薄膜成膜技術(shù)ppt課件-wenkub
2023-05-27 13:55:40 本頁面
【正文】 附著能力，只能用一些中間層來改善，如用鉻，鎳鉻，鈦，鎢等打底。第四章 薄膜成膜技術(shù) 本章重點(diǎn)介紹了常用的薄膜材料性能；干式薄膜成膜方法；電路圖形形成技術(shù)等。 電遷移：金屬原子在電流作用下產(chǎn)生的定向遷移，其結(jié)果是在導(dǎo)線中產(chǎn)生 原子堆積形成的小丘或原子缺乏形成的空洞，造成電路短路或開路。 6) NiCrAu ? 薄膜導(dǎo)體中應(yīng)用最廣泛的是 NiCrAu,其構(gòu)成是先蒸鍍 微米的 NiCr合金膜，再蒸鍍 Au ? 這種膜層在 200~400攝氏度的干燥氮?dú)庵蟹胖?24小時(shí)，阻值會(huì)有明顯增加 7) TiAu ? 以 Ti為底層的 TiAu，對(duì)于所有種類的基板都顯示出相當(dāng)高的附著力。電阻 體薄膜實(shí)際使用的 TCR應(yīng)在 以下，且電性能穩(wěn)定。故常采用濺射技術(shù)沉積。一種是按干式和濕式分類。 濺射鍍是將放電氣體導(dǎo)入真空，在輝光放電下產(chǎn)生正離子加速轟擊處于陰極的靶材，使濺射出的原子沉積于基板上。 CVD法成膜材料范圍廣泛，除堿金屬，堿土金屬之外，幾乎所有的材料均可以成膜，特別適用于絕緣膜、超硬膜等特殊功能的膜的沉積。 本課程重點(diǎn)講述干式成膜法中的真空蒸發(fā)和離子濺射。真空度與氣壓是同一物理概念，真空度越高，氣壓越小 ，真空度越低，氣壓越大。此時(shí)，真空室中有兩種粒子，一種是蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子，另一種是殘余氣體分子。如果近似把粒子看成彈性球，它的有效直徑為 ，則粒子的碰撞頻率為： (1) 因?yàn)? 所以平均自由程為 (2) 可見，平均自由程僅與粒子的濃度和大小有關(guān)，與平均速度無關(guān)。 PV N kT? PnkT?22kTP? ???0A 0C3 15 * 1 0P???? 410P ?? 以上討論可知，在常用的真空度 ( 托 )下，分子的平均自由程 遠(yuǎn)大于源 — 基距，但在蒸發(fā)粒子總數(shù) N中總有一部分 與別的分子相 碰撞，這一部分粒子的自由程小于源 — 基距 ，碰撞幾率 可表示為： (5) 可見，僅當(dāng) 趨近于 0時(shí)， 才趨于 0，此時(shí)才不發(fā)生碰撞。 /1l ? ?/ ? ?30l cm? / ? ?? 510P ??4710 ~ 10?? 在真空中加熱被蒸發(fā)的物質(zhì)，使物質(zhì)由固相轉(zhuǎn)變?yōu)橐合啵@一過程稱為熔解。 若材料在密閉容器中蒸發(fā)，蒸汽壓強(qiáng)越來越大，蒸發(fā)速率則越來越小，最后達(dá)到飽和，單位時(shí)間內(nèi)液相變?yōu)闅庀嗟牟牧蠑?shù)量與從氣相返回液相的材料數(shù)量相等，這時(shí)的蒸氣壓強(qiáng)為恒值，稱為飽和蒸汽壓。 ? 因?yàn)? 總是大于 ，所以 為正，即飽和蒸汽壓隨溫度的升高而增大。原子逸出后，只具有動(dòng)能，其平均值為 ，對(duì)于常用的蒸發(fā)源溫度，提供的能量約為 ，可見，汽化熱主要用來克服固、液體中原子間吸引力所需要的能量。此時(shí)，沒有勢(shì)壘需要克服，氣體分子可以吸附凝結(jié)在基片表面任何位置上。如能量變化引起的解吸和表面遷移。 作為晶體產(chǎn)生的先決條件是液體或氣體達(dá)到過飽合、過冷卻狀態(tài)。晶核可分為兩類：一類是成膜材料因熱漲落形成的結(jié)晶中
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