微電子器件(5-4)(已修改)
2025-01-05 23:00 本頁面
【正文】 MOSFET 的亞閾區(qū)導(dǎo)電 本節(jié)以前的漏極電流公式只適用于 VGS VT ，并假設(shè)當(dāng) VGS = VT 時(shí) ID = 0 。但實(shí)際上當(dāng) VGS VT 時(shí)， MOSFET 仍能微弱導(dǎo)電，這稱為 亞閾區(qū)導(dǎo)電 。這時(shí)的漏極電流稱為亞閾電流 ，記為 IDsub 。 定義： 使硅表面處于本征狀態(tài)的 VGS 稱為 本征電壓 ，記為 Vi 。當(dāng) VGS = Vi 時(shí)，表面勢(shì) ?S = ?FB ，能帶彎曲量為 q?FB，表面處于 本征狀態(tài) 。 當(dāng) Vi VGS VT 時(shí)， ?FB ?S 2?FB，表面處于 弱反型狀態(tài) ，反型層中的少子濃度介于本征濃度與襯底平衡多子濃度之間，這個(gè)區(qū)域就是 亞閾區(qū) 。 在亞閾區(qū)，表面弱反型層中的電子濃度較小，所以漂移電流很??；但電子濃度的梯度卻很大，所以擴(kuò)散電流較大。因此在計(jì)算 IDsub 時(shí)只計(jì)入擴(kuò)散電流而忽略漂移電流。 ynqDJddnDsub ?? ynZbqDIddnDsub ??式中， ??????? kTqnn Sp0 exp)0( ? ? ? ?????? ??kTVqnLn DSS0p exp)(?LLnnZbqD )()0(n?? MOSFET 的亞閾漏極電流 設(shè)
黨政相關(guān)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1