【正文】 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 D 3 D 2 D 1 D 0 A 1 A 0 W 0 W 1 W 2 W 3 ≥ 1 ≥ 1 ≥ 1 ≥ 1 amp。 地 址 A 1 A 0 字 線 W 0 W 1 W 2 W 3 存 儲 內(nèi) 容 D 3 D 2 D 1 D 0 0 0 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 A1=0A0=1 W0=0 W1=1 W2=0 W3=0 D3=0 D1=0 D0=1 D2=1 1 1 D 3 D 2 D 1 D 0 A 1 A 0 W 0 W 1 W 2 W 3 ≥ 1 ≥ 1 ≥ 1 ≥ 1 amp。 44位ROM 地址譯碼器 存儲體 0100 AAmW ??0111 AAmW ??0122 AAmW ??0133 AAmW ??200 WWD ?? 3211 WWWD ???3202 WWWD ??? 313 WWD ?? 地 址 A 1 A 0 字 線 W 0 W 1 W 2 W 3 存 儲 內(nèi) 容 D 3 D 2 D 1 D 0 0 0 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 A1=0A0=0 W0=1 W1=0 W2=0 W3=0 D3=1 D1=1 D0=1 D2=0 1 1 D 3 D 2 D 1 D 0 A 1 A 0 W 0 W 1 W 2 W 3 ≥ 1 ≥ 1 ≥ 1 ≥ 1 amp。 等效的電路 1 1 D3 D2 D1 D0 A1 A0 W0 W1 W2 W3 ≥ 1 ≥ 1 ≥ 1 ≥ 1 amp。 (W0~W2n1)，每個單元有 b位二進(jìn)制數(shù)據(jù)。 ROM（ E2PROM） :也是采用浮柵技術(shù)生產(chǎn)的可編程 ROM，但是構(gòu)成其存儲單元的是隧道 MOS管 ， 是用電擦除 ， 并且擦除的速度要快得多 （ 一般為毫秒數(shù)量級 ） 。 只讀存儲器 (ROM) 一 ． ROM的分類 按照數(shù)據(jù)寫入方式特點不同 ， ROM可分為以下幾種： ROM: 廠家把數(shù)據(jù)寫入存儲器中 ， 用戶無法進(jìn)行任何修改 。 主存 —輔存層次 ： 解決存儲的大容量要求和低成本之間的矛盾 。 Cache—主存層次 ： 解決 CPU與主存的速度上的差距 Cache引入主要解決存取速度，外存引入主要解決容量要求。 ④寫入信息所需的能源，即寫入線路、寫驅(qū)動器等。 一個金字塔結(jié)構(gòu)的多層存儲體系 充分體現(xiàn)出容量和速度關(guān)系 多層存儲結(jié)構(gòu) 寄存器 Cache 主存 硬盤 光盤 /磁帶 速度漸快 價格漸貴 容量漸小 地 址 寄 存 器 地 址 譯 碼 與 驅(qū) 動 電 路 存儲 陣列 2k n 位 讀 寫 電 路 數(shù) 據(jù) 寄 存 器 時序控制電路 CPU k 位 n 位 地 址 總 線 數(shù) 據(jù) 總 線 R/W MFC 主存儲器基本組成 ① 貯存信息的存儲體。對大量典 型程序運行情況的統(tǒng)計分析得出的結(jié)論是： CPU對某 些地址的訪問在短時間間隔內(nèi)出現(xiàn)集中分布的傾向。 （ 2） 存儲體系：把各種不同存儲容量、不同存取速度、不同價格的存儲器，組成層次結(jié)構(gòu)，并通過管理軟件和輔助硬件將不同性能的存儲器組合成有機(jī)的整體，稱為計算機(jī)的存儲層次或存儲體系。 存取速度 （ 3）數(shù)據(jù)傳送速率（頻寬） BM 單位時間內(nèi)能夠傳送的信息量。 例如： 1Mb=1M ? 1bit=128k ? 8bit=256k ? 4bit=1M位 1MB=1M ? 8bit=1M字節(jié) 存取速度 （ 1）存取時間（訪問時間） TA 從存儲器接收到讀 /寫命令到信息被讀出或?qū)懭胪瓿伤璧臅r間（決定于存儲介質(zhì)的物理特性和尋址部件的結(jié)構(gòu)）。 