【正文】 獲得全面準(zhǔn)確度在室溫下。 第 1 步 ? 調(diào)零 只 接通 MSB，關(guān)閉所有其他位。 步驟 2? 增益調(diào)節(jié) 將所有位的開和調(diào)整，直到 50瓦增益微調(diào)， R2 中 ， 輸出為 伏特。 1 / 2 LSB 的一微秒。）如果一 25 瓦固定電阻代替 50 瓦的微調(diào)，單極零通常會(huì)在 177。為了準(zhǔn)確確定所有版本的性能 ， 因此在 AD561 進(jìn)行了測(cè)試， 100％是單調(diào)整個(gè)工作溫度范圍。 C 能，在最壞條件下為 +25 176。1 / 1024 = 毫伏）。 微分非線性：?jiǎn)握{(diào)的行為要求微分非線性誤差小于 1 LSB 的同時(shí)在 +25 176。 [2]【 AD561 的分析和應(yīng)用 】 AD561 提供 整個(gè)溫度范圍內(nèi) 真正的 10 位分辨率 精度： ADI 公司定義為最大精度差的實(shí)際，調(diào)整 DAC 輸出從理想的模擬輸出（ 0直線繪制的 FS – 升 LSB）的任何位組合。 該 AD561 有一個(gè)輸出電壓合格范圍 2 V 至 +10 V 的，可直接電流 到電壓的轉(zhuǎn)換 只有一個(gè)輸出電阻，省略了運(yùn)算放大器 。數(shù)字輸入電壓閾值 起到供應(yīng)水平的積極作用 ； 連接到 VCC的數(shù)字邏輯電源自動(dòng)設(shè)置閾值邏輯系列為正在使用的適當(dāng)水平 。 [1]【 AD561 產(chǎn)品薈萃 】 先進(jìn)的加工和激光在單片晶圓級(jí)微調(diào)作出了 AD561 最準(zhǔn)確的 10位轉(zhuǎn)換器使用，同時(shí)，用大量的集成電路生產(chǎn)成本相一致。和 T級(jí)的AD561S 指定為 55 176。 該 AD561 可在四個(gè)性能等級(jí)。 C 最大值為 K 和 T 版本 、 60 ppm/176。允許自定義的每個(gè)設(shè)備的溫度系數(shù)校正激光裁剪溫度補(bǔ)償電路。從而在許多情況 下消除外部剪切。 指導(dǎo)教師評(píng)語(yǔ)： 成 績(jī) 簽 名 年 月 日 注： 請(qǐng)將該封面與附件裝訂成冊(cè)。 附件 1：外文資料翻譯譯文 AD561 芯片 的介紹與應(yīng)用 AD561 是一款集成了 10 位數(shù)模轉(zhuǎn)換器和高穩(wěn)定電壓轉(zhuǎn)換器 的芯片 。 幾個(gè)主要技術(shù)結(jié)合起來(lái)，使 AD561 提供最精確和最穩(wěn)定的 10 位 DAC。這將導(dǎo)致 15 ppm/176。 C / 176。 該 AD561J 和 K，并指明了在 0 176。 C 至 +125 176。該 AD561K 和 T 有 1 / 4 LSB 的最大相對(duì)精度和 1 / 2 LSB 的 最大微分非線性。 邏輯吸收電流的要求是只有 25毫安。 結(jié)果由于輸出漏電流 40 兆瓦集電極開路輸出阻抗誤差可以忽略不計(jì) 。該 AD561 是激光修整，以 1 / 4 的 LSB（ FS 的 ％）， 最大誤差在 25℃ 下的 K 和 T版本 1 / 2 的 J和 S的 LSB。 C 以上的溫度范圍興趣。如果在實(shí)際使用中，然而， 1 LSB 的變化在一個(gè)只有 毫伏的變化（ 1 / 4 LSB）的輸入碼結(jié)果在模擬輸出，差分非線性誤差 將 毫伏，或 3 / 4 LSB 的 。 C 的溫度變化至 +125 176。 緩沖電壓的連接的 AD561輸出 標(biāo)準(zhǔn)電流電壓轉(zhuǎn)換連接使用運(yùn)算放大器在這里顯示與首選修剪技術(shù)。 1 / 10 的 LSB（加運(yùn)算放大器偏移） ， 和滿度精度將在 177。反饋電容顯示與每項(xiàng)申請(qǐng)的最佳值，這需要電容 25 皮法的補(bǔ)償 DAC 輸出電容。 （滿刻度 調(diào)整 到小于 1 個(gè) LSB 額定滿規(guī)模 伏。 微 調(diào)整 R3 的 50 瓦 ，給予 輸出電壓。在大多數(shù)情況下雙極 ， 運(yùn)算放大器的微調(diào)是不必要的， 除非運(yùn)算放大器的 修剪偏移 過大。為獲得最佳滿量程溫度系數(shù)的表現(xiàn)，外部電阻應(yīng)該有一個(gè) TC50 百萬(wàn)分之 /℃。參考電壓， CR1 的，是一個(gè)埋齊納（或地下?lián)舸┒O管）。每個(gè)二極管的溫度系數(shù)單獨(dú)確定 。 C的負(fù)參考水平倒格 A1 和規(guī)模給予 伏參考，它可以由低正電源。