光輻射的調(diào)制ppt課件(已修改)
2025-05-18 04:31 本頁面
【正文】 第二章 光輻射的調(diào)制 機(jī)械調(diào)制 電光調(diào)制 聲光調(diào)制 磁光調(diào)制 電吸收光調(diào)制 光輻射的調(diào)制是用數(shù)字或模擬信號改變光波波形的幅度、頻率或相位的過程 在光通信系統(tǒng)中， 需要把聲音、圖像、數(shù)據(jù)信息加載到光波上進(jìn)行傳輸。 在光電檢測系統(tǒng)中， 使探測光為調(diào)制光，可以比非調(diào)制光 具有更強(qiáng)的抗干擾能力。 光輻射的調(diào)制方法： 內(nèi)調(diào)制：即 LD和 LED的直接調(diào)制 外調(diào)制： 將光源與調(diào)制器分開設(shè)立 外調(diào)制 器： 機(jī)械調(diào)制 電光調(diào)制聲光調(diào)制 磁光調(diào)制 外調(diào)制技術(shù)適用于所有光源。 電吸收光調(diào)制 機(jī)械調(diào)制 利用斬波器通斷光通量，使探測光成為調(diào)制光。 調(diào)制光并配上合適的有源帶通濾波器，以克服雜散光的干擾 。 斬波器 有源帶通 濾波器 探測器輸出的光電流 設(shè)計(jì)有源帶通濾波器，f0為方波頻率。通頻帶△ f窄，雜散光被濾去。 優(yōu)點(diǎn)：容易實(shí)現(xiàn)；能對輻射的任何光譜成分進(jìn)行調(diào)制。 缺點(diǎn)：有運(yùn)動部分，壽命較短，體積較大，調(diào)制頻率不高。 一些機(jī)械調(diào)制裝置 電光調(diào)制 在強(qiáng)電場作用下介質(zhì)折射率改變而產(chǎn)生的光調(diào)制。 適用于單色光源。 一、電光效應(yīng) 線性電光效應(yīng)（ Pockels） 二次電光效應(yīng)（ Kerr） 介質(zhì)原本是單軸晶體。 介質(zhì)原本是各向同性晶體。 電光調(diào)制基于線性電光效應(yīng)。 nE??2nE??63?1. 的縱向電光效應(yīng) KDP負(fù)單軸晶體 切Z 強(qiáng)電場 E//Z軸 ,KDP變?yōu)殡p軸晶體；線偏振光沿 Z軸入射，分解成 X、 Y方向上振幅相同的兩個線偏振光。 光傳播方向與電場方向一致 與 X軸對應(yīng)的主折射率： Ennn 63302101 ???與 Y軸對應(yīng)的主折射率 ： Ennn63302102 ???式中， no為 KDP晶體 o光折射率， 為電光系數(shù)。 63?X、 Y方向兩偏振光射出晶體時(shí)有光程差 : 332 1 0 63 0 63()n n L n EL n U??? ? ? ? ?則相位差為： 30 6 322 nU??????? ? ?半波電壓 : 320 6 32Un????造成光程差 2/??? ?? ?/2U?2. 的橫向電光效應(yīng) 63? 光傳播方向與電場方向垂直 對 KDP晶體采用 45176。 Z切。強(qiáng)電場 E//Z軸 ,KDP變?yōu)殡p軸晶體。 入射光沿 X軸方向進(jìn)入晶體，其偏振方向與 Z、 Y成 45176。 ，在晶體中分解為 Z、Y方向兩個振幅相同的線偏振光。 與 Z軸對應(yīng)的主折射率： en
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