【正文】 的關系與 P 區(qū)電子濃度的變化相同。在實際應用中，常用微變電容作為參數，變容二極管就是勢壘電容隨外加電壓變化比較顯著的二極管。 勢壘電容 Cb 是由 空間電荷區(qū)引起的。齊納擊穿主要發(fā)生在兩側雜質濃度都較高的 PN 結，一般反向擊穿電壓小于 4Eg/q（ Eg—PN 結量子阱禁帶能量，用電子伏特衡量，Eg/q 指 PN 結量子阱外加電壓值，單位為伏 特）的 PN 的擊穿模式就是齊納擊穿，擊穿機理就是強電場把共價鍵中的電子拉出來參與導電，使的少子濃度增加，反向電流上升。當外加正 向電壓，即 V 為正值，且 V 比 VT大幾倍時， 1e TVV ?? ，于是 TVVs eII ?? ，這時正向電流將隨著正向電壓的增加按指數規(guī)律增大， PN 結為正向導通狀態(tài) .外加反向電壓，即 V 為負值，且 |V|比 VT大幾倍時， 1e TVV ?? ，于是 sII ?? ，這時 PN 結只流過很小的反向飽和電流，且數值上基本不隨外加電壓而變， PN 結呈反向截止狀態(tài)。（ √ ） 溫度升高時， PN 結的反向飽和電流將減小。（ ） 在 N 型半導體中，摻入高濃度三價元素雜質，可以改為 P 型半導體。 當 PN 結外加正向電壓時，擴散電流 大于 漂移電流，耗盡層 變窄 。當外加反向電壓時，擴散電流 小于 漂移電流，耗盡層 變寬 。（ √ ） 擴散電流是由半導體的雜質濃度引起的，即雜質濃度大，擴散電流大；雜質濃度小，擴散電流小。（ ） PN 結加正向電壓時，空間電荷區(qū)將變寬。 PN結的伏安特性也可用特性曲線表示，如圖 所示 .從式 ()伏安特性方程的分析和圖 特性曲線（實線部分）可見： PN 結真有單向導電性和非線性的伏安特性。 雪崩擊穿主要發(fā)生在 “PN”結一側或兩側的雜質濃度較低 “PN”結，一般反向擊穿電壓高于 6 Eg/q 的 “PN”結的擊穿模式為雪崩擊穿?？臻g電荷區(qū)內有不能移動的正負離子，各具有一定的電量。 擴散電容 Cd 是載流子在擴散過程中的積累而引起的。因此，外加電壓增加 △ V 時所出現的正負電荷積累變化 △ Q，可用擴散電容 Cd 來模擬。勢壘電容和擴散電容的大小都與 PN 結面積成正比。 在常溫下，發(fā)光二極管的正向導通電壓約 ~2V ， 高于 硅二極管的門限電壓；圖 P 區(qū)中電子濃度的分布曲線及電荷的積累 考慮發(fā)光二極管的發(fā)光亮度和壽命，其工作電流一般控制在 5~10 mA。 a. 多數載流子擴散形成 b. 多數載流子漂移形成 c. 少數載流子漂移形成 d. 少數載流子擴散形成 PN 結反向偏置電壓的數值增大，但小于擊穿電壓，（ c ）。 a. 正向運用 b. 反向運用 三、問答題 溫度對二極管的正向特性影響小，對其反向特性影響大，這是為什么？ 答：正向偏置時，正向電流是多子擴散電流，溫度對多子濃度幾乎沒有影響，因此溫度對二極管的正向特性影響小。它們的反向飽和電流分別為 5mA 和 A. ?20 ，在外加相同的正向電壓時的電流分別為 20mA 和 8mA，你認為哪一個管的性能較好？ 答： B 好，因為 B 的單向導電性好；當反向偏置時，反向飽和電流很小，二極管相當于斷路，其反向偏置電阻無窮大。擊穿后并不意味著 PN 結損壞，當加在穩(wěn)壓管上的反向電壓降低以后，管子仍然可以恢復原來的狀態(tài)。（設AIS ?10? ） 解：由公式 ? ? ? ?D D Tq V / K T V / VD S SI I e I e? ? ? ?11 由于 AIS ?10? ， VT= 正向偏置 VD= 時 ? ? ? ? ? ? ? ?DTV / V . / .DSI I e e e A . A?? ? ? ? ? ? ? ?0 2 6 0 0 2 6 1 01 1 0 1 1 0 1 2 2 0 2 6 4 0 2 2 當反向偏置 DVV??1 時 DSI I A?? ? ? ?10 寫出題圖 所示各電路的輸出電壓值，設二極管均為理想二極管。 設題圖 中的二極管均為理想的（正向可視為短路，反向可視為開路），試判斷其中的二極管是導通還是截止，并求出 A 、 Q 兩端電壓 AOU 。