奧氏體不銹鋼的晶間腐蝕(已修改)
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【正文】 . . . .第 18 卷第 5 期腐蝕科學(xué)與防護(hù)技術(shù)Vol 18 No 52006 年 9 月CO RROSIO N SCIENCE AND PROTECTIO N TECHNOLO GYSep20061 11奧氏體不銹鋼的晶間腐蝕羅 宏,龔 敏四川理工學(xué)院材料與化學(xué)工程系,自貢 643000摘要:主要介紹了奧氏體不銹鋼晶間腐蝕的機(jī)理。討論了 C、Cr 、P 等元素以及冷加工、鑄造、焊接、熱作成型等熱加工方法對晶間腐蝕的影響。降低奧氏體不銹鋼晶間腐蝕敏感性主要是限制不銹鋼中的 C 和 N 的含量分別不超過0103 %和 0110 %的和進(jìn)行固溶處理.關(guān)鍵詞:奧氏體不銹鋼。晶間腐蝕。綜述中圖分類號 : T G157 文獻(xiàn)標(biāo)識碼 :A 文章編號:100226495 (2006) 0520357204O N INTERGRANUL AR CO RROSIO N OF AUSTENITIC STAINL ESS STEELL UO Ho ng , GON G MinM ateri al an d Chem ical Engi neeri ng Depart ment , S ichuan U ni versty of S cience an d Engi neeri ng , Zigong 643000ABSTRACT :The mechanisms of intergranular co rro sio n ( I GC) of austenitic stainless steel were int ro duced. The effect s of co ntent of carbo n ,chro mium and nit rogen etc. as well as of cool wo rk ,casting ,12welding etc. o n I GC were discussed fo r austenitic stainless steel . In o rder to mitigating t he suscep tibility to I GC , t he co ntent of carbo n and nit rogen sho uld be limited to 0 . 03 % ( maximum)and 0 . 10 %( maximum)respectively ,o n t he ot her hand ,a p roper solutio n heat t reating sho uld also be taken.KEY WO RDS :austenitic stainless steel 。intergranular co rro sio n 。 review晶間腐蝕( I GC) 是一種常見的局部腐蝕 ,遭受這種腐蝕C 處于過飽和 ,受到敏化處理時 , C 和 Cr 形成碳化物 (主要的不銹鋼 ,表面看來還很光亮 ,但經(jīng)不起輕輕敲擊便會破碎為(Cr , Fe) 23 C6 型) 在晶界析出. 由于( Cr , Fe) 23 C6 含 Cr 量很成細(xì)粒. 由于晶間腐蝕不易檢查 ,造成設(shè)備的突然破壞 ,所以高 ,而 Cr 在奧氏體中擴(kuò)散速率很低 ,這樣就在晶界兩側(cè)形成危害性極大[ 1 ] ,統(tǒng)計資料認(rèn)為這類腐蝕約占總腐蝕類型的了貧 Cr 區(qū) ,其含 Cr 量低于 12mass % ,因而鈍化性能與晶粒10 2 %[ 2 ] . 奧氏體不銹鋼是工業(yè)中應(yīng)用最廣的不銹鋼之一 ,不同 ,即晶界區(qū)和晶粒本體有了明顯的差異 ,晶粒與晶界構(gòu)多半在約 427℃～816 ℃的敏化溫度范圍內(nèi) ,在特定的腐蝕成活態(tài) 鈍態(tài)的微電偶結(jié)構(gòu) ,造成晶界腐蝕.環(huán)境中易發(fā)生晶間腐蝕 ,晶間腐蝕還會加快整體腐蝕 ,因此 ,在強(qiáng)氧化性介質(zhì)(如濃硝酸) 中不銹鋼也會發(fā)生晶間腐奧氏體不銹鋼晶間腐蝕的研究是多年來研究重點(diǎn). 實(shí)踐表蝕 ,但晶間腐蝕不是發(fā)生在經(jīng)過敏化處理的不銹鋼上 ,而是明 ,合適的固溶處理、穩(wěn)定化處理、降低碳及雜質(zhì)元素(例如 ,發(fā)生在經(jīng)固溶處理的不銹鋼上. 對這類晶間腐蝕顯然不能用硅、磷和氮等) 在奧氏體不銹鋼晶界的含量、消除或防止熱加貧 Cr 理論來解釋 ,而要用晶界區(qū)選擇性溶解理論來解釋. 當(dāng)工或冷加工過程中對材料的影響等 ,都是降低晶間腐蝕敏感晶界上析出了σ相 ( FeCr 金屬間化合物) , 或是有雜質(zhì) ( 如性和防止晶間腐蝕的有效措施[ 1 ,4～19 ] .磷、硅) 偏析 ,在強(qiáng)氧化性介質(zhì)中便會發(fā)生選擇性溶解 ,從而1 晶間腐蝕機(jī)理造成晶間腐蝕. 而敏化加熱時析出的碳化物有可能使雜質(zhì)不富集或者程度減輕 ,從而消除或減少晶間腐蝕傾向.晶間腐蝕的機(jī)理[ 1 ,4～8 ,14～18 ] ,主要有“貧 Cr 理論”和“晶以前“,貧 Cr 理論”的主要弱點(diǎn)是缺乏直接證明 Cr 區(qū)的界雜質(zhì)選擇性溶解理論”等.存在 ,采用電子探針都無法檢測 ,因?yàn)樨?Cr 區(qū)太窄 ,光束的C 在奧氏體
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