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正文內(nèi)容

晶體二極管已修改ppt課件(存儲(chǔ)版)

  

【正文】 ,則 D兩端電壓: VD=V1–V2= –6 –12= – 18 0V,解:故 D截止 。 +DV++ 2V100? RvOvi t620vi(V)vO(V)t026216。 晶體二極管的應(yīng)用晶體二極管的應(yīng)用電源設(shè)備組成框圖:電 源變壓器整流電路濾波電路穩(wěn)壓電路vi vOtvitv1tv2tv3tvO 整流與穩(wěn)壓電路當(dāng) u2(t)在正半周時(shí), D導(dǎo)通, uo(t) =u2(t) ( 1) 單相半波整流電路 u2t0U2muot0U2m輸出電壓 uo的 平均值:當(dāng) u2(t)在負(fù)半周時(shí), D截止, uo(t) =0 u1 u2 RL uoD+*T* ++原理圖io可見(jiàn),效率較低ioUo當(dāng) u2(t)在正半周時(shí), D1,D3導(dǎo)通, D2,D4截止, uo(t)與 u2(t)正半周波形相同,電流 i0從 b?cu2t0U2miou1 u2RL uo+*T*+ +原理圖ioD1D2D3D4dabcuot0U2m當(dāng) u2(t)在負(fù)半周時(shí), D2,D4 導(dǎo)通, D1,D3截止, 電流 i0仍從 b?c , uo(t)與 u2(t)負(fù)半周波形反相。b. 設(shè) Ui不變而 RL變化若 RL? U0? ?IZ? ? ?IR? ? ?UR? ? ?U0?反之,若 RL減小,變化過(guò)程相反綜上,經(jīng)穩(wěn)壓后 U0基本穩(wěn)定在 UZ值 穩(wěn)壓條件是什么?穩(wěn)壓條件是什么?IZmin ≤ IZ ≤ IZmax 不加不加 R可以嗎?可以嗎? 上述電路上述電路 Ui為正弦波,且幅值大于為正弦波,且幅值大于 UZ , 能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓?jiǎn)崮軐?shí)現(xiàn)穩(wěn)壓?jiǎn)???UZUZ U/VUi Uo不行。???~u1 u2 C DZ?RLRI0U0UiIZ解:對(duì)橋式 整流、電容濾波有: Ui==12V電壓波動(dòng) 10% ,有:Uimax=?Ui=Uimin=?Ui= V利用前面公式有:選 R=120?此時(shí) R=120?消耗的平均功率:故 可選 120?, 1W 的電阻。解: 例: ( 1)根據(jù)如下方框圖畫出電路原理圖單相交流電源橋式整流電容濾波并聯(lián)式穩(wěn)壓負(fù)載???~u1 u2 C DZ?RLRI0U0UiIZ因 I0=UZ/RL 故 : I0max=6V/200?=30mAI0min=6V/600?=10mA例:如上圖, U2=10V, C=100?F, 穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值 UZ=6V, Izmin=6mA, Izmax=40mA,若 :( 1) RL在 200~600?之間變化;( 2)電網(wǎng)電壓波動(dòng)為 ?10% 。穩(wěn)壓二極管主要參數(shù)rZ 越小,穩(wěn)壓效果越好 ?UZUZ U/V3. 167。例 3:設(shè)二極管是理想的, vi =6sin?t(V), 試畫 vO波形。其余管子需重新分析其工作狀態(tài)。 簡(jiǎn)化分析法 即將電路中二極管用簡(jiǎn)化電路模型代替,利用所得到的簡(jiǎn)化電路進(jìn)行分析、求解。167。IVQrsrj Cj216。 開(kāi)關(guān)狀態(tài): 與外電路相比, RD可忽略時(shí)的伏安特性。 便于計(jì)算機(jī)輔助分析的 數(shù)學(xué)模型直流簡(jiǎn)化電路模型交流小信號(hào)電路模型167。 PN結(jié)反偏時(shí) , CT CD , 則 Cj ≈ CT PN結(jié)總電容: Cj = CT + CD167。其值越小越好。 要求: Izmin Iz Izmax216。 雪崩擊穿電壓 具有正溫度系數(shù)。溫度每升高 10℃ , IS約增加一倍。 PN結(jié)的特性:PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕凑驅(qū)?,反向截止)結(jié)的單向?qū)щ娦裕凑驅(qū)?,反向截止?PN結(jié)的結(jié)的 伏安特性伏安特性216。 注意: 摻雜濃度( Na、 Nd) 越大,內(nèi)建電位差 VB 越高,阻擋層寬度 l0 越小。漂移電流密度總漂移電流密度:遷移率178。T 導(dǎo)電能力ni或光照 熱敏 特性光敏特性vN型半導(dǎo)體: 本征半導(dǎo)體中摻入少量 五價(jià) 元素構(gòu)成。當(dāng)原子中的 價(jià)電子 在 光照或溫度升高 時(shí) 獲得能量 掙脫共價(jià)鍵的束縛而 成為自由電子 ,原子中 留下空位(即空穴) ,(即 產(chǎn)生自由電子-空穴對(duì) )同時(shí)原子因失去價(jià)電子而帶正電。本征 激發(fā) 。 ? 半導(dǎo)體為什么會(huì)具有上述特性呢?要回答這個(gè)問(wèn)題 , 必須研究半導(dǎo)體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。 ? ?
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