模擬電子技術(shù)習(xí)題庫(已修改)
2024-11-18 23:45 本頁面
【正文】 1 06～ 07 學(xué)年第一學(xué)期中級部《 電子技術(shù)基礎(chǔ) 》 試題 出卷人：王敬孝 一、填空題（每空 1 分共 165 分） 167。 1— 1 ，自然界的物質(zhì)可以分為 導(dǎo)體 、 絕緣體 和 半導(dǎo)體 三類。 硅 和 鍺 ，它們都是 四 價(jià)元素。 電子 ，而且還有 空穴 ，這是半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體導(dǎo)電的重要特征。 摻雜濃度 ，而少數(shù)載流子的濃度與 溫度和光照 有很大關(guān)系。 N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體。 型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是 空穴 ，少數(shù)載流子是 電子 ； N 型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是 電子 ，少數(shù)載流子是 空穴 。 結(jié)又叫 阻擋 層， 耗盡 層，也叫 空間電荷 區(qū)。 結(jié)正偏時(shí)， P 區(qū)接電源的 正 極， N 區(qū)接電源的 負(fù) 極； PN 結(jié)反偏時(shí)， P 區(qū)接電源的 負(fù) 極， N 區(qū)接電源的 正 極。 結(jié)具有 單向?qū)щ?性能，即加正向電壓時(shí) PN 結(jié) 導(dǎo)通 ，加反向電壓時(shí)的 PN 結(jié) 截止 。 167。1 — 2 PN 結(jié) ， P 區(qū)的引出端叫 正 極或 陽 極， N 區(qū)的引出端叫 負(fù) 極或 陰極。 1按二極管制造工藝的不同，二極管可分為 點(diǎn)接觸 型、 面接觸 型和 平面 型三種。 1按晶體二極管所用的材料可分為 硅 和 鍺 兩類。 1 2CW 是 硅 材料的 穩(wěn)壓 二極管。 2AK 是 鍺 材料的 開關(guān) 二極管。 1 2CZ 是 硅 材料的 整流 二極管。 2AP 是 鍺 材料的 普通 二極管 1二極管的正向接法是 P 接電源的正極， N 接電源的負(fù)極，反向接法時(shí)相反。 1二極管的主要 特性是 單向?qū)щ?，硅二極管的死區(qū)電壓約 ，鍺二極管的死區(qū)電壓約 。 1硅二極管導(dǎo)通時(shí)的正向壓降約 ，鍺二極管導(dǎo)通時(shí)的正向壓降約 。 1使用二極管時(shí)，應(yīng)考慮的主要參數(shù)是 FMI 、 RMI 、 RMU 。 1電路中流過二極管的正向電流過大，二極管將會(huì) 燒壞 ；如果加在二極管兩端的反向電壓過高，二極管會(huì) 擊穿 。 有一鍺二極管正反向電阻均接近于零，表明該二極管已 短路損壞 ， 有一硅二極管正反向電阻接近于無窮大表明二極管已 開路損壞 。 2在相同大小的反向電壓作用下，硅二極管的反向飽和電流常 小 于鍺二極管的反向飽和電流，所以硅二極管的熱穩(wěn)定性 較好 。 167。1 — 3 2晶體三極管有兩個(gè) PN 結(jié)，即 發(fā)射 結(jié)和 集電 結(jié)；有三個(gè)電極，即 發(fā)射 極、 集電 極和基 極。 2晶體三極管有 NPN 型和 PNP 型。 2晶體三極管 3DG56 是 硅 材料 NPN 型 高頻小功率 三極管 2 3AD30C 是 鍺 材料 PNP 型 低頻大功率 三極管。 2硅三極管發(fā)射結(jié)的死區(qū)電壓約 ，鍺三極管發(fā)射結(jié)的死區(qū)電壓約 。 2晶體三極管處在正常放大狀態(tài)時(shí)，硅管發(fā)射結(jié)的導(dǎo)通電壓約 ，鍺管發(fā)射結(jié)的 2 導(dǎo)通電壓約 。 2晶體三極管的輸出特性可分三個(gè)區(qū)域，即 飽和 區(qū)、 放大 區(qū)和 截止 區(qū)。 2當(dāng)晶體三極管的發(fā)射結(jié) 正偏 ，集電結(jié) 反偏 時(shí)，工作在放大區(qū)；發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏 時(shí)，工作在 飽和 區(qū)。 發(fā)射結(jié) 反偏（ 或 BI =0），集電極 反偏 時(shí)，工作在截止區(qū)。 3晶體三極管的穿透電流 CEOI 隨溫度的升高而 增大 ，硅三極管的穿透電流比鍺三極管 小 。 3晶體 三極管電流放大系數(shù)太小時(shí)，電流放大作用 小 ，晶體三極管電流放大系數(shù)太大時(shí)，會(huì)使晶體三極管的性能 變差 。 167。2 — 1 3放大電路按三極管連接方式可分為 共發(fā)射極 、 共集電極 和 共基極 。 3共發(fā)射極放大電路的輸入端由 基極 和 發(fā)射極 組成，輸出端由 集電極 和 發(fā)射極 組成。 3放大電路設(shè)計(jì)靜態(tài)工作點(diǎn)的目的是 消除截止失真 和 飽和失真 。 3放大器中晶體三極管靜態(tài)工作點(diǎn)是指 CQI 、 BQI 和 CEQU 。 3放大電路工作在動(dòng)態(tài)時(shí)， CEu 、 Bi 、 Ci 都是由 交流 分量和 直流 分量組成。 3為了防止失真，放大器發(fā)射結(jié)電壓直流分量 BEOU 應(yīng)比輸入信號峰值 高 ，并且要大于發(fā)射結(jié)的 死區(qū)電壓 。 167。 2— 2 3畫放大電路的直流通路時(shí)，把 電容 看成開路；畫放大電路的交流通路時(shí)，把 電容 和電源 看成短路。 利用 直流 通路可以近似估算放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)；利用 交流 通路，可以估算放大器的輸入電阻、輸出電阻和電壓放大倍數(shù)。 4對于一個(gè)放大電路來說，一般希望其輸入電阻 大 些，以減輕信號源的負(fù)擔(dān)，輸出電阻 小 些，以增大帶負(fù)載的能力。 4放大電路中，晶體三極管的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)計(jì)得大高，會(huì)使 Ci 的 正 半周和 ccu 的 負(fù) 半周失真，稱為 飽和 失真。 4靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)計(jì)太低時(shí)，會(huì)使 Ci 負(fù) 半周和 CCu 正 半周失真，稱為 截止 失真。 4從放大電路輸入端看進(jìn)去的等效電阻稱為放大器的 iR ，近似等于 ber ；從放大電路輸出端看進(jìn)去的等效電阻稱為放大電路的 0R ，近似等于 CR 。 4放大電路的圖解分析法，就是利用三極管的 輸入特性曲線 和 輸出特性曲線 ，通過 圖解 方法來分析放大器的工作情況。 167。2 — 3 4影響放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的因素有 電壓 的波動(dòng)、 元件參數(shù) 因老化和 環(huán)境溫度 變化等。 3 4溫度升高時(shí)，放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)上升，可能引起 飽和
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