模擬集成電路ppt課件-wenkub
2023-05-16 02:37:18 本頁面
【正文】 輸出差模電流： xyId IIiiiiA /)/()( 2134 ??????與 A回路相比，輸入輸出電流極性相反。 ?rco III ?? 3 圖 6－ 22 閉環(huán)負反饋電流源 （五）多路恒流源 )1/()1( ????? bor InII如圖 (a)， 各管特性一致，則： n越大， Δ越大，故可采用 (b)電路以使 Io與 Ir接近相等。 一 鏡像電流源電路 （一）基本恒流源 第三節(jié) 電流模電路 則基準電流 ? ??/211211 ????? cbbcr IIIII若 Ib1= Ib2, Ic1 = Ic2, ??? ??21若 1??? ,則有 RUEIIbecrc /)(1 ???因為 T1 、 T2構(gòu)造相同， Ube相同，所以 Ic相同。 UT =25mV范圍內(nèi)， Uo與 Ui成線性關(guān) 系。 （利用 NPN管 β大彌補 PNP管 β小，利用 PNP管反向擊穿電壓高提高差模輸入電壓范圍。 ?eeLeefeiebLfeUc RRRhhRRhA22)1(39。對 “ 單－雙 ” 和“ 雙－雙 ” 狀態(tài) 1單端輸入方式： 圖 6－ 12 單端輸入、輸出方式 iebLfeUd hRRhA??? 39。 20% 雖集成化電阻阻值誤差大，但為同向偏差，匹配誤差?。ㄐ∮?3％） 6 電容 MOS電容： 利用 SiO2保護層作絕緣介質(zhì)，用金屬板和半導體作電容極板 電容量與氧化物厚度成反比，與極板面積成正比，單位面積電容量不大但漏電較小，擊穿電壓較高 結(jié)電容： 由反向 PN結(jié)構(gòu)成，容量與結(jié)面積成正比，擊穿電壓低，漏電流大，但單位面積電容值高 集成電路元件平面圖 二 集成化元器件特點 4 集成電路中的寄生參量存在會引起元件間的寄生耦合，影響電路穩(wěn)定，使電路產(chǎn)生寄生振蕩 1 集成電路工藝不能制作 電感 ，超過 100pF的大電容 因占用面積大也不易制作，故集成電路中不采用 阻 容耦合 ，而采用 直接耦合 2 電阻阻值越大占用硅片面積越大，一般 幾十 ?至 幾 十 K?， 盡量用 晶體管 代替電阻電容 3 單個精度不高，受溫度影響大，但同一晶片上相鄰 元件在制作尺寸和溫度上有同向偏差，對稱性好， 故大量采用 差放電路 及放大倍數(shù)取決于電阻比值的 負反饋放大器 第二節(jié) 集成差分放大電路 （一）差分放大電路的組成： 由對稱的兩個基本放大電路通過射極公共電阻 Ree耦合構(gòu)成 。第六章 雙極型模擬集成電路 集成化元、器件及其特點 集成差分放大電路 電流模電路 功率輸出級電路 集成運算放大器 第二節(jié) 第一節(jié) 第五節(jié) 第四節(jié) 第三節(jié) 第一節(jié) 集成化元、器件及其特點 一 集成電路工藝簡介 以制造 NPN管的工藝流程為例 氧化 光刻 隱埋層擴散 外延和氧化 隔離擴散 選擇隔離槽 P型硅片 1 平面工藝 2 電路元件制造工藝 基區(qū)擴散 發(fā)射區(qū)擴散 蒸鋁 NPN 選擇基區(qū) 選擇發(fā)射區(qū) 選擇電極 引線窗口 選擇要去 除的鋁層 硅片上的管芯 集成電路的封裝 (a)雙列直插式 (b)圓殼式 二 集成化元、器件 1 NPN晶體管 在 P型硅片襯底上擴散 N＋ 隱埋層，生長 N型外延層，擴散 P型基區(qū)， N ＋ 型發(fā)射區(qū)和集電區(qū) 2 PNP晶體管 從隔離槽 P＋ 上引出集電極，載流子沿晶體管斷面的垂直方向運動 優(yōu)點： 制造方便 基區(qū)較 NPN寬 特征頻率高 輸出電流大 缺點 由于隔離的需要， C極必須接電路電源最低電位 常作射極跟隨器 1)縱向 PNP管 (2)橫向 PNP管 : 發(fā)射極和集電極橫向排列，載流子沿斷面水平運動。 一、差分放大電路的工作原理： 對稱 指兩個三極管特性一致、電路參數(shù)相等 Rb1= Rb2 = Rb, Rc1= Rc2 = Rc, ?1= ?2 = ?, rbe1= rbe2 = rbe, IbQ1= IbQ2, IcQ1= IcQ2, Ube1= Ube2, Uc1= Uc2, 信號輸入方式 雙端輸入： 輸入信號接在兩個輸入端間 單端輸入： 輸入信號接在一個輸入端與地間，另一端接地 差放輸出方式 雙端輸出（平衡輸出）： 輸出取自兩個集電極之間 單端輸出（不平衡輸出）： 輸出取自一個集電極與地間 差模信號： 是指在差放兩個輸入端接入兩個幅度相等、極性相反的信號，記為， Uid1 ,Uid2 Uid1 = Uid2 = Uid （二）對差模信號的放大作用 圖 68(a) 雙端輸入雙端輸出差放 Ie1 Ie2 雙端輸入雙端輸出時： iebLfeidohRRhUU????39。2//39。39。 ) 圖 6－ 14(b) 共集－共基差放 四 共模負反饋差放 兩級共模負反饋 第一級： T T T3構(gòu)成恒流源差放 第二級： T T5構(gòu)成典型差放 R R2構(gòu)成兩級電流負反饋，抑制共模信號 圖 6－ 15 共模負反饋差放 ????????????????????4222251111eccbiceccbicIUIIUIUIIU ????????2132 cceR IIIU????????????????????4222251111eccbideccbidIUIIUIUIIU 02 ??? RU?對差模信號無負反饋作用 ?抑制共模信號過程 五 差放的傳輸特性 傳輸特性： 輸出集電極電流 Ic與輸入差模電壓 Ui的函數(shù)關(guān)系及輸出電壓 Uo與差模電壓 Ui的函數(shù)關(guān)系 (一 ) Ic 隨 Ui的變化曲線 ? ? )1( /121 12 TBEBE UUUEEEo eiiiI ?????iBEBE UUU ?? 21?)1()1( /2/1 TiTi UUEUUEo eieiI ????? ?2211 , EcEc iiii ?
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