【正文】 電容單位：轉(zhuǎn)換系數(shù)均為1000GFMFkFFmFuF(UF/181。F)nFpF常見型號：474J為470000pF， 104J為100000pF， 105J為1000000pf，即1uF1. 電容種類 聚酯（滌綸）電容（CL）216。 符號：216。 電容量：40pF~4μF 216。 額定電壓：63~630V216。 主要特點：小體積，大容量，耐熱耐濕，穩(wěn)定性差 216。 應(yīng)用：對穩(wěn)定性和損耗要求不高的低頻電路 聚苯乙烯電容（CB） 216。 符號： 216。 電容量：10pF~4μF 216。 額定電壓：100V~30KV 216。 主要特點：穩(wěn)定，低損耗，體積較大 216。 應(yīng)用：對穩(wěn)定性和損耗要求較高的電路 聚丙烯電容（CBB） 216。 符號： 216。 電容量：1000pF~10μF 216。 額定電壓：63V~2000V 216。 主要特點：性能與聚苯相似但體積小，穩(wěn)定性略差 216。 應(yīng)用：代替大部分聚苯或云母電容，用于要求較高的電路 云母電容（CY） 216。 符號： 216。 電容量：10pF~ 216。 額定電壓：100V7kV 216。 主要特點：高穩(wěn)定性，高可靠性，溫度系數(shù)小 216。 應(yīng)用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路 高頻瓷介電容（CC） 216。 符號： 216。 電容量：1~6800pF 216。 額定電壓：63V~500V 216。 主要特點：高頻損耗小，穩(wěn)定性好 216。 應(yīng)用：高頻電路 低頻瓷介電容（CT） 216。 符號： 216。 電容量：10pF~ 216。 額定電壓：50V~100V 216。 主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩(wěn)定性差 216。 應(yīng)用：要求不高的低頻電路 玻璃釉電容（CI） 216。 符號： 216。 電容量：10p~ 216。 額定電壓：63V~400V 216。 主要特點：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫（200度） 216。 應(yīng)用：脈沖、耦合、旁路等電路 鋁電解電容 216。 符號： 216。 電容量： ~10000μF 216。 額定電壓：~450V 216。 主要特點：體積小，容量大，損耗大，漏電大 216。 應(yīng)用：電源濾波，低頻耦合，去耦，旁路等 鉭電解電容（CA）鈮電解電容（CN）216。 符號： 216。 電容量： ~1000μF 216。 額定電壓：~125V 216。 主要特點：損耗、漏電小于鋁電解電容 216。 應(yīng)用：在要求高的電路中代替鋁電解電容 空氣介質(zhì)可變電容器216。 符號：216。 可變電容量：100pF~1500pF 216。 主要特點：損耗小，效率高；可根據(jù)要求制成直線式、直線波長式、直線頻率式及對數(shù)式等 216。 應(yīng)用：電子儀器，廣播電視設(shè)備等 薄膜介質(zhì)可變電容器 216。 符號： 216。 可變電容量：15pF~550pF 216。 主要特點：體積小，重量輕；損耗比空氣介質(zhì)的大 216。 應(yīng)用：通訊，廣播接收機等 薄膜介質(zhì)微調(diào)電容器 216。 符號： 216。 可變電容量：1pF~29pF 216。 主要特點：損耗較大，體積小 216。 應(yīng)用：收錄機，電子儀器等電路作電路補償 陶瓷介質(zhì)微調(diào)電容器 216。 符號： 216。 可變電容量：~22pF 216。 主要特點：損耗較小，體積較小 216。 應(yīng)用：精密調(diào)諧的高頻振蕩回路 獨石電容 216。 符號：216。 電容量：~1μF 216。 主要特點：電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定，耐高溫耐濕性好等。 216。 耐壓：二倍額定電壓。 216。 應(yīng)用范圍：廣泛應(yīng)用于電子精密儀器。各種小型電子設(shè)備作諧振、耦合、濾波、旁路。 216。 缺點：溫度系數(shù)很高。獨石又叫多層瓷介電容，分兩種類型，I型性能挺好，但容量小，另一種叫II型，容量大，但性能一般。 2. 電容應(yīng)用就溫漂而言：獨石為正溫糸數(shù)+130左右,CBB為負溫系數(shù)230,用適當(dāng)比例并聯(lián)使用,可使溫漂降到很小. 就價格而言:鉭,鈮電容最貴,獨石,CBB較便宜,瓷片最低,也稍貴. 鋁電解電容與鉭電解電容鋁電解電容的容體比較大，串聯(lián)電阻較大，感抗較大，對溫度敏感。它適用于溫度變化不大、工作頻率不高（不高于25kHz）的場合，可用于低頻濾波。鋁電解電容具有極性，安裝時必須保證正確的極性，否則有爆炸的危險。與鋁電解電容相比，鉭電解電容在串聯(lián)電阻、感抗、對溫度的穩(wěn)定性等方面都有明顯的優(yōu)勢。但是，它的工作電壓較低。 紙介電容和聚酯薄膜電容 其容體比較小，串聯(lián)電阻小，感抗值較大。它適用于電容量不大、工作頻率不高（如1MHz以下）的場合，可用于低頻濾波和旁路。使用管型紙介電容器或聚酯薄膜電容器時，可把其外殼與參考地相連，以使其外殼能起到屏蔽的作用而減少電場耦合的影響。 云母和陶瓷電容 其容體比很小，串聯(lián)電阻小，電感值小，頻率/容量特性穩(wěn)定。它適用于電容量小、工作頻率高（頻率可達500MHz）的場合，用于高頻濾波、旁路、去耦。但這類電容承受瞬態(tài)高壓脈沖能力較弱，因此不能將它隨便跨接在低阻電源線上，除非是特殊設(shè)計的。 聚苯乙烯電容器 其串聯(lián)電阻小，電感值小，電容量相對時間、溫度、電壓很穩(wěn)定。它適用于要求頻率穩(wěn)定性高的場合，可用于高頻濾波、旁路、去耦。3. 貼片電容單片陶瓷電容器(通稱貼片電容)是目前用量比較大的常用元件，就AVX公司生產(chǎn)的貼片電容來講有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性能和應(yīng)用以及采購中應(yīng)注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法，這里我們引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的產(chǎn)品請參照該公司的產(chǎn)品手冊，命名方法可到AVX網(wǎng)站上找到。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。 NPO電容器NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從55℃到+125℃時容量變化為0177。30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于177。NPO電容的漂移或滯后小于177。%，相對大于177。2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于177。%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。表 1給出了NPO電容器可選取的容量范圍。表 1 NPO電容器可選取的容量范圍封裝DC=50VDC=100V0805~1000pF~820pF1206~1200pF~1800pF1210560~5600pF560~2700pF22251000pF~1000pF~NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。 X7R電容器X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在55℃到+125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。 X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。表 2給出了X7R電容器可選取的容量范圍。 表 2 X7R電容器可選取的容量范圍封裝DC=50VDC=100V0805330pF~330pF~12061000pF~1000pF~12101000pF~1000pF~2225 ~1μF ~ Z5U電容器Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容