存儲器歷史（ 3） 存儲器歷史（ 4） 超大規(guī)模集成電路的存儲器 金士頓高端 DDR433 金士頓 DDR400512MB 雙倍速率 SDRAM（ Dual Date Rate SDRSM， DDR SDRAM）：又簡稱 DDR，由于它在時鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在 133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到。 1967年，美國無線電有限公司制成了領(lǐng)航用的機(jī)載計算機(jī) LIMAC，其邏輯部件采用雙極性大規(guī)模集成電路，緩沖存儲器用 MOS大規(guī)模集成電路。英國劍橋大學(xué)威爾克斯教授那時正在麻省理工學(xué)院訪問，他激動地說： “ 幾乎一夜之間就使得存儲器變得穩(wěn)定而可靠。 1949年 10月，王安為磁芯申請了專利，他后來在磁芯存儲器領(lǐng)域的發(fā)明專利共有 34項。弗雷斯特最大的貢獻(xiàn)，是率先為“ 旋風(fēng) ” 電腦配置了磁芯存儲器陣列。美國空軍向麻省理工學(xué)院求援， 許以每年 100萬美元的巨額研制經(jīng)費，讓旋風(fēng)電腦充當(dāng) SAGE的主要部件。 SAGE是以最早的由人工操作的實時控制計算機(jī)系統(tǒng)，它能接收各偵察站雷達(dá)傳來的信息，識別來襲飛行物，由操作者指揮地面防御武器瞄準(zhǔn)敵對飛行器。 高速緩沖存儲器 存儲器比較 分類 存儲信息 區(qū)別 分類 讀寫方式 區(qū)別 工作特點 內(nèi)存 計算機(jī)工作中正在運行的程序、數(shù)據(jù) 工作速度快、單位容量價格高 可讀寫存儲器 RAM 隨時讀寫 存放用戶輸入信息 斷電后信息全部丟失 只讀存儲器ROM 只能讀不能寫 存放開機(jī)系統(tǒng)程序 斷電后信息不會丟失 外存 計算機(jī)工作暫時不處理的程序、數(shù)據(jù) 工作速度慢、單位容量價格低 軟盤 FLOPPY DISK 隨時讀可控制寫 速度 慢 、容量 小， 攜帶方便 斷電后信息不會丟失 硬盤 HARD DISK 隨時讀寫 速度 快 、容量大，不易攜帶 斷電后信息不會丟失 只讀光盤 CD－ ROM 只能讀不能寫 速度 快 、容量 大， 攜帶方便 斷電后信息不會丟失 U盤 隨時讀可控制寫 速度 快 、容量 較大， 攜帶方便 斷電后信息不會丟失 半導(dǎo)體存儲器的分類 隨機(jī)存取存儲器 ?雙極性半導(dǎo)體 RAM ?動態(tài)金屬氧化物（ MOS)RAM 讀寫存儲器 ?掩膜式 ROM ?可編程 ROM(PROM,Programmable ROM) ?可擦除的 PROM（ EPROM， Erasable Programmable ROM） ?電可擦除的 PROM（ E2PROM， Electrically Erasable Programmable ROM） 這是在第一代電子計算機(jī)中使用的 磁鼓 。 基本概念 存儲器的歷史和分類 （ 1） 磁存儲器： 磁表面存儲器： 磁帶 軟磁盤 硬磁盤 磁芯存儲器 (1948年）：直徑不到 1毫米磁芯里可穿進(jìn)一根極細(xì)的導(dǎo)線，只要有代表“ 1”或“ 0”的訊號電流流經(jīng)導(dǎo)線，就能使磁芯按兩種不同方向磁化，信息便以磁場形式被儲存 （ 2） 電子介質(zhì)：半導(dǎo)體存儲器 MOS管 LeffLtox基板SiO2FOX (fieldoxide) 用于分離 CMOS器件 （ 3） 紙介質(zhì)存儲器：紙帶 （ 4） 光介質(zhì)：激光存儲器 ?按存取方式分類 隨機(jī)存儲器 RAM (Random Access Memory) 只讀存儲器 ROM（ ReadOnly Memory） 串行訪問存儲器 (Serial Access Storage)