cmos二級密勒補(bǔ)償運算放大器的設(shè)計說明(存儲版)
【正文】 源電壓: 提供給運放的工作電壓。運放的輸出端接3pF的負(fù)載電容，電源電壓為2V，共模輸入電壓為1V，差模輸入幅度為1V的交流信號，即兩輸入端的輸入交流信號相位相反。測試電路圖： 仿真圖：從仿真波形得到：在輸出上升曲線的10%和90%處，；。測試電路：仿真圖： 通過交流小信號分析得到運放的電源抑制比特性曲線如圖。正輸入端接1V的直流電壓， Vin 輸入端加從0到2V的直流掃描電壓。什么時候離光明最近？那就是你覺得黑暗太黑的時候。 7：運放的輸出電壓擺幅特性 運放的輸出電壓擺幅特性是仿真運放的輸出電壓最大值和最小值。4:運放的電源電壓抑制比分析（PSRR） 運放的電源電壓抑制比是測試運放的抗電源電壓波動或噪聲能力。仿真運放的轉(zhuǎn)換速率可將運放的輸出端和反相輸入端相連構(gòu)成單位增益結(jié)構(gòu)。四：運算放大器的仿真結(jié)果與分析，電壓采用2V。（4）轉(zhuǎn)換速率：運放在開環(huán)狀態(tài)，輸入信號為大信號激勵條件下，運放由非線性進(jìn)入線性所需要的時間。8：計算M14 的寬長比。IDS5＝120μA，得到W5＝18μm，因此有W7＝k2/k1W7＝36μm。要注意的是，W1L1 乘積不能太大，否則3 點寄生電容會很大。4：分配電流。Cc 增大大有幾個好處，增強(qiáng)極點分裂功能，降低輸入積分噪聲，降低第二級功耗，提高相位裕度，但缺點是降低了GBW 和壓擺率。為了最大程度的降低M12 的溝道長度調(diào)制效應(yīng)，采用了Cascode 連接的M10以及用與其匹配的二極管連接的M11 來提供M10 的偏置電壓。M1和M2組成PMOS差分輸入對管，差分輸入與單端輸入相比可以有效抑制共模信號干擾；M3和M4為電流鏡有源負(fù)載；M5為第一級放大電路提供恒定偏置電流。M12和M13相比，源級加入了電阻Rb，組成微電流源，產(chǎn)生電流Ib。鏡像電流源M8 和M9 使得M13 的電流與M12 的電流相等，都為IB，從而有 而由電路可知聯(lián)立上式可以得到：整理得：可以看到，IB僅以電阻RB和M12,M13的尺寸有關(guān)，不受電源電壓的影響。本設(shè)計中負(fù)載是3pF，考慮寄生電容存在，選取Cc ，在后面的步驟中可以通過迭代調(diào)整Cc 的值。5：計算M1,2 寬長比。為保證小的失調(diào)，取L6＝L3,4＝（在Level 1 模型中反映不出）。要滿足式()，同時取(W/L)12＝4(W/L)13。至此，完成了電路中各器件參
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