當流 過的電流大時，指示的電阻小。 用 Rk??1 檔測量時，萬用表的直流負載線方程與二極管的特性曲線的交點為 C，萬用表的讀數為 V3/I3。 解：由題意可知： vi＝ 6sinωt(v) 在 vi 的正半周，二極管導通，電路的輸出電壓波形如圖 (a)、 (b)所示。 現有兩只穩(wěn)壓管，它們的穩(wěn)定電壓分別為 5V 和 8V，正向導通電壓為 。求題圖 所示電路中 VO1和 VO2各為多少伏。故 LO 2 I IL VRV V VRR? ? ? ? ???2 2020 52 0 0 0 2 0 0 0 。 題圖 所示的電路中，對于圖（ a）所示的電路，當 ivV?3 時，穩(wěn)壓管 DZ反向擊穿， vo＝ vi ?3V，當 ivV?3 時，穩(wěn)壓管 DZ未擊穿， vo＝ 0V。故 Lo L ViRv v .RR? ? ?? 3 3 3 當 vi＝ 15V 時，穩(wěn)壓管中的電流大于最 小穩(wěn)定電流 IZmin，所以 vO＝ VZ＝ 6V 同理，當 vi＝ 35V 時， vO＝ VZ＝ 6V。 對應題圖 (a)電路的輸出電壓的波形如圖 (a)所示。試問： （ 1）開關 S 在什么位置時發(fā)光二極管才能發(fā)光？ （ 2） R 的取值范圍是多少？ 解：（ 1） 當開關 S 閉合時 發(fā)光二極管才能發(fā)光。 3. 在半導體中，溫度變化時 少 數載流子的數量變 化較大，而 多 數載流子的數量變化較小。 7. 三極管的三個工作區(qū)域分別是 飽和區(qū) 、 放大區(qū) 和 截止區(qū) 。 11. 為了使高內阻信號源與低電阻負載能很好的配合，可以在信號源與低電阻負載間接入 共集電極 組態(tài)的放大電路。 13. 穩(wěn)定靜態(tài)工作點的常用方法有 射極偏置電路 和 集電極－基極偏置電路 。 16. 共集電極放大電路的輸入電阻很 大 ，輸出電阻很 小 。 23.“小信號等效電路 ”中的 “小信號 ”是指 “小信號等效電路 ”適合于微小的變化信號的分析，不適合靜態(tài)工作點和電流電壓的總值的求解 ，不適合大信號的工作情況分析 。 27. 對放大器的分析存在 靜態(tài) 和 動態(tài) 兩種狀態(tài)，靜態(tài)值在特性曲線上所對應的點稱為 Q 點 。 31. NPN 三極管輸出電壓的底部失真都是 飽和 失真。 35. 不論何種組態(tài)的放大電路，作放大用的三極管都工作于其輸出特性曲線的放大區(qū)。 37. 電壓跟隨器指共 集電 極電路，其 電壓 的放大倍數為 1； 電流跟隨器指共 基 極電路，指 電流 的放大倍數為 1。 41. 在題圖 電路中，某一參數變化時， CEQV 的變化情況（ a. 增加， b，減小， c. 不變，將答案填入相應的空格內）。 （ 4） sR 增加時， CEQV 將 不變 。（在相應的空格內填 “增大 ”、 “減小 ”或 “基本不變 ”。 43. 放大器的頻率特性表明放大器對 不同頻率信號 適應程度。 46. 放大器 有兩種不同性質的失真，分別是 線性 失真和 非線性 失真。 和 +45186。/十倍頻 。 （ 1） ， 5V， 3V； 解：鍺 NPN 型 BJT 管 VBE= V 所以為鍺管； 5V 為集電極， 為基極， 3V 為發(fā)射極， （ 2）－ 9V，－ 5V，－ 解：硅 PNP 型 BJT 管；－ 9V 為集電極，－ 為基極，－ 5V 為發(fā)射極 （ 3） 2V， ， 6V； 解： 硅 NPN 型 BJT 管 ； 6V 為集電極， 為基極， 2V 為發(fā)射極 （ 4） 5V， ， ； 解：硅 NPN 型 BJT 管； 5V 為集電極， 為基極， 為發(fā)射極 題圖 （ 5） 9V， ， 4V 解：硅 PNP 型 BJT 管 9V 為發(fā)射極， 為基極， 4V 為集電極 （ 6） 10V， ， 0V 解：硅 PNP 型 BJT 管， 10V 為發(fā)射極， 為基極， 0V 為集電極 （ 7） ， ， 12V； 解：硅 NPN 型 BJT 管， 12V 為集電極， 為基極， 為發(fā)射極， （ 8） 13V， ， 17V； 解：鍺 NPN 型 BJT 管， 17V 為集電極， 13V 為基極， 為發(fā)射極， （ 9） ， 6V， 9V； 解：硅 NPN 型 BJT 管， 9V 為集電極， 為基極， 6V 為發(fā)射極， 2. 