太陽能電池絲網(wǎng)印刷工藝(已修改)
2025-03-08 20:26 本頁面
【正文】 太陽能電池絲網(wǎng)印刷工藝絲網(wǎng)印刷的定義利用絲網(wǎng)圖形部分網(wǎng)孔透漿料，非圖文部分網(wǎng)孔不透漿料的基本原理進行印刷。印刷時在絲網(wǎng)一端倒入漿料，用刮刀在絲網(wǎng)的漿料部位施加一定壓力，同時朝絲網(wǎng)另一端移動。漿料在移動中被刮板從圖形部分的網(wǎng)孔中擠壓到基片上。印刷過程中刮板始終與絲網(wǎng)印版和承印物呈線接觸，接觸線隨刮刀移動而移動，而絲網(wǎng)其它部分與承印物為脫離狀態(tài)，保證了印刷尺寸精度和避免蹭臟承印物。當(dāng)刮板刮過整個印刷區(qū)域后抬起，同時絲網(wǎng)也脫離基片，并通過回墨刀將漿料輕刮回初始位置，工作臺返回到上料位置，至此為完整 的一個印刷行程 。絲網(wǎng)印刷的五個要素絲網(wǎng)印刷由五大要素構(gòu)成，即絲網(wǎng)、 刮刀 、漿料、工作臺以及基片。刮刀? 刮刀的作用是將漿料以一定的速度和角度將漿料壓入絲網(wǎng)的漏孔中，刮刀在印刷時對絲網(wǎng)保持一定的壓力，刃口壓強在 10～ 15N／ cm之間，刮板壓力過大容易使絲網(wǎng)發(fā)生變形，印刷后的圖形與絲網(wǎng)的圖形不一致，也加劇刮刀和絲網(wǎng)的磨損，刮板壓力過小會在印刷后的絲網(wǎng)上存在殘留漿料。刮刀和回墨刀的拆裝? 、回墨刀和螺絲? （面向自己）? ，平行方向推入。? ，注意墊片方向1. 2.3. 4.回墨刀回墨刀螺 絲刮刀刮刀螺 絲刮刀和回墨刀的拆裝○ ○ 鎖至一半○ 向裝上○ 1. 2.3. 4.絲網(wǎng)印刷 — 漿料? 漿料是由功能組份、粘結(jié)組份和有機載體組成的一種流體，功能組份一般為貴金屬或貴金屬的混合物。載體是聚合物在有機溶劑中的溶液。功能組份決定了成膜后的電性能和機械性能。載體決定了厚膜的工藝特性，是印刷膜和干燥膜的臨時粘結(jié)劑。功能組份和粘結(jié)組份一般為粉末狀，在載體中進行充分攪拌和分散后形成膏狀的厚膜漿料。燒結(jié)后的厚膜導(dǎo)體是由金屬與粘結(jié)組份組成。? 有機載體包括有機高分子聚合物、有機溶劑、有機添加劑等等。它調(diào)節(jié)了漿料的流變性 , 固體粒子的浸潤性 , 金屬粉料的懸浮性和流動性以及漿料整體的觸變性，決定了印刷質(zhì)量的優(yōu)劣。絲網(wǎng)印刷 — 網(wǎng)版? 網(wǎng)版是由不銹鋼織成不同網(wǎng)目大小的網(wǎng)紗及涂在網(wǎng)紗上的乳膠裝在網(wǎng)框架組成。網(wǎng)版圖樣設(shè)計開孔處則將乳膠去除，刮刀刷過網(wǎng)紗時可將施放在網(wǎng)版上的漿料透過圖樣開孔處印在基材上，主要決定印刷厚度為乳膠厚度。絲網(wǎng)印刷時根據(jù)不同的 網(wǎng)版張力、乳膠厚度、刮刀下壓力量、刮刀速度、刮刀下刀及離刀遲滯時間 等等參數(shù)可得到不同的印刷厚度。此外， 漿料的粘滯性、基材表面的親疏水性、烘干溫度時間 都會影響到印刷的高度及深度。絲網(wǎng)印刷流程Wafer背 電 極印刷烘箱 背 電場 印刷烘箱正 電 極印刷 燒結(jié) 爐測試 分選入 庫一般電池片結(jié)構(gòu)銀電極? 作用：輸出電流。? 電極就是與電池 pn結(jié)兩端形成緊密歐姆接觸的導(dǎo)電材料。與 p型區(qū) 接觸的電極是電流輸出的 正極 ，與 n型區(qū) 接觸的電極是電流輸出的 負極 。? 耐高溫?zé)Y(jié)、良好的導(dǎo)電性能及附著力，以及貴金屬成本等因素，決定了用銀而不是其他貴金屬；? 正面電極由兩部分構(gòu)成，主柵線是直接接到電池外部引線的較粗部分，副柵線則是為了將電流收集起來傳遞到主線去的較細部分，制作成窄細的柵線狀以克服擴散層的電阻。電極圖形，例如電極的形狀、寬度和密度等，對于太陽電池轉(zhuǎn)換效率影響較大。銀電極?電極材料的 選擇l 能 與硅形成牢固的接觸；l 這種 接觸應(yīng)是歐姆接觸，接觸電阻??；l 有 優(yōu)良的導(dǎo)電性；l 純度 適當(dāng)；l 化學(xué)穩(wěn)定性 好；?銀的特性l 熔點： ℃ ，電阻率 ： 10^8 Ωm（ 20℃ ）l 銀的特征氧化數(shù)為 +1，其活動性比銅差，常溫下，甚至加熱時也不與水和空氣中的氧作用。l 有 很好的柔韌性和 延展性， 是導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性最好的金屬。銀電極? 正面電極因為要減少電極遮光面積，所以使用導(dǎo)電性能良好的銀漿，因為先前的減反射膜已經(jīng)形成正面的電性絕緣，所以銀漿一般摻有含鉛的硼酸玻璃粉（PbOB2O3SiO glass frit），在高溫?zé)Y(jié)時玻璃粉硼酸成分與氮化硅反應(yīng)并刻蝕穿透氮化硅薄膜，此時銀可以滲入其下方并與硅形成此種局部區(qū)域性的電性接觸，鉛的作用是銀 鉛 硅共熔而降低銀的熔點。銀與硅形成歐姆接觸? 有機物揮發(fā)? 玻璃料在減反射膜表面聚集? 玻璃料腐蝕穿過減反射膜? 玻璃料通過與 Si發(fā)生氧化還原反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕坑 PbO+Si Pb+SiO2? Ag晶粒在 冷卻 過程中于腐蝕坑處 結(jié)晶u？ 由于 玻璃料對 Si表面腐蝕具有各向異性，導(dǎo)致在 Si表
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