微細加工光刻膠ppt課件-wenkub
2023-05-14 02:09:49 本頁面
【正文】 子數(shù)在 范圍內(nèi)。 通常負膠的靈敏度高于正膠。 凡是在能量束（光束、電子束、離子束等）的照射下，以降解反應(yīng)為主的光刻膠稱為 正性光刻膠 ，簡稱 正膠 。 光刻膠的類型 光刻膠也稱為 光致抗蝕劑 （ Photoresist， P. R.）。 靈敏度太低會影響生產(chǎn)效率，所以通常希望光刻膠有較高的靈敏度。為保證 出現(xiàn)最低劑量時不少于規(guī)定劑量的 90%，也即 。 式中， Wmin 為最小尺寸，即分辨率。 m i nm i n 10qN qWSS?? 對比度 對比度是上圖中對數(shù)坐標(biāo)下曲線的斜率，表示光刻膠區(qū)分掩模上亮區(qū)和暗區(qū)的能力的大小，即對劑量變化的敏感程度。 通常正膠的對比度要高于負膠。如果光學(xué)系統(tǒng)的 MTF 小于 CMTF，則其圖像就不能被分辨；如果光學(xué)系統(tǒng)的 MTF 大于 CMTF，就有可能被分辨。正膠的主要優(yōu)點是分辨率高，缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。最常用的是COP 膠，典型特性：靈敏度 ~ ?C/cm2（加速電壓 10KV 時）、分辨率 ?m 、對比度 。 PMMA 膠的主要優(yōu)點是分辨率高。 式中， A 、 R 為常數(shù)， T 為絕對溫度， EA 為化學(xué)反應(yīng)激活能，隨電子狀態(tài)的不同而不同。 S0 S1 S2 S3 T1 88Kcal 72Kcal EA(S1) = 16Kcal EA(S0) = 38Kcal RN 與 N2 的間距 勢能 感光分子吸收 λ= 365 nm 的光能（ 72 Kcal ）后 ，電子從基態(tài) S0 躍遷到第一激發(fā)態(tài) S1 ，激活能由 EA(S0) = 38 Kcal 降為 EA(S1) = 16 Kcal ，反應(yīng)速度加快。由 T1 態(tài)的曲線可見 ，RNN2 的距離越遠，分子的勢能越低，所以處于 T1 態(tài)的分子將立即發(fā)生反應(yīng)而不需激活能。 脫水烘烤 目的是去除硅片表面吸附的水分。 涂膠 一般采用旋涂法。 曝光 曝光后的烘焙 對紫外線曝光可不進行，但對深紫外線曝光則必須進行。
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