判斷三極管的工作狀態(tài)和三極管的類型。,6 VVVVVV CEB ??? 答： NPN 管，工作在飽和狀 態(tài)。 4. 放大電路故障時，用萬用表測得各點電位如題圖 ，三極管可能發(fā)生的故障是什么？ 答：題圖 所示的三極管， B、 E 極之間短路，發(fā)射結可能燒穿。 ③ 。 題圖 題圖 6V 3V A 6V C 3V D 5V 0V B ① 輸入具有近似的恒壓特性，而輸出具有恒流特性。 8. 共發(fā)射極接法的晶體管，當基極與發(fā)射極間為開路、短路、接電阻 R 時的 c， e 間的擊穿電壓分別用 V（ BR） CEO ， V（ BR） CES和 V（ BR） CER表示，則它們之間的大小關系是 ② 。 ④ V（ BR） CES＞ V（ BR） CEO＞ V（ BR） CER。 答：題圖 所示的各個三極管的工作狀態(tài)，圖（ a）為放大， 圖（ b）為放大 ，圖（ c）為飽和， 圖（ d）為 C、 E 極間 擊穿。（ ） 丙：因電容 eC ，對交流有旁路作用，所以 eR 的變化對交流量不會有絲毫影響，因此，當 eR 增大時， vA 和 iR 均無變化。 乙的說法是正確的。 題圖 解： CBI mAI . m A? ? ? ?4 2020 ， .?? ???? 0 951 CBI mAI . m A?? ?? ? ?2 2020 .?? ???? 0 951 硅三極管的 CBO，I50?? 可以忽略，若接為題圖 （ a），要求 mAIC 2? ，問 ER 應為多大？現改接為圖 (b)，仍要求 BC RmAI 問,2? 應為多大？ 解： （ a） ? ?CB I mAIA??? ? ?2 4050 ? ?? ?EBBEEEBEEEI I . m AVIRV .R . kI.??? ? ???? ?? ? ?1 2 0466 6 0 7 262 04 （ b） ? ?CB I mAIA??? ? ?2 4050 C C B EB BVV .RkI. ?? ?? ? ?6 0 7 1320 0 4 在晶體管放大電路中，測得三個晶體管的各個電極的電位如題圖 所示，試判斷各晶體管的類型（ PNP 管還是 NPN 管，硅管還是 鍺管），并區(qū)分 e、 b、 c 三個電極。 在某放大電路中，晶體管三個電極的電流如題圖 所示，已測出 211 ?? ， 0302 ? ， 2313 ? ， 試判斷 e、 b、 c 三個電極，該晶體管的類型（ NPN 型還是PNP 型）以及該晶體管的電流放大系數 ? 。 當開關置于 B 位置時，晶體管工作在截止區(qū)， Ic=0。 圖（ b）不能放大，直流通路滿足發(fā)射結正偏、集電結反偏；交流通路信號不能順暢的輸入。 一個如題圖 （ a）所示的共發(fā)射極放大電路中的晶體管具有如題圖 （ b）的輸出特性，靜態(tài)工作點 Q 和直流負載線已在圖上標出 （不包含加粗線） 。 由 CE CC C CV V I R??， ?????? k23 612I VVR C CEccc； 由 CC BE CCB bbV V VI RR??? ， ???? k4 0 0 Bccb。 （ 1）計算靜態(tài)工作點； （ 2）分別作出交直流負載線，并標出靜態(tài)工作點 Q； （ 3）若基極電流分量 ),(sin20 Atib ??? 畫出輸出電壓 ou 的波形圖，并求其幅值 omV 。 （ 3）出輸出電壓 ou 的波形圖如 題 圖 (b)中的細線 所示，輸出電壓 幅值 omVV?3 。 （ 1）估算靜態(tài)工作點 Q； （ 2）求最大輸出電壓幅值 omV ； （ 3）計算放大器的 VA 、 Ri、 Ro