chap微電子概論ppt課件-wenkub
2023-01-21 13:30:28 本頁(yè)面
【正文】 基本單元：邏輯門電路 雙極邏輯門電路類型： ?電阻 晶體管邏輯 (RTL) ?二極管 晶體管邏輯 (DTL) ?晶體管 晶體管邏輯 (TTL) ?集成注入邏輯 (I2L) ?發(fā)射極耦合邏輯 (ECL) 雙極模擬集成電路 一般分為： 線性電路（輸入與輸出呈線性關(guān)系） 非線性電路 接口電路：如 A/D、 D/A、電平位移電路等 MOS集成電路基礎(chǔ) 基本電路結(jié)構(gòu)： MOS器件結(jié)構(gòu) 基本電路結(jié)構(gòu)： CMOS 基本電路結(jié)構(gòu)： CMOS MOS集成電路 數(shù)字集成電路、模擬集成電路 MOS 數(shù)字集成電路 基本電路單元： CMOS開(kāi)關(guān) CMOS反相器 IN OUT CMOS開(kāi)關(guān) W W VDD IN OUT CMOS反相器 VDD Y A1 A2 與非門： Y=A1A2 影響集成電路性能的因素和發(fā)展趨勢(shì) ? 有源器件 ? 無(wú)源器件 ? 隔離區(qū) ? 互連線 ? 鈍化保護(hù)層 ?寄生效應(yīng)：電容、有源器件、電阻、電感 影響集成電路性能的因素和發(fā)展趨勢(shì) 器件的門延遲： 遷移率 溝道長(zhǎng)度 電路的互連延遲： 線電阻（線尺寸、電阻率） 線電容（介電常數(shù)、面積） 途徑： 提高遷移率，如 GeSi材料 減小溝道長(zhǎng)度 互連的類別： 芯片內(nèi)互連、芯片間互連 長(zhǎng)線互連 (Global) 中等線互連 短線互連 (Local) 門延遲時(shí)間與溝到長(zhǎng)度的關(guān)系 減小互連的途徑： 增加互連層數(shù) 增大互連線截面 Cu互連、 Low K介質(zhì) 多芯片模塊（ MCM） 系統(tǒng)芯片（ System on a chip） 減
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