《光輻射的調(diào)制》ppt課件-全文預(yù)覽
【正文】 ? ?這就對(duì)最高的調(diào)制頻率帶來(lái)限制： ?1m a x ?? Kf為了提高 221 MnM s??maxf 184。 高頻振蕩（ ωs）激發(fā)聲光柵，產(chǎn)生 布拉格衍射。這就是聲光效應(yīng)。 調(diào)制頻率可達(dá)100GHz。 GHz 五、光波導(dǎo)調(diào)制器 晶體制作的電光調(diào)制器屬于體調(diào)制器，需要施加相當(dāng)高的電壓，才能實(shí)現(xiàn)電光調(diào)制。光通過晶體的不同部位時(shí)，其相位延遲不同， 這就限制了調(diào)制頻率。 YN //1在右圖中，若 Y偏振光的折射率 32 0 0 6 312n n n E???， 在晶體入射面處光場(chǎng)為 co syiE A t?? 則光通過晶體后的光場(chǎng)： 30 0 6 31c o s ( )2yoLE A t n n Ec?????? ? ?????式中， 略去常數(shù)相位因子： 0ncL?30 6 31c o s2yoLE A t n Ucd???????????則 可見，該光波的位相因子受電壓 U影響。 透過檢偏器 P2的光強(qiáng) I2便受到電信號(hào)的調(diào)制。 在中紅外區(qū)有 GaAs、 Cucl、 CdTe等。 兩個(gè)線偏振光射出晶體時(shí)有光程差： 32 3 0 0 6 31( ) ( )2en n L n n L n E L?? ? ? ? ? ?則相位差為： 30 0 6 322 ()eLn n L n Ud? ? ???? ? ?? ? ? ? ?消除自然雙折射 30 632 LnUd?????橫向電光效應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)： 適當(dāng)?shù)卦黾? L/d ，就可以增強(qiáng)電光效應(yīng)的作用而降低晶體上所需的電壓；電極設(shè)在橫向，不影響光的傳播；在外加電壓 U一定時(shí)，加長(zhǎng)晶體通光長(zhǎng)度并不影響晶體內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度，因而可以加長(zhǎng)晶體長(zhǎng)度獲得較大的相位延遲。強(qiáng)電場(chǎng) E//Z軸 ,KDP變?yōu)殡p軸晶體。 nE??2nE??63?1. 的縱向電光效應(yīng) KDP負(fù)單軸晶體 切Z 強(qiáng)電場(chǎng) E//Z軸 ,KDP變?yōu)殡p軸晶體；線偏振光沿 Z軸入射，分解成 X、 Y方向上振幅相同的兩個(gè)線偏振光。 適用于單色光源。通頻帶△ f窄，雜散光被濾去。 光輻射的調(diào)制方法： 內(nèi)調(diào)制：即 LD和 LED的直接調(diào)制 外調(diào)制： 將光源與調(diào)制器分開設(shè)立 外調(diào)制 器： 機(jī)械調(diào)制 電光調(diào)制聲光調(diào)制 磁光調(diào)制 外調(diào)制技術(shù)適用于所有光源。 在光電檢測(cè)系統(tǒng)中， 使探測(cè)光為調(diào)制光，可以比非調(diào)制光 具有更強(qiáng)的抗干擾能力。 斬波器 有源帶通 濾波器 探測(cè)器輸出的光電流 設(shè)計(jì)有源帶通濾波器，f0為方波頻率。 一些機(jī)械調(diào)制裝置 電光調(diào)制
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