衍射標(biāo)定ppt課件-wenkub
2023-05-20 18:11:42 本頁面
【正文】 ）各圓環(huán)。不同（ HKL）衍射圓錐 2?不同，但各衍射圓錐均共項(xiàng)、共軸。這就表明， 單晶電子衍射花樣是所有與反射球相交的倒易點(diǎn)（構(gòu)成的圖形）的放大像 。 設(shè)樣品至感光平面的距離為 L（可稱為相機(jī)長度）， O?與 P?的距離為 R，由圖 81可知 tan2?=R/L (82) tan2?=sin2?/cos2?=2sin?con?/con2?；而電子衍射 2?很小，有 con?? con2??1， ? 當(dāng)加速電壓一定時(shí)，電子波長 ?值恒定，則 ?L＝ C（ C為常數(shù)，稱為相機(jī)常數(shù) ）。 ? (2)由于物質(zhì)對(duì)電子的散射作用很強(qiáng)（主要來源于原子核對(duì)電子的散射作用，遠(yuǎn)強(qiáng)于物質(zhì)對(duì) X射線的散射作用），因而電子（束）穿進(jìn)物質(zhì)的能力大大減弱，故 電子衍射只適于材料表層或薄膜樣品的結(jié)構(gòu)分析 。第二十一章 電子衍射 ? 按入射電子能量的大小，電子衍射可分為 透射式高能 電子衍射 高能電子衍射 反射式高能電子衍射 低能電子衍射 電子衍射的類型 第一節(jié) 電子衍射原理 ? 電子衍射與 X射線衍射一樣，遵從衍射產(chǎn)生的必要條件（布拉格方程 +反射定律，衍射矢量方程或厄瓦爾德圖解等）和系統(tǒng)消光規(guī)律。 ? (3)透射電子顯微鏡上配置選區(qū)電子衍射裝置，使得薄膜樣品的 結(jié)構(gòu)分析與形貌觀察有機(jī)結(jié)合 起來，這是 X射線衍射無法比擬的優(yōu)點(diǎn)。 ? 故式（ 83）可改寫為 Rd=C （ 84） ? 按 g=1/d[g為 (HKL)面倒易矢量， g即 ?g?]，（ 84）又可改寫為 R=Cg （ 85） ? 由于電子衍射 2?很小， g與 R近似平行，故按式（ 85），近似有 R=Cg （ 86） ? 式中： R—— 透射斑到衍射斑的連接矢量，可稱衍射斑點(diǎn)矢量。 電子衍射基本公式的導(dǎo)出 ? 注意：放大像中去除了權(quán)重為零的那些倒易點(diǎn)，而倒易點(diǎn)的權(quán)重即指倒易點(diǎn)相應(yīng)的（ HKL）面衍射線之 ?F?2值。 ? 各共頂、共軸（ HKL）衍射圓錐與垂直于入射束的感光平面相交，其交線為 一系列同心圓 （稱衍射圓環(huán)）即為 多晶電子衍射花樣 。下面以立方晶系多晶電子衍射花樣指數(shù)化為例。 ? 因此， 由測(cè)量各衍射環(huán) R值獲得 R2順序比，以之與 N順序比對(duì)照，即可確定樣品點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)類型并標(biāo)出各衍射環(huán)相應(yīng)指數(shù)。若已知相機(jī)常數(shù) C，則按 d＝ C／ R，由各衍射環(huán)之 R，可求出各相應(yīng)晶面的 d值。 ? 單晶電子衍射花樣標(biāo)定時(shí)除應(yīng)用衍射分析基本公式外還常涉及以下知識(shí)：?jiǎn)尉а苌浠拥闹芷谛?。設(shè) RR2與 R3終點(diǎn) (衍射斑點(diǎn) )指數(shù)為 H1K1L H2K2L2和 H3K3L3，則有 H3=H1+H K3=K1+K2和 L3＝ L1+L3。 ? ① 選取靠近中心斑的不在一條直線上的幾個(gè)斑點(diǎn) (應(yīng)包括與中心斑組成特征平行四邊形的 3個(gè)斑點(diǎn) )。 ? ⑤ 由各 N值確定各晶面族指數(shù) ?HKL?。 ? ⑨ 求晶帶軸 嘗試 核算法 表 82 圖 87所示電子衍射花樣標(biāo)定過程 (2)立方晶系樣品 (未知點(diǎn)陣類型及點(diǎn)陣常數(shù) )電子衍射花樣標(biāo)定 ? ① 選取衍射斑點(diǎn)，測(cè)量各斑點(diǎn) R及各 R之夾角大小。 ? ④ 以 N和 ?校核按矢量運(yùn)算求出的各斑點(diǎn)指數(shù)。 注意： ? 實(shí)質(zhì)仍為嘗試 核算法 ? (4)非立方晶系樣品電子衍射花樣標(biāo)定 ? 非立方晶系電子衍射花樣仍可采用嘗試 核算法標(biāo)定，但由于其衍射斑點(diǎn)之 R與晶面指數(shù)間關(guān)系
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