cmos二級(jí)密勒補(bǔ)償運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)說(shuō)明-免費(fèi)閱讀
【正文】 最值得欣賞的風(fēng)景，是自己奮斗的足跡。運(yùn)放的輸出電壓擺幅特性仿真電路如圖，其反相比例放大器增益為10。仿真運(yùn)放的電源抑制比的方法：將運(yùn)放接成單位增益結(jié)構(gòu)，運(yùn)放的正輸入端設(shè)置1V的直流電壓，在2V的運(yùn)放供電電源串聯(lián)一個(gè)1V的交流小信號(hào)源。運(yùn)放的同相輸入端輸入0V到2V的階躍信號(hào)，利用仿真軟件對(duì)該電路做瞬態(tài)分析得到的輸出波形。頂層文件電路圖:1:運(yùn)放的小信號(hào)相頻和幅頻特性（AC）運(yùn)放的小信號(hào)相頻和幅頻特性是仿真運(yùn)放的開環(huán)小信號(hào)放大倍數(shù)及其相位隨頻率的變化趨勢(shì)，從而得到運(yùn)放的相位裕度和單位增益帶寬指標(biāo)，并進(jìn)一步鑒別運(yùn)放的放大能力、穩(wěn)定性和工作帶寬。（5）建立時(shí)間 （1%）：運(yùn)放在開環(huán)狀態(tài)下，輸入信號(hào)為大信號(hào)激勵(lì)，運(yùn)放由進(jìn)入線性的開始點(diǎn)到輸出穩(wěn)定到穩(wěn)定值的（1%）范圍內(nèi)所需要的時(shí)間。得到(W/L)14＝65μm/。從而得到(W/L)3,4＝10/，(W/L)6＝240/，(W/L)5＝18/，(W/L)7＝36/。6：計(jì)算M3,MM5 和M7 的寬長(zhǎng)比。第一級(jí)電流增大有助于提高gm1，提高SRint，這里取IDS6＝4IDS1。而且Cc 的選擇和負(fù)載取值有關(guān)，所以我們盡量增大Cc，前提是滿足壓擺率指標(biāo)，然后增加gm1 以提高GBW。最后，由匹配的PMOS器件M8 和M9 構(gòu)成的鏡像電流源將電流IB 復(fù)制到M11 和M13，同時(shí)也為M5 和M7提供偏置。輸出級(jí)放大電路由M6和M7組成，M6為共源放大器，M7為其提供恒定偏置電流同時(shí)作為第二級(jí)輸出負(fù)載。偏置電路由M8~M13和Rb組成，這是一個(gè)共源共柵電流源，M8和M9寬長(zhǎng)比相同。 下面進(jìn)行具體計(jì)算。在IDS1不變的前提下，gm1 的提高可以通過(guò)降低VDSAT1 得到。取偏置電流IDS8＝10μA，k1＝12，k2＝24，即IDS5＝120μA，IDS7＝240μA，總電流為380μA。由于α＝2，取L3,4＝2L1 。7：計(jì)算M8,M10,1M1M13 的寬長(zhǎng)比和RB 的阻值。最終得到的器件參數(shù)如下M1 140/ M9 M2 140/ M10 10/M3 60/ M11 10/M4 60/ M12 40/M5 18/ M13 10/M6 240/ M14 65/M7 36/ Cc pFM8 注意這里有幾個(gè)關(guān)系式要保證嚴(yán)格成立，即式()和式()。（6）共模抑制比：運(yùn)放在開環(huán)狀態(tài)下，對(duì)共模信號(hào)或共模噪聲的抑制能力，其表達(dá)式為（7）電
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