蔡曉caixiao@csccomcn(010)65183888-84051(已修改)
2025-08-13 13:59 本頁面
【正文】 2022/8/18 引領(lǐng)專業(yè)投資 蔡 曉 （ 010） 6518388884051 新一代信息功能材料及器件的投資機(jī)會 引領(lǐng)專業(yè)投資 2022/8/18 2 新一代信息功能材料研發(fā)是必然趨勢 ? 隨著無線通訊時代的到來，硅被應(yīng)用到通訊方面的電子元件，發(fā)展出第一、二代移動通訊。但是，硅電路傳送訊息的速度太慢、雜訊太多。 ? 傳訊的關(guān)鍵在于電子移動速率的快慢，這是材料的基本電學(xué)特性之一，很難加以改良。硅元件的電子移動速率不夠快，已無法滿足人們的需要，因此新材料的研發(fā)是必然趨勢。 引領(lǐng)專業(yè)投資 2022/8/18 3 周期表中與半導(dǎo)體相關(guān)元素 周期 Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ 2 硼 B 碳 C 3 鋁 Al 硅 Si 磷 P 硫 S 4 鋅 Zn 鎵 Ga 鍺 Ge 砷 As 硒 Se 5 鎘 Cd 銦 In 銻 Te 引領(lǐng)專業(yè)投資 2022/8/18 4 GaAs在無線通訊方面具有眾多優(yōu)勢 ? 砷化鎵晶片與硅晶片主要差別，在于它是一種 “ 高頻 ” 傳輸使用的晶片，由于其頻率高，傳輸距離遠(yuǎn)，傳輸品質(zhì)好，可攜帶信息量大，傳輸速度快，耗電量低，適合傳輸影音內(nèi)容，符合現(xiàn)代遠(yuǎn)程通訊要求。 ? 一般訊息在傳輸時，因?yàn)榫嚯x增加而使所能接收到的訊號越來越弱，產(chǎn)生 “ 聲音不清楚 ” 甚至 “ 收不到信號 ” 的情形，這就是功率損耗。砷化鎵晶片的最大優(yōu)點(diǎn)，在于傳輸時的功率損耗比硅晶片小很多，成功克服訊號傳送不佳的障礙。 ? 砷化鎵具有抗輻射性，不易產(chǎn)生信號錯誤，特別適用于避免衛(wèi)星通訊時暴露在太空中所產(chǎn)生的輻射問題。另外，環(huán)境溫度過高時電子遷移速率會降低，但砷化鎵材料操作溫度高度 200oC，不易因高頻所產(chǎn)生的熱能影響到產(chǎn)品穩(wěn)定性。 引領(lǐng)專業(yè)投資 2022/8/18 5 砷化鎵與硅元件特性比較 砷化鎵 硅 最大頻率范圍 2～ 300GHz 1GHz 最大操作溫度 200oC 120oC 電子遷移速率 高 低 抗輻射性 高 低 具光能 是 否 高頻下使用 雜訊少 雜訊多，不易克服 功率耗損 小 高 元件大小 小 大 材料成本 高 低 產(chǎn)品良率 低 高 引領(lǐng)專業(yè)投資 2022/8/18 6 應(yīng)用領(lǐng)域 頻率范圍 個人通訊服務(wù) 900MHz（ cellular） ～ （ PCS） ～ （ 3G wireless） 有線電視 50～ 1000MHz GPS 衛(wèi)星電視 11～ 13GHz Wireless LAN 900MHz 、 、 60GHz Pointtopoint Radio 1 1 1 2 3 60GHz VSAT（小型衛(wèi)星地面站） 1 28GHz 衛(wèi)星移動電話 、 （ subscriber） 2 29GHz（ up/down/crosslink） 寬頻衛(wèi)星服務(wù) 28GHz 汽車?yán)走_(dá)控制系統(tǒng) 76～ 77GHz 電子收費(fèi)系統(tǒng) GaAs非常適合高頻無線通訊 引領(lǐng)專業(yè)投資 2022/8/18 7 無線通信 IC包括三個功能部分 射頻 IC (Radio Frequency) 中頻 IC (Intermediate Frequency IC) 基頻 IC (Baseband IC) 負(fù)責(zé)發(fā)送 /接收射頻信號 負(fù)責(zé)二次升 /降頻和調(diào)制 /解調(diào) 負(fù)責(zé) A/D、 D/A、信號處理器和 CPU 引領(lǐng)專
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