ic有源元件與工藝流程介紹(已修改)
2025-03-01 18:29 本頁面
【正文】 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 王志功 東南大學(xué) 無線電系 2023年 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 2 第五章 IC有源元件與工藝流程 概述 雙極性硅工藝 HBT工藝 MESFET和 HEMT工藝 MOS工藝和相關(guān)的 VLSI工藝 PMOS工藝 NMOS工藝 CMOS工藝 BiCMOS工藝 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 3 第五章 IC有源元件與工藝流程 IC 材料、工藝、器件和電路材料 工藝 器件 電路形式 電路規(guī)模S i B i p o l a r D , B J T , R , C , L TTL, EC L , C M L LS IN M O S D , N M O S , R , C N M O S , S C F L V LS IC M O S D , P / N M O S , R , C C M O S , S C F L U LS I , G S IB i C M O S D , B J T , P / N M O S , R , C EC L, C M O S V LS I , U LS ISi l i c o n硅Si / Ge D , H B T / H E M T EC L/ S C F L LS IM ES F E T D , M ES F E T , R , C , L S C F L LS I , V LS IH E M T D , E/ D H E M T , R , C , L S C F L LS I , V LS IG a A s砷化鎵H B T D , H B T , R , C , L EC L, C M L M S I , LS IH E M T D , H E M T , R , C , L S C F L, C M L M S II n P磷化銦 H B T D , H B T , R , C , L EC L, C M L M S I 概述 表 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 4 本資料來源 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 5 圖 幾種 IC工藝速度功耗區(qū)位圖 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 6 雙極性硅工藝 n 早期 的雙極性硅工藝： NPN三極管 p+p+n+np n+ n+pSi O 2B E CBu ri ed L ay er Me ta lp n Is o l at i o np n Is o l at i o n圖 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 7 雙極性硅工藝 n 先進(jìn) 的雙極性硅工藝： NPN三極管 圖 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 8 HBT工藝 (a) (b) 圖 GaAs HBT的剖面圖 (a)和能帶結(jié)構(gòu) (b) 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 9 MESFET和 HEMT工藝 n GaAs工藝： MESFET 圖 GaAs MESFET的基本器件結(jié)構(gòu) 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 10 n GaAs工藝： HEMT 圖 簡單 HEMT的層結(jié)構(gòu) 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 11 n GaAs工藝： HEMT工藝的三明治結(jié)構(gòu) 圖 DPDQWHEMT的層結(jié)構(gòu) 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 12 Main Parameters
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