晶體二極管已修改ppt課件(已修改)
2025-05-24 12:11 本頁(yè)面
【正文】 主講教師： 唐伶俐 副教授辦公室：信科大樓 S226Tel:13983022173Email:《 電子電路基礎(chǔ) 》(Basis of Electronic Circuits) 重慶郵電大學(xué)通信學(xué)院電路基礎(chǔ)教研中心 教 材：《 電子線路 》 (線性部分 )（第五版） 馮軍 謝嘉奎 主編 高等教育出版社 2022（東南大學(xué)）參考書： 《 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)簡(jiǎn)明教程 》 （第三版）楊素行 主編高等教育出版社 2022（清華大學(xué)） 《 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 》 （第 3版）童詩(shī)白，華成英主編 ，高教出版社， 2022（清華） 《 電子技術(shù)基礎(chǔ) 》 （模擬部分） 康華光 編著 高等教育出版社 1999（華中理工） 《 電子線路基礎(chǔ)教程 》 王成華 主編 科學(xué)出版社 2022 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí) 晶體二極管電路分析方法晶體二極管電路分析方法 PN結(jié)結(jié) 晶體二極管的應(yīng)用晶體二極管的應(yīng)用 概述概述第一章第一章 晶體二極管晶體二極管概概 述述晶體二極管結(jié)構(gòu)及電路符號(hào)：晶體二極管結(jié)構(gòu)及電路符號(hào)：PN結(jié)正偏（結(jié)正偏（ P接接 +、 N接接 ）） ， D導(dǎo)通導(dǎo)通。P N正極 負(fù)極晶體二極管的主要特性：晶體二極管的主要特性： 單方向?qū)щ娞匦詥畏较驅(qū)щ娞匦訮N結(jié)反偏（結(jié)反偏（ N接接 +、 P接接 ）） ， D截止。截止。即主要用途：主要用途： 用于整流、開關(guān)、檢波電路中。用于整流、開關(guān)、檢波電路中。1. 1 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí) 物質(zhì)按其導(dǎo)電能力可分為導(dǎo)體、 絕緣體和半導(dǎo)體 3 種。 通常人們把容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體 , 如金、銀、銅等 。 把在正常情況下很難導(dǎo)電的物質(zhì)稱為絕緣體 , 如陶瓷、云母、塑料、 橡膠等 。 把導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體 ,大多數(shù)半導(dǎo)體器件所用的主要材料是硅 (Si)和鍺 (Ge) 。 (1) 熱敏性 : 一些半導(dǎo)體對(duì)溫度的反應(yīng)很靈敏 , 其電阻率隨著溫度的上升而明顯地下降 , 利用這種特性很容易制成各種熱敏元件 , 如熱敏電阻、 溫度傳感器等。 ? ? 嚴(yán)格地說(shuō)，導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的劃分是以物質(zhì)的電阻率 ρ的大小來(lái)確定的。 電阻率小于103Ωcm的稱為導(dǎo)體 。 電阻率大于 108Ωcm的稱為絕緣體 。 其電阻率介于導(dǎo)體的和絕緣體的之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。1. 1 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí) ：半導(dǎo)體 的 3大特性： (2) 光敏性 : 有些半導(dǎo)體的電阻率隨著光照的增強(qiáng)而明顯地下降 , 利用這種特性可以做成各種光敏元件 , 如光敏電阻和光電管等。 ? (3) 摻雜性 : 半導(dǎo)體的電阻率受摻入的 “雜質(zhì) ”影響極大 , 在半導(dǎo)體中即使摻入的雜質(zhì)十分微量 , 也能使其電阻率大大地下降 , 利用這種獨(dú)特的性質(zhì)可以制成各種各樣的晶體管器件。 ? 半導(dǎo)體為什么會(huì)具有上述特性呢？要回答這個(gè)問(wèn)題 , 必須研究半導(dǎo)體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。 ? 1. 1 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí) ：半導(dǎo)體： 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)硅 ( Si ) 、 鍺 ( Ge ) 原子結(jié)構(gòu)及簡(jiǎn)化模型：+14 2 8 4 +32 2 8 418 +4價(jià)電子慣性核 硅和鍺的單晶稱為 本征半導(dǎo)體 。它們是制造半導(dǎo)體器件的基本材料。+4+4+4+4+4+4+4+4 硅和鍺共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)示意圖：共價(jià)鍵 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體q當(dāng) T升高或光線照射時(shí) 產(chǎn)生 自由電子空穴對(duì)
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