x射線衍射分析技術(shù)-wenkub
2023-05-21 16:46:58 本頁面
【正文】 陽極靶＋陰極燈絲 ? 常用 Cu、 Cr、 Fe、 Ni等 5 熱陰極 X射線管示意圖 6 X射線譜 ? 連續(xù)譜 X射線 ? 由高速電子與陽極靶的原子碰撞時(shí)，電子失去動(dòng)能所發(fā)射的光子所形成 ? 特征譜 X射線 ? 其產(chǎn)生與陽極物質(zhì)的原子內(nèi)部結(jié)構(gòu)緊密相關(guān) ? 在 X射線多晶衍射中，主要利用 K系 輻射，它相當(dāng)于一束單色 X射線 7 Cu靶產(chǎn)生的 X射線譜 連續(xù)X 射 線 特 征 X 射 線 Cu Ka radiation, ? = 197。 ，半高寬為 176。 D: 950℃ 。C下中毒3h重新出現(xiàn)晶態(tài)，但組成復(fù)雜 10 20 30 40 50 60Counts [a.u.]2 θ [ o ]S u b s t ra t e o f A l2O3/ S iO ri g i n a l f ilm o f L a C o O3P o is o n e d a t 5 0 0OC , 3 h rsP o is o n e d a t 7 0 0oC , 3 h rs54 單層分散研究 在 TiO2載體表面負(fù)載不同含量 CuO的納米催化劑的 XRD譜 XRD測定 CuO在 TiO2載體表面的單層分散閾值 CuO在 TiO2載體上單層分散量為 CuO/1 g TiO2 。 為中心有一包峰，其中心角對應(yīng)孔徑為 左右 ? 有微孔結(jié)構(gòu)存在，且孔徑分布較寬，規(guī)整性也較差 ? B 升溫過程中，骨架結(jié)構(gòu)塌陷，孔結(jié)構(gòu)消失 2 4 6 8 10ABTiCl4PEG法制備中孔粉體 XRD結(jié)果 （ A）煅燒前 （ B） 400℃ 下煅燒 1小時(shí) 50 ? 小角度區(qū)域均有峰信號，存在孔結(jié)構(gòu) ? 對應(yīng)孔徑分別為 5 10AB鈦酸酯 十八胺法制備中孔粉體前驅(qū)體 XRD結(jié)果 （ A）常溫常壓下沉化（ B）加溫加壓下沉化 51 薄膜催化劑研究 20 30 40 50 60T i O2 f i l mT i O2 f i l md o p e d P dT i O2 f i l md o p e d P t2 5 . 32 8 . 5 S i s u b s t ra t e4 7 . 92θCounts [a.u.]A n a t a s eT i O220 30 40 50 60T i O2 f i l mT i O2 f i l md o p e d P dT i O2 f i l md o p e d P te x p a n d e d 1 / 5 0 02 5 . 32 8 . 54 7 . 92θCounts [a.u.]A n a t a s eT i O2TiO2薄膜 /Si的 XRD衍射譜 摻雜薄膜在加氫還原后的 XRD譜
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