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大功率led封裝工藝系列之焊線篇(已修改)

2024-11-16 06:07 本頁面
 

【正文】 大功率 LED 封裝工藝系列之焊線篇 一、基礎知識 1. 目的 在壓力、熱量和超聲波能量的共同作用下,使金絲在芯片電極和外引線鍵合區(qū)之間形成 良好的歐姆接觸,完成內外引線的連接。 2. 技術要求 金絲與芯片電極、引線框架鍵合區(qū)間的連接牢固 金絲拉力: 25μm 金絲 F 最小 5CN,F 平均 6CN: 32μm 金絲 F 最小8CN,F 平均 10CN。 焊點要求 、第二焊點如圖( 1)、圖( 2
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