷檢測 現(xiàn)代半導體器件物理與工藝 Physics and Technology of Modern Semiconductor Devices 2022,7,30 現(xiàn)代半導體器件物理與工藝 桂林電子科技大學 測量學和缺陷檢查 2 測量學和缺陷檢測 從硅片制造的最初階段就開始進行檢查。特征尺寸不斷縮小，現(xiàn)在縮小到 。測量對于描繪硅片的特性與檢查其成品率非常關(guān)鍵。用于制造中的測量學使用測試設(shè)備和傳感器來收集并分析關(guān)于硅片參數(shù)和缺陷的數(shù)據(jù)。制造人員應(yīng)用測量學以確保產(chǎn)品性能，并做出關(guān)系到改善工藝性能的有意義的決定。 現(xiàn)代半導體器件物理與工藝 桂林電子科技大學 測量學和缺陷檢查 4 集成電路測量學 集成電路測量學使測量制造工藝的性能以確保達到質(zhì)量規(guī)范標準的一種必要的方法。 監(jiān)控片與有圖形的硅片 現(xiàn)代半導體器件物理與工藝 桂林電子科技大學 測量學和缺陷檢查 6 測量設(shè)備 在硅片制造中，用于性能測量的測量學設(shè)備有不同的類型。集成的測量儀器具有傳感器，這些傳感器允許測試工具作為工藝的一部分其作用并發(fā)生實時數(shù)據(jù)。一種測量成品率的方法涉及一個時期產(chǎn)出的那部分類型。高的成品率標準著工藝生產(chǎn)的產(chǎn)品合格并按設(shè)想進行。表中展示了主要的質(zhì)量測量，包括每一步進行測量的工藝部分。為生產(chǎn)可靠的管芯，這些薄膜的質(zhì)量是高成品率制造工藝的基礎(chǔ)。）或者更小來測試。它與薄膜的電阻率和厚度有關(guān)。 ()ssRt? ?2 ( / )s V s c mI??? ? ?現(xiàn)代半導體器件物理與工藝 桂林電子科技大學 測量學和缺陷檢查 12 方塊電阻（不透明薄層）方塊電阻間接用于測量淀積在絕緣襯底的不透明導電膜的厚度，例如金屬、硅化物或半導體膜。 現(xiàn)代半導體器件物理與工藝 桂林電子科技大學 測量學和缺陷檢查 14 反射光譜學 當光在一個物體表面反射時，結(jié)構(gòu)的反射經(jīng)常用于描述位于不吸收光的硅片襯底上的吸收光介質(zhì)層的層厚特性（見圖）。當受激電阻落入低的能態(tài)，發(fā)射出 X射線光子（簡稱熒光），光子的能量代表薄膜原子的特性。這種回聲引起了反射率的輕微改變，該變化在硅片表面可被測得（見圖）。通過分析由于薄膜淀積造成的襯底曲率半徑變化來進行應(yīng)力測量，并應(yīng)用于包括金屬、介質(zhì)和聚合物在內(nèi)的標準薄膜。折射率的改變表明薄層中有沾污，并造成厚度測量不正確?，F(xiàn)在的工藝使用雜質(zhì)濃度界于 1010個原子每平方厘米到大約 1018個原子每平方厘米之間。在生產(chǎn)線外的測量方面，具有整個硅片定位的二次離子質(zhì)譜儀（ SIMS）近來已被用作
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