【正文】 U1 I3’= = U2?R3//R1 (R2+R3//R1)R3 I3’’= = ? R2//R3 R3 U1 U2 R1 R2 R3 +140V +90V 20? 5? 6? I3 33 ? ? c d E R1 R2 R3 R4 IS1 IS2 ? ? a b 解 : 求 E單獨作用時的 Uab’. 求 E去除后的 Uab Uab’ ’= UabUab’ =10 – 3 =7V Uab’= = 3V E?R 4R 例 : 已知 R1=R2=R3=R4=R。 求節(jié)點電壓 UA UA E1 E2 E3 IS R1 R2 R3 R4 R5 I1 I2 I3 I4 I5 ? 29 I1= E1 UA R1 I2= E2+ UA R2 I3= E3 + UA R3 I5= UA R5 I4= IS R U A E I = + + 路電流方向相同取 “ +‖,反之取 “ ‖。 ? 利用 KVL 對 m個網(wǎng)孔列出 m個電壓方程 , 聯(lián)立解之 . ? 利用 KCL對 n 個節(jié)點列出 n1個電流方程 。 三、 電壓源與電流源等效變換 IS的方向與電動勢 E的方向相同 。已知各電阻均為 10?. R R R R R a b Rab= 5 ?. 15 例 ：求 Rab 2? 2? 3? 6? 4? 4? 1? a b 3? 6? 1? 2? 1? a b 3? 1? 6? 3? a b Rab = ? 16 例 . 求 a、 b兩點電位 Ua和 Ub R1 R2 R3 R4 U 30? 4? 6? 8? 204V a b R1 R2 R34 U 30? 6? 12? 204V a R1 R2 R3 R4 U 30? 4? 6? 8? 204V a b Ua= R1+R234 U R234 =24V R1 R234 U 30? 4? 204V a Ub= R3+R4 Ua R4 = 16V 17 一、 電壓源 －－電壓源外特性方程 理想電壓源的特性： 若 Rs= 0 1． U與外電路無關； 2． I 取決于外電路。 即 ? U= 0 U1 U2 R1 R2 R3 I1 I2 I3 根據(jù) KVL, 得 U1 + I1R1 + I2R3 = 0 例： 二 . 基爾霍夫電壓定律 ( KVL ) 12 二、 并聯(lián) 兩上以上電阻并行聯(lián)接稱 并 聯(lián) 。在計算機領域內只出點子、從來不動手實現(xiàn)的人不容易出大成果。 主動思考、大膽懷疑、勤于提問、勇于創(chuàng)新 ；善于發(fā)現(xiàn)、精于動手、在實踐中研究，在研究中學習。 廣泛閱讀相關書刊，關注電子技術的新發(fā)展，了解新器件、新產(chǎn)品、新技術。一個新思想和新方案的提出者往往也是第一個實現(xiàn)者，這似乎是一規(guī)律。 R1 R2 a b Rab = R1 + R2 R1 R2 a b Rab = 即 R1R2 R1 + R2 Rab = 1 R1 1 R2 1 + 16 電阻的串聯(lián)與并聯(lián) 兩個以上電阻串行 連接稱為 串聯(lián) 。 U = E I Rs 則 U = E 理想電壓源。 21 例： 求等效 Is Is=Is1+Is2 a Is1 Is2 b Is b a 例： 求等效 E E=E1+E2 E2 E1 a b E a b 22 例 :求 UIS = ? 解 : UIS = UR – U Is U I UIS 2A 10V R UR 2? 例： 求 I、 Ius=？ I =Us / R = 10 / 2 = 5A Ius= Is I = 2 – 5 = 3A Us I Is Ius 2A 10V R 2? = IS R – U = 6V 23 例 : 求 I . 3A I 6Ω 2Ω 2Ω 4A 8V 2Ω 6V 2Ω 6Ω I U1 12V 6 Ω I1 2A 3Ω 2Ω 6Ω I2 3A I I= (86) / 10 = 2A 6Ω I1 2A 3Ω 6Ω I 2Ω I2 3A 電流源的方向？ 電壓源的方向？ 電壓源的方向？ 24 U1 140V 20? 5? 6? U2 90V R1 R2 R3 I1 I2 I3 例 : 如圖求各支路電流 解 : 聯(lián)立解得 : I1 + I2 I3 = 0 U1= I1R1 + I3R3 U2 = I2R2 + I3R3 I1 = 4A。 1 8 支路電流法 25 A UA IS R IS1 IS2 IS3 IS4 R1 R2 R3 R4 UA E1 R1 R2 R3 R4 E2 E3 E4 I1 I2 I3 I4 例 :求各支路 電流。 節(jié)點電壓法： 求各支路電流 I UA E1 E2 E3 IS R1 R2 R3 R4 R5 I1 I2 I3 I4 I5 ? 30 ? ? c d E R1 R2 R3 R4 IS1 IS2 ? ? a b 例 : 已知 R1=R2=R3=R4=R。 Uab=10V,E=12V,若將 E去掉 ,并將 cd 短接 ,此時 Uab’ ’=? 哇！用疊加原理真方便耶！ 34 E等于有源二端網(wǎng)絡的開路電壓 Uab； R0等于電路中所有電壓源短路、電流源開路后，由 ab 端看進去的等效電阻 Rab。 