李斌論文翻譯1(已修改)
2025-07-02 05:54 本頁面
【正文】 不同AL含量的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料高溫電子傳遞特性High temperature electron transport properties of AlGaN/GaN heterostructures with different Alcontents 作者：ZHANG ZhongFen?, ZHANG JinCheng, XU ZhiHao, DUAN HuanTao amp。 HAO Yue 起止頁碼：18791884；出版日期：Sci China Ser GPhys Mech Astron，Dec. 2009 ， vol. 52 ， no. 12；出版單位：Springer摘要：不同AL含量的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料高溫電子傳遞特性一直在被研究，室內(nèi)溫度高達680 K。電子遷移率的溫度依賴關(guān)系已經(jīng)被系統(tǒng)的測量出來。在680K, 。實驗發(fā)現(xiàn)，在680K, ，這種現(xiàn)象，與在室內(nèi)常溫下不一樣。強勁的分析表明，在第一個頻段即溫度為700時。在整個電子系統(tǒng)中它們所占的二維電子氣分別是30%和 將近 60%。這表明二維電子氣在油井中受到限制，并且在溫度為700 K時，對于AL含量高的AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)材料，在整個電子系統(tǒng)中，二維電子氣占優(yōu)勢；低溫時，則相反。所以說，它具有較高的電子轉(zhuǎn)移率。因此，含量高的AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)材料更適合用在高溫度的應(yīng)用中去。關(guān)鍵字 AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料； 高溫； 電子傳遞轉(zhuǎn)移 1. 簡介最近，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料受到了很大關(guān)注，因為它對高壓高能高溫的微波應(yīng)用有巨大潛力。[110]實驗表明，AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)晶體管能夠在溫度高達400K時操作（510），但是設(shè)備的特性會由于后臺帶電粒子的增加和二維電子氣遷移率的減少而明顯退化。（68）因此，研究不同AL含量的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料高溫電子傳遞特性是不可避免的，也是很有必要的。很多人對此都做過研究。一些研究結(jié)果顯示，在溫度達到400K的時候，AL含量為15%的AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)材料的二維電子氣遷移率高達（5），而AL含量為22%的大約是（11）。但是，關(guān)于Al含量高的AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)材料的研究很少。本文旨在研究在室內(nèi)溫度（.）到680K高溫(.)下，不同含量AL的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料高溫電子傳遞特性，并且，通過計算二維電子氣的分布，在不同頻段電子所占比率，以及整個電子轉(zhuǎn)移率來系統(tǒng)討論它們在高溫下的轉(zhuǎn)移特性。2. 實驗 通過金屬有機物化學(xué)氣相沉積將三個樣本應(yīng)該種植在cplane藍寶石襯底，作為氫氣體載體和triethylgallium(TEGa),trimethylaluminium(TMAl)和氨(NH3)作為源pounds。磊晶成長之前，將襯底置于1050℃下退火去除表面雜志，隨后，在600℃下生成一層10nm的低溫AlN成核層，接著，將石墨基座升溫至1020℃生成一層厚的本征GaN緩沖層，最后生長一層24nm的AlxGa(1x)N/GaN勢壘層。整個過程中反應(yīng)室壓力均維持在40Torr，其中樣品的Al組分分別為15%，27%和40%，分別標識為樣品A，B和C。之后，每個樣品均制備成標準范德保羅（VDP）Hall側(cè)視圖形，
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