第六章磁介質(zhì)(已修改)
2025-08-02 00:25 本頁(yè)面
【正文】 第六章 磁介質(zhì) 主要內(nèi)容 167。 分子電流觀點(diǎn) 磁化強(qiáng)度矢量 M及其與磁化電流的關(guān)系 B H與有磁介質(zhì)時(shí)的安培環(huán)路定理和“高斯定理” 磁化強(qiáng)度矢量 M及其與磁化電流的關(guān)系 ? 有關(guān)磁介質(zhì)（鐵芯）磁化的理論，有兩種不同的觀點(diǎn) — 分子電流觀點(diǎn)和磁荷觀點(diǎn)。兩種觀點(diǎn)假設(shè)的微觀模型不同，但是最后得到的宏觀規(guī)律的表達(dá)式完全一樣在這種意義下兩種觀點(diǎn)是等效的。本節(jié)介紹分子電流觀點(diǎn) ? 分子電流觀點(diǎn)就是就是安培分子環(huán)流假說(shuō)，即： 組成磁鐵的最小單元（磁分子）就是環(huán)形電流。若這樣一些分子環(huán)流定向地排列起來(lái)，在宏觀上就會(huì)顯示出 N、 S極來(lái)。 磁化強(qiáng)度矢量 : 為了描述磁介質(zhì)的磁化狀
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