調(diào)節(jié)方便及動(dòng)態(tài)甲類偏置電路(已修改)
2025-09-04 17:31 本頁(yè)面
【正文】 電子知識(shí) 調(diào)節(jié)方便的動(dòng)態(tài)甲類偏置電路 甲類放大器以其醇厚甜美的聲音為音響愛(ài)好者所推崇，但其效率低、散熱器體積大、成本高又讓音響愛(ài)好者望而卻步。動(dòng)態(tài)甲類放大器音質(zhì)與甲類放大器最接近，且效率較高，小信號(hào)時(shí)功耗低，散熱器的體積小于甲類。應(yīng)該說(shuō)動(dòng)態(tài)甲類放大器是音響愛(ài)好者不錯(cuò)的選擇。動(dòng)態(tài)甲類放大器中最關(guān)鍵的電路是偏置電路。圖１、圖２是傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)偏置電路。圖１中，只有信號(hào)在正半周時(shí)，電路工作于動(dòng)態(tài)甲類，而負(fù)半周時(shí)，偏置僅.. 調(diào)節(jié)方便的動(dòng)態(tài)甲類偏置電路甲類放大器以其醇厚甜美的聲音為音響愛(ài)好者所推崇，但其效率低、散熱器體積大、成本高又讓音響愛(ài)好者望而卻步。動(dòng)態(tài)甲類放大器音質(zhì)與甲類放大器最接近，且效率較高，小信號(hào)時(shí)功耗低，散熱器的體積小于甲類。應(yīng)該說(shuō)動(dòng)態(tài)甲類放大器是音響愛(ài)好者不錯(cuò)的選擇。動(dòng)態(tài)甲類放大器中最關(guān)鍵的電路是偏置電路。圖１、圖２是傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)偏置電路。圖１中，只有信號(hào)在正半周時(shí)，電路工作于動(dòng)態(tài)甲類，而負(fù)半周時(shí)，偏置僅是一恒壓偏置。圖２中，有４只電阻需要調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)難度大。日本ＪＶＣ機(jī)器動(dòng)態(tài)甲類偏置，其電路較為復(fù)雜，制作較困難。圖３是筆者根據(jù)圖１、圖２所設(shè)計(jì)的一款新的動(dòng)態(tài)甲類偏置，其調(diào)節(jié)電阻僅２只，經(jīng)實(shí)驗(yàn)，該電路調(diào)節(jié)方便，效果較為理想。 電路中，Ｒ５用于調(diào)節(jié)末級(jí)的靜態(tài)工作電流，Ｒ６用于確定動(dòng)態(tài)偏置發(fā)生作用的信號(hào)電流值Ｉ。瞬時(shí)信號(hào)電流一旦超過(guò)Ｉ值，動(dòng)態(tài)偏置即刻發(fā)生作用。信號(hào)正半周時(shí)，若瞬時(shí)信號(hào)電流小于Ｉ值，則動(dòng)態(tài)偏置不起作用；負(fù)半周亦然。若瞬時(shí)信號(hào)電流大于Ｉ，則一部分電流通過(guò)Ｒ１注入Ｖ３發(fā)射極，Ｖ３導(dǎo)通，Ｖ３的ｅ、ｃ極間電阻減小，Ｒ３上的壓降下降，Ｖ１的ｅ、ｂ間電壓下降，Ｖ１導(dǎo)通度降低，導(dǎo)致Ｃ、Ｄ間電壓上升，末級(jí)電流增大。信號(hào)負(fù)半周時(shí)的情況也是這樣。 制作時(shí)，Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４選用Ｃ２２４０／Ａ９７０對(duì)管或Ｃ１８１５／Ａ１０１５對(duì)管，Ｒ５、Ｒ６分別?。玻毽?、３３０ｋΩ的精密可調(diào)電阻，Ｒ１＝Ｒ２＝１ｋΩ?Ｒ３＝Ｒ４＝５１０Ω。可根據(jù)具體情況，適當(dāng)調(diào)整電阻值。試機(jī)時(shí)，先調(diào)節(jié)Ｒ５使末級(jí)靜態(tài)電流在１００ｍＡ左右。再將放大器接音源，音量開(kāi)至１／４處左右，將Ｒ６調(diào)至最大，此時(shí)記下末級(jí)電流值范圍；放同一段音樂(lè)，慢慢調(diào)?。遥叮鼓┘?jí)電流明顯大于前次的電阻值范圍。后一次的電流值可根據(jù)功放散熱器大小確定，過(guò)大，則末級(jí)動(dòng)態(tài)電流有時(shí)會(huì)很大，發(fā)熱量劇增，筆者調(diào)至１２５ｍＡ左右。有條件的讀者可用信號(hào)發(fā)生器取代音源作精確調(diào)節(jié)，給放大器輸入一恒定的信號(hào)。還有一點(diǎn)值得注意的是，末級(jí)使用場(chǎng)效應(yīng)管作功率放大的，應(yīng)注意防止自激。IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/O BUFFER快速準(zhǔn)確建模方法，是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù)，非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。 IBIS本身只是一種文件格式，它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù)，但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用，這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真，需要先完成四件工作：獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源；獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法；提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息；提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。 IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為：在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型，同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu)；提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度；可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括：串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真，它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況；模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取，用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開(kāi)銷；兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。 IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。 非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題，而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上，所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型，并且它們都很簡(jiǎn)便易用。 大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得。可以在同一個(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。 IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/O BUFFER快速準(zhǔn)確建模方法，是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1