cmos二級(jí)密勒補(bǔ)償運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)說(shuō)明-wenkub
2023-04-22 05:17:20 本頁(yè)面
【正文】 M12 的源極，它決定著偏置電流和gm12，所以一般為片外電阻以保證其精確穩(wěn)定。M12和M13相比，源級(jí)加入了電阻Rb，組成微電流源，產(chǎn)生電流Ib。2：電路描述： 輸入級(jí)放大電路由M1~M5組成。M1和M2組成PMOS差分輸入對(duì)管，差分輸入與單端輸入相比可以有效抑制共模信號(hào)干擾；M3和M4為電流鏡有源負(fù)載；M5為第一級(jí)放大電路提供恒定偏置電流。對(duì)稱的M11和M12構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)，減少了溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)造成的電流誤差。為了最大程度的降低M12 的溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)，采用了Cascode 連接的M10以及用與其匹配的二極管連接的M11 來(lái)提供M10 的偏置電壓。二：計(jì)算參數(shù) 對(duì)于MOS 管寬長(zhǎng)比的設(shè)計(jì)，可以先選擇合適的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓，然后分配合理的電流，最后再計(jì)算寬長(zhǎng)比。Cc 增大大有幾個(gè)好處，增強(qiáng)極點(diǎn)分裂功能，降低輸入積分噪聲，降低第二級(jí)功耗，提高相位裕度，但缺點(diǎn)是降低了GBW 和壓擺率。2：相位補(bǔ)償，選取gm6＝。4：分配電流。已知IDS1＝60μA，VDSAT1＝，得到(W/L)1＝。要注意的是，W1L1 乘積不能太大，否則3 點(diǎn)寄生電容會(huì)很大。對(duì)于L5 和L7， 即可，因此得到L5,7＝。IDS5＝120μA，得到W5＝18μm，因此有W7＝k2/k1W7＝36μm。IDS13＝10μA，由式()和VDSAT13＝VDSAT13＝ 得RB＝。8：計(jì)算M14 的寬長(zhǎng)比。三：設(shè)計(jì)運(yùn)放的性能指標(biāo)。（4）轉(zhuǎn)換速率：運(yùn)放在開(kāi)環(huán)狀態(tài)，輸入信號(hào)為大信號(hào)激勵(lì)條件下，運(yùn)放由非線性進(jìn)入線性所需要的時(shí)間。（9）輸出范圍: 運(yùn)放在開(kāi)環(huán)狀態(tài)下，輸出電壓能夠達(dá)到的最大范圍。四：運(yùn)算放大器的仿真結(jié)果與分析，電壓采用2V。從仿真結(jié)果可以看出，運(yùn)放采用RC補(bǔ)償，在滿足單位增益帶寬的同時(shí)，能很好的調(diào)節(jié)相位裕度。仿真運(yùn)放的轉(zhuǎn)換速率可將運(yùn)放的輸出端和反相輸入端相連構(gòu)成單位增益結(jié)構(gòu)。3：運(yùn)放的共模抑制比分析（CMRR）運(yùn)放的共模抑制比是測(cè)試運(yùn)放對(duì)共模信號(hào)的抑制能力。4:運(yùn)放的電源電壓抑制比分析（PSRR） 運(yùn)放的電源電壓抑制比是測(cè)試運(yùn)放的抗電源電壓波動(dòng)或噪聲能力。在電源電壓2V，運(yùn)放的兩輸入端輸入共模電壓1V時(shí)， mW。 7：運(yùn)放的輸出電壓擺幅特性 運(yùn)放的輸出電壓擺幅特性是仿真運(yùn)放的輸出電壓最大值和最小值。歡迎您的光臨，！希望您提出您寶貴的意見(jiàn)，你的意見(jiàn)是我進(jìn)步的動(dòng)力。什么時(shí)候離光明最近？那就是你覺(jué)
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1