《晶體二極管已修改》ppt課件-全文預(yù)覽
【正文】 167。 注意： 高頻電路中，需考慮 Cj影響。 216。簡化電路模型折線等效： 在主要利用二極管單向?qū)щ娦缘碾娐分校? 實際二極管的伏安特性。數(shù)學(xué)模型 — 伏安特性方程式理想模型：修正模型：rS — 體電阻 + 引線接觸電阻 + 引線電阻其中： n — 非理想化因子 I 正常時 : n ?1I 過小或過大時 : n?2注意： 考慮到阻擋層內(nèi)產(chǎn)生的自由電子空穴對及表面漏電流的影響，實際 IS??理想 IS。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示為不同形式的模型：167。 故： PN結(jié) 反偏時，以 CT為主。 CT(0)CTV0xn少子濃度x0xpP+ N216。 使用穩(wěn)壓管組成電路時需注意的幾個問題：使用穩(wěn)壓管組成電路時需注意的幾個問題：某原因 VO? ? IZ?? ? I ?限流電阻 R： 保證穩(wěn)壓管工作在 Izmin~ Izmax之間穩(wěn)壓原理： VO? ? VR?VO= VZ輸出 電壓：D++RRLILVI VOIZI應(yīng)該給穩(wěn)壓管加反偏電壓，以保證工作于反向擊穿區(qū)穩(wěn)壓管應(yīng)與負(fù)載電阻并聯(lián)以使輸出電壓穩(wěn)定。說來工作電流較大時穩(wěn)壓性能較好。 利用 PN結(jié) 的 反向擊穿特性 ，可 制成穩(wěn)壓二極管。 利用 PN結(jié)的反向擊穿特性，可 制成穩(wěn)壓二極管。 齊納擊穿電壓 具有負(fù)溫度系數(shù)。216。 |V反 |?=V(BR)時， ? IR急劇 ??? ，? PN結(jié)反向擊穿。正偏時： 反偏時： 216。 PN結(jié) —— 單向?qū)щ娞匦訮+ N內(nèi)建 電場 Elo +VPN結(jié) 反偏阻擋層變寬內(nèi)建電場增強少子漂移 多子擴散少子 漂移 形成 微小 的反向電流 IR PN結(jié)截止IRIR與 V 近似無關(guān)。 反偏反偏 ： 是反向偏置的簡稱，反向偏置是指給 PN結(jié)的 P端 接電源的 “ ” 極 ， N端 接電源的“ +” 極 的一種接法。 內(nèi) 建 電位差：216。多子的擴散運動 ? 由 雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) ? PN結(jié)的形成多子 ：空穴多子 ：自 由電子內(nèi) 電場方向少子 ：自由電子 少子 ：空穴內(nèi) 電場方向 PN結(jié)的形成空間電荷區(qū)（耗盡層） 對于 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形成的 空間電荷區(qū) 稱為 PN結(jié) 。 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率電阻：電壓： V = E l電流： I = S Jt+ V長度 l截面積 S電場 EI 載流子在濃度差作用下的運動稱 擴散運動，所形成的電流稱 擴散電流。多子濃度取決于摻雜濃度。（雜質(zhì)電離 （多數(shù)） 和本征激發(fā)產(chǎn)生）（ 本征激發(fā)產(chǎn)生） 雜質(zhì)半導(dǎo)體： 常溫情況下， 雜質(zhì) 元素全部 電離 為 空穴 和 負(fù)離子 ，負(fù)離子在晶格中不能移動，不參與導(dǎo)電。v 熱平衡載流子濃度熱平衡載流子濃度熱平衡載流子濃度：本征 半導(dǎo)體中本征激發(fā) —— 產(chǎn)生 自由電子空穴對。 當(dāng)鄰近原子中的價電子不斷填補這些空位時形成一種運動，該運動可等效地看作是 空穴的運動 。 本征激發(fā) 當(dāng) T=0K（ 無外界影 響）時，共價鍵中無自由移動的電子。 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識硅 ( Si ) 、 鍺 ( Ge ) 原子結(jié)構(gòu)及簡化模型：+14 2 8 4 +32 2 8 418 +4價電子慣性核 硅和鍺的單晶稱為 本征半導(dǎo)體 。1. 1 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識 ：半導(dǎo)體 的 3大特性： (2) 光敏性 : 有些半導(dǎo)體的電阻率隨著光照的增強而明顯地下降 , 利用這種特性可以做成各種光敏元件 , 如光敏電阻和光電管等。cm的稱為導(dǎo)體 。 把導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體 ,大多數(shù)半導(dǎo)體器件所用的主要材料是硅 (Si)和鍺 (Ge) 。用于整流、開關(guān)、檢波電路中。 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識 晶體二極管電路分析方法晶體二極管電路分析方法 PN結(jié)結(jié) 晶體二極管的應(yīng)用晶體二極管的應(yīng)用 概述概述第一章第一章 晶體二極管晶體二極管概概 述述晶體二極管結(jié)構(gòu)及電路符號：晶體二極管結(jié)構(gòu)及電路符號：PN結(jié)正偏（結(jié)正偏（ P接接 +、 N接接 ）） ， D導(dǎo)通導(dǎo)通。王成華 編著 《 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 》 （第 3版）2022（東南大學(xué)）參考書： 《 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)簡明教程 》 （第三版）楊素行 主講教師： 13983022173Email:材：馮軍 高等教育出版社 （清華大學(xué)） 康華光 （華中理工） 《 電子線路基礎(chǔ)教程 》 即主要用途：主要用途： 用于整流、開關(guān)
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