ch4納米電子學(xué)簡(jiǎn)介n(已修改)
2025-01-06 12:00 本頁(yè)面
【正文】 Chapter 4 納電子學(xué)基礎(chǔ) ? 本章提要： ? 本章主要涉及納電子學(xué)這門新興學(xué)科的入門知識(shí)，講述了納電子學(xué)的基本概念及其器件應(yīng)用，為以后進(jìn)一步的學(xué)習(xí)打下基礎(chǔ)。涉及的內(nèi)容比較籠統(tǒng)，大家的目標(biāo)主要是了解。 納電子學(xué)簡(jiǎn)介 ? 納米電子學(xué) (也常稱為“納電子學(xué)” )是納米科技的重要分支之一。其主要目標(biāo)是 研究并且制造超小尺寸、低功耗的電子器件及其組成系統(tǒng) 。 ? 由于納米電子學(xué)研究的對(duì)象 (器件、信號(hào)、功率、能量等 )處于納米尺度。而電子在這個(gè)尺度下其行為將明顯不同于在傳統(tǒng)電子器件中的運(yùn)行規(guī)律，即必須考慮電子的“ 量子效應(yīng) ”。也正是因?yàn)檫@些量子效應(yīng)工作的量子器件，才使得人們可以開發(fā)出性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于現(xiàn)在電子器件的新一代產(chǎn)品，帶來第三次的電子學(xué)革命。 信息技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì) ?當(dāng)前信息技術(shù)不斷進(jìn)步主要?dú)w功于低價(jià)格、高速度、高密度和高可靠的信息表述和處理方式的進(jìn)步 ?計(jì)算機(jī)技術(shù)取得成功的關(guān)鍵是固體電子器件小型化和集成度的持續(xù)不斷提高 ?先進(jìn)的多媒體技術(shù)和社會(huì)對(duì)信息處理的需求都要求進(jìn)一步減小芯片的器件尺寸 發(fā)展趨勢(shì) Moore定律 Intel 創(chuàng)始人之一 Gordon E. Moore 英特爾微處理器的發(fā)展規(guī)律 集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔 18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。 發(fā)展趨勢(shì) Moore定律如何延續(xù)？ 存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 發(fā)展趨勢(shì) 硅工業(yè) 硅技術(shù)創(chuàng)造了今天信息技術(shù)的神話 極限？ 量子器件是未來的神話 納米電子學(xué)是工業(yè)發(fā)展的必然 2023預(yù)測(cè) (ITRS)— The International Technology Roadmap for Semiconductors 特征尺度節(jié)點(diǎn) 90納米的 Prescott ?經(jīng)典納米電子學(xué)時(shí)代開始的標(biāo)志 – 2023年下半年英特爾等世界頂級(jí) IC公司陸續(xù)量產(chǎn)90nm芯片 技術(shù)的實(shí)際發(fā)展比國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖 ITRS2023／ 2023預(yù)測(cè)2023年實(shí)現(xiàn) 90nm工藝的規(guī)劃提前了一年 Prescott所采用的半導(dǎo)體工藝 柵極寬度50nm 65納米的 Conroe ?2023年底、2023年初世界半導(dǎo)體市場(chǎng)“霸主”英特爾量產(chǎn) 65nm芯片 ?比 ITRS2023要求 2023年實(shí)現(xiàn)65nm工藝的規(guī)劃整整提前了一年 65nm Conroe的晶體管數(shù)目是 2億 9100萬 Conroe的尺寸為 143平方毫米 45納米的 Penryn 2023年上半年，Intel有
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