1. Uab = (150 + 20 ) (120) = 10V 2. R0 = Rab = 0 3. I = = 1A Uab R4 b a ? ? 37 2 – 2 動態(tài)電路的過渡過程和 初始條件 (換路定則 ) 設： 開關 動作前 的瞬間 t = 0 開關 動作中的 瞬間 t = 0 開關 動作后 的瞬間 t = 0+ 一 . 電容元件換路定則 u C( 0 ) = u C ( 0+ ) 二 . 電感元件換路定則 i L ( 0 ) = i L ( 0+ ) U iL uC R R S L C 第 二 章 電路的過渡過程（ 暫態(tài)分析 ） 38 例 : 求 t = 0 和 t = 0+ 時各電流和電壓值 . Is 10mA k 2K R1 R2 1k R3 2k L uR iR ic uc iL uL ik U 解： t = 0 時 (設各電量均已處于穩(wěn)態(tài)） U = Is (R1 // R3) =10*1= 10V t = 0+ 時 U = 0V t = 0 和 t = 0+ 時各電流和電壓值見下表： 39 iC uL iK iR uR uC iL t 0 0+ 0 U / R1 =5mA 10V 10V 0 0 U / R3 =5mA Is+iciL =15mA 0 0 Uc/ R2 =10mA 10V 5mA 10V Is 10mA K 2K R1 R2 1k R3 2k L uR iR ic uc iL uL iK U 經(jīng)過足夠長的時間后， iK ＝？ 10mA 40 一 . RC電路的零輸入響應 （ 釋能過程 ） 1. 電壓響應 S由 1轉向 2 后： uR + uC = 0 因為 uR = ic*R duC dt 所以 RC + uc = 0 U uC C R S uR ic 1 2 解得通解： uc=A t RC e 式中 A為積分常數(shù)。 tp時： u i = u C 又 u i = u C tp ? 5? 條件 uC uR R C U S 1 2 ui 一 . 微分電路 若 S往復運動， （ 條件 RC t p ） 所以 u R=RC dui dt 因為 u R= iR=RC duc dt 2 7 微分電路與積分電路 50 tp 各段電路波形如下（ RC t p ）： RC = ? 很大 C uC R uR ui 由波形圖可知，當 RC 187。 硅原子 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 價電子 共價鍵 53 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 價電子成為 自由電子 后留下的空位稱為 空穴 。 ? 價電子 ? 自由電子 ? 空穴 54 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Si Si Si Si Si Si Si Si (1) N型半導體 硅 材料中 （ 四價元素 ）摻入微量元素 磷 （ 五價元素 ），產(chǎn)生大量自由電子，形成 N型半導體。 55 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Si Si Si Si Si Si Si Si Si (2) P 型半導體 硅 材料中（ 四價元素 ）摻入微量元素 硼 （ 三價元素 ），產(chǎn)生大量空穴，形成 P型半導體。 59 (1) 勢壘電容 CB 外加反向電壓時，空間電荷區(qū)載流子很少，相當于 介質 ，并有一定 厚度 ， PN結有一定的 面積 ，從而形成電容效應。 設 D1導通， D2將 U2隔離 隔離 則 UA=9V， 故 D2截止 構成邏輯運算電路 A+B 或 運算 與 運算 A?B U1 U2 10V 3V R11K R21K D1 D2 R3 9K UA=? A ＋ ＋ U1 U2 10V 3V R11K R21K D1 D2 R3 9K UA=? A （一） 符號 （二） VA特性 E=200lx 400lx up(v) 2 4 6 8 10 ip(?A) 50 600lx 71 五、 發(fā)光二極管（ LED） 特性： 外加正向電壓，空穴與電子復合時釋放能量，從而發(fā)光。 75 (2)放大區(qū) : (3)飽和區(qū) : (1)截止區(qū) : UCE IC IB=0 20 40 60 80?A UBE 。 UCE ≈ 。 ICEO IC UCE IB=0 20 40 60 79 過耗區(qū) 最大允許耗散功率 PCM PCM = IC UCE IC UCE PCM=ICUCE 80 MOS管 的兩種類型 ： 增強型： 無原始導電溝道。 ID UDS UGS ? ? ? 3. 工作原理 （單極性載流子運動） ? 固定 UDS，調節(jié) UGS ： ? 固定 UGS，調節(jié) UDS ： 真的完全是這樣嗎？ 82 UGS UDS 測試電路 ： (1)轉移特性曲線 (2)漏極特性曲線 A ID V UDS V UGS UDS=常數(shù) ID UGS 1V 無溝道 3V 2V 4V 開啟電壓 UT ? UGS(th) 4. 特性曲線 ID UDS UGS=常數(shù) 83 (1) 開啟電壓