模擬集成電路ppt課件-wenkub
2023-05-16 02:37:18 本頁(yè)面
【正文】 輸出差模電流： xyId IIiiiiA /)/()( 2134 ??????與 A回路相比，輸入輸出電流極性相反。 ?rco III ?? 3 圖 6－ 22 閉環(huán)負(fù)反饋電流源 （五）多路恒流源 )1/()1( ????? bor InII如圖 (a)， 各管特性一致，則： n越大， Δ越大，故可采用 (b)電路以使 Io與 Ir接近相等。 一 鏡像電流源電路 （一）基本恒流源 第三節(jié) 電流模電路 則基準(zhǔn)電流 ? ??/211211 ????? cbbcr IIIII若 Ib1= Ib2, Ic1 = Ic2, ??? ??21若 1??? ,則有 RUEIIbecrc /)(1 ???因?yàn)?T1 、 T2構(gòu)造相同， Ube相同，所以 Ic相同。 UT =25mV范圍內(nèi)， Uo與 Ui成線(xiàn)性關(guān) 系。 （利用 NPN管 β大彌補(bǔ) PNP管 β小，利用 PNP管反向擊穿電壓高提高差模輸入電壓范圍。 ?eeLeefeiebLfeUc RRRhhRRhA22)1(39。對(duì) “ 單－雙 ” 和“ 雙－雙 ” 狀態(tài) 1單端輸入方式： 圖 6－ 12 單端輸入、輸出方式 iebLfeUd hRRhA??? 39。 20% 雖集成化電阻阻值誤差大，但為同向偏差，匹配誤差?。ㄐ∮?3％） 6 電容 MOS電容： 利用 SiO2保護(hù)層作絕緣介質(zhì)，用金屬板和半導(dǎo)體作電容極板 電容量與氧化物厚度成反比，與極板面積成正比，單位面積電容量不大但漏電較小，擊穿電壓較高 結(jié)電容： 由反向 PN結(jié)構(gòu)成，容量與結(jié)面積成正比，擊穿電壓低，漏電流大，但單位面積電容值高 集成電路元件平面圖 二 集成化元器件特點(diǎn) 4 集成電路中的寄生參量存在會(huì)引起元件間的寄生耦合，影響電路穩(wěn)定，使電路產(chǎn)生寄生振蕩 1 集成電路工藝不能制作 電感 ，超過(guò) 100pF的大電容 因占用面積大也不易制作，故集成電路中不采用 阻 容耦合 ，而采用 直接耦合 2 電阻阻值越大占用硅片面積越大，一般 幾十 ?至 幾 十 K?， 盡量用 晶體管 代替電阻電容 3 單個(gè)精度不高，受溫度影響大，但同一晶片上相鄰 元件在制作尺寸和溫度上有同向偏差，對(duì)稱(chēng)性好， 故大量采用 差放電路 及放大倍數(shù)取決于電阻比值的 負(fù)反饋放大器 第二節(jié) 集成差分放大電路 （一）差分放大電路的組成： 由對(duì)稱(chēng)的兩個(gè)基本放大電路通過(guò)射極公共電阻 Ree耦合構(gòu)成 。第六章 雙極型模擬集成電路 集成化元、器件及其特點(diǎn) 集成差分放大電路 電流模電路 功率輸出級(jí)電路 集成運(yùn)算放大器 第二節(jié) 第一節(jié) 第五節(jié) 第四節(jié) 第三節(jié) 第一節(jié) 集成化元、器件及其特點(diǎn) 一 集成電路工藝簡(jiǎn)介 以制造 NPN管的工藝流程為例 氧化 光刻 隱埋層擴(kuò)散 外延和氧化 隔離擴(kuò)散 選擇隔離槽 P型硅片 1 平面工藝 2 電路元件制造工藝 基區(qū)擴(kuò)散 發(fā)射區(qū)擴(kuò)散 蒸鋁 NPN 選擇基區(qū) 選擇發(fā)射區(qū) 選擇電極 引線(xiàn)窗口 選擇要去 除的鋁層 硅片上的管芯 集成電路的封裝 (a)雙列直插式 (b)圓殼式 二 集成化元、器件 1 NPN晶體管 在 P型硅片襯底上擴(kuò)散 N＋ 隱埋層，生長(zhǎng) N型外延層，擴(kuò)散 P型基區(qū)， N ＋ 型發(fā)射區(qū)和集電區(qū) 2 PNP晶體管 從隔離槽 P＋ 上引出集電極，載流子沿晶體管斷面的垂直方向運(yùn)動(dòng) 優(yōu)點(diǎn)： 制造方便 基區(qū)較 NPN寬 特征頻率高 輸出電流大 缺點(diǎn) 由于隔離的需要， C極必須接電路電源最低電位 常作射極跟隨器 1)縱向 PNP管 (2)橫向 PNP管 : 發(fā)射極和集電極橫向排列，載流子沿?cái)嗝嫠竭\(yùn)動(dòng)。 一、差分放大電路的工作原理： 對(duì)稱(chēng) 指兩個(gè)三極管特性一致、電路參數(shù)相等 Rb1= Rb2 = Rb, Rc1= Rc2 = Rc, ?1= ?2 = ?, rbe1= rbe2 = rbe, IbQ1= IbQ2, IcQ1= IcQ2, Ube1= Ube2, Uc1= Uc2, 信號(hào)輸入方式 雙端輸入： 輸入信號(hào)接在兩個(gè)輸入端間 單端輸入： 輸入信號(hào)接在一個(gè)輸入端與地間，另一端接地 差放輸出方式 雙端輸出（平衡輸出）： 輸出取自?xún)蓚€(gè)集電極之間 單端輸出（不平衡輸出）： 輸出取自一個(gè)集電極與地間 差模信號(hào)： 是指在差放兩個(gè)輸入端接入兩個(gè)幅度相等、極性相反的信號(hào)，記為， Uid1 ,Uid2 Uid1 = Uid2 = Uid （二）對(duì)差模信號(hào)的放大作用 圖 68(a) 雙端輸入雙端輸出差放 Ie1 Ie2 雙端輸入雙端輸出時(shí)： iebLfeidohRRhUU????39。2//39。39。 ) 圖 6－ 14(b) 共集－共基差放 四 共模負(fù)反饋差放 兩級(jí)共模負(fù)反饋 第一級(jí)： T T T3構(gòu)成恒流源差放 第二級(jí)： T T5構(gòu)成典型差放 R R2構(gòu)成兩級(jí)電流負(fù)反饋，抑制共模信號(hào) 圖 6－ 15 共模負(fù)反饋差放 ????????????????????4222251111eccbiceccbicIUIIUIUIIU ????????2132 cceR IIIU????????????????????4222251111eccbideccbidIUIIUIUIIU 02 ??? RU?對(duì)差模信號(hào)無(wú)負(fù)反饋?zhàn)饔? ?抑制共模信號(hào)過(guò)程 五 差放的傳輸特性 傳輸特性： 輸出集電極電流 Ic與輸入差模電壓 Ui的函數(shù)關(guān)系及輸出電壓 Uo與差模電壓 Ui的函數(shù)關(guān)系 (一 ) Ic 隨 Ui的變化曲線(xiàn) ? ? )1( /121 12 TBEBE UUUEEEo eiiiI ?????iBEBE UUU ?? 21?)1()1( /2/1 TiTi UUEUUEo eieiI ????? ?2211 , EcEc iiii ?
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