封裝測試工藝技術管理教育資料(已修改)
2025-03-04 22:19 本頁面
【正文】 封裝測試工藝教育資料1 封裝形式IC PKG插入實裝形表面實裝形DIP： DIP、 SHDSSIP、 ZIPPGAFLAT PACK： SOP、 QFP、CHIP CARRIER： SOJ、 QFJ、LCC、 TABBGA、 CSPIC CARDCOB其他2 PGACSPTBGAPBGAQFPTSOPSOJDIPLOGICMEMORY外形尺寸減少腿數(shù)增加封裝形式的發(fā)展3 SGNEC現(xiàn)有封裝形式4 1994 19961995 1997 1998 1999 20234M SDRAM26pin SOJPitch: Lead width:Thickness: SOPPitch: Lead width:Thickness: 16M SDRAM42pin SOJPitch: Lead width:Thickness: 64M SDRAM54pin TSOPPitch: Lead width:Thickness: 44pin QFPPitch: Lead width:Thickness: 組裝技術指標 :Pitch: →Thichness: →SGNEC組立發(fā)展歷程7,8,9pin SSIPPitch:Lead width:5 組立流程粘片封入鍵合劃片電鍍打印選別成形SSIP 切筋打印選別電鍍SOP 切筋打印成形選別LD電鍍TSOP成形分離切筋電鍍成形選別打印QFPLD6 劃片工藝劃片工序是將已擴散完了形成芯片單元的大圓片進行分割分離。從劃片工藝上區(qū)分有：全切和半切兩種全切：將大圓片劃透。適用于比較大的芯片，是目前最流行的劃 片工藝。半切：在劃片作業(yè)中，不將大圓片劃透，留有 120um~180um的余 量，適用于較小的芯片。從設備上區(qū)分有：金剛石劃片刀劃片，和激光劃片兩種。由于激 光劃片設備昂貴，金剛石劃片刀劃片是目前較 為流行的。7 半切作業(yè)流程貼膜劃片裂片PMM大圓片劃片刀大圓片 圓環(huán)膜大圓片芯片壓力輥斷裂將大圓片放置在膜上，以利于拿取、大圓片的固定、及粘片作業(yè)。利用金剛石劃片刀將大圓片劃開。在芯片的背面移動壓力輥，使芯片受力未劃部分裂開。對已劃片完了的制品進行外觀檢查，不良品進行墨水打點。8 大圓片劃片刀大圓片 圓環(huán)膜大圓片UV燈芯片全切作業(yè)流程貼膜劃片UVPMM將大圓片放置在 UV膜上，以利于拿取、大圓片的固定、及粘片作業(yè)。利用金剛石劃片刀將大圓片劃開。通過 UV燈對 UV膜的作用，將 UV膜與芯片間的粘度降低，以利于芯片的取下。對已劃片完了的制品進行外觀檢查，不良品進行墨水打點。9 劃片刀接合劑金剛石顆粒劃片刀的選擇根據(jù)制品劃片槽的寬度、大圓片的厚度、劃片槽的表面狀態(tài)選擇不同的劃片刀劃片刀參數(shù)：刃長、刃寬、金剛石顆粒尺寸、顆粒密度、接合劑種類刃寬刃長龍骨10 劃片外觀檢查劃傷缺損崩齒粘污劃傷是由于芯片表面接觸到異物如：鑷子，造成芯片內(nèi)部的 Al布線受到損傷，造成短路或斷路，而引起不良。缺損是由于芯片的邊緣受到異物、或芯片之間的撞擊，造成芯片的邊緣缺損，當缺損到達芯片內(nèi)部時，就會破壞 AL布線或活性區(qū)，引起不良。由于大圓片為 Si單晶體，在劃片時就不可避免的形成崩齒，崩齒的大小與劃片刀的種類有關，當崩齒很大時，就會成為缺損。粘污就是異物附著在芯片表面，如： Si屑，會造成內(nèi)部短路，或可靠性受到影響。擴散 在擴散工序產(chǎn)生的不良，如：圖形不完整、 P/W 針跡異常等不良，也要在PMM工序予以去除。11 ：崩齒、劃傷、裂紋、劃片刀本身的壽命。：崩齒、缺損。：劃片軌跡、崩齒、缺損。：劃片方式有向上、向下兩種模式，對芯片表面及背 面的崩齒（缺損）情況有影響。：芯片背面 Si屑的發(fā)生、背面崩齒的情況有影響。：芯片表面 Si屑粘污的發(fā)生情況有影響。劃片參數(shù)12 粘片工藝粘片就是將芯片固定在某一載體上的過程。共晶合金法：芯片背面和載體之間在高溫及壓力的作用下形成共晶 合金，實現(xiàn)連接及固定的方法。樹脂粘接：芯片背面及載體之間，通過含有大量 Ag顆粒的環(huán)氧樹脂 作為粘著劑，而達到固定的作用方法。膠帶粘接：芯片表面與載體之間通過膠帶的粘接，達到固定的作業(yè) 方法。粘片的要求：一定的機械強度 良好的歐姆接觸（共晶、銀漿） 良好的散熱性能 穩(wěn)定的化學性能 13 粘片工藝的比較工藝 銀漿粘片 共晶粘片 膠帶粘片優(yōu)點 速度快成本低溫度低適合大生產(chǎn)良好的歐姆、熱阻接觸機械強度高封裝尺寸小缺點 歐姆、熱阻大 速度慢成本高溫度高，需 N2保護速度慢成本高溫度高鍵合工序易發(fā)生不良14
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