這是通過迫使梯子底部的正常電壓。 前四個(gè)顯著的位單元的發(fā)射是完全縮放區(qū)，以配合最佳 VBE和第一季度的 VBE 漂移比賽，以及為測(cè)試比賽。這些電阻和 R2R 梯形電阻器，正積極激光在晶圓級(jí)修剪，使設(shè)備總 精度優(yōu)于 1 / 4 的 LSB。 整個(gè)轉(zhuǎn)換單元進(jìn)行相同的電流是否位或關(guān)閉時(shí)，盡量減少和地?zé)崴矐B(tài)電流誤差 。邏輯輸入負(fù)荷因子（ 100 nA 的 最大邏輯“ 1”，在邏輯 25 mA 最大 “ 0” 3 pF 的 電容），低于一數(shù)字相當(dāng)于所有負(fù)載邏輯的家庭，包括無(wú)緩沖的 CMOS。 未提交位輸入線將承擔(dān)起一個(gè)“ 1“狀態(tài)（類似于為 TTL），但他們是高阻抗和受雜音。1/4 LSB max for the K and T versions, and 1/2 LSB max for the J and S versions. 【 AD561 PRODUCT DESCRIPTION】 The AD561 also incorporates a low noise, high stability subsurface zener diode to produce a reference voltage with excellent long term stability and temperature cycle characteristics, which challenge the best discrete Zener references. A temperature pensation circuit is lasertrimmed to allow custom correction of the temperature coefficient of each device. This results in a typical fullscale temperature coefficient of 15 ppm/176。C max for the S, and 80 ppm/176。C to +125176。C and over the temperature range of interest. Differential nonlinearity is the measure of the variation in analog value, normalized to full scale, associated with a 1 LSB change in digital input code. For example, for a 10 volt full scale output, a change of 1 LSB in digital input code should result in a mV change in the analog output (1 LSB = 10 V 180。C, add % (100 3 ppm/176。1 LSB. The AD509 is remended for buffered voltageoutput applications that require a settling time to 177。10 volt bipolar range with an additional external resistor as shown in Figure 4. A larger value trimmer is required to pensate for tolerance in the thin film resistors, which are trimmed to match the fullscale current. For best full scale temperature coefficient performance, the external resistors should have a TC of –50 ppm/176。 this data is then used to laser trim a pensating circuit to balance the overall TC to zero. The typical resulting TC is 0 to 177。 thus, full scale is 1023/1024 3 2 mA. The switching cell of Q3, Q4, Q5 and Q6 serves to steer the cell current either to ground (BIT 1 